1. Классификация полупроводниковых приборов, их характеристики.

Основные группы:

1. Полупроводниковые резисторы;

2. Полупроводниковые диоды;

3. Биполярные транзисторы;

4. Полевые транзисторы;

5. Однопереходные транзисторы;

6. Тиристоры

Полупроводниковые резисторы:	Классификация диодов:
- линейные резисторы;	Выпрямительные
- варисторы;	Стабилитроны
- тензорезисторы;	Туннельные
- терморезисторы;	Обращённые
- фоторезисторы;	Варикапы
	Фотодиоды
	Светодиоды
	Диоды Шотки

Линейные резисторы

Полупроводниковый линейный резистор выполняется из однородного полупроводника чаще всего из n-типа с малой концентрацией примеси. Используется при изготовлении интегральных микросхем. V – полупроводниковый

R - резистор, с увеличением t0 проводимость растёт.

Чаще линейные резисторы используют в БИС – больших интегральных схемах.

Варистор - полупроводниковый резистор используют для защиты цепей от перенапряжений, имеет симметричную ВАХ. Варистор включается в цепь параллельно. Материал- карбид кремния, смешанный с глиной.

Тензорезистор — применяется для измерения механических деформаций и значение его сопротивления зависит от механического взаимодействия на n или p структуру проводника. Существует два типа тензорезисторов n-типа и p-типа L=l/l S=R/R

Терморезисторы — изготавливают из материала R которого резко зависит от температуры.

Существует два типа терморезисторов:

1. Позистор R с  t0

2. Термистор R c  t0

Используются в качестве защиты от перегрева.

Фоторезистор

Фоторезистор – это однородный полупроводник, спротивление которого зависит от освещенности полупроводникового слоя. С увеличением освещенности за счёт внутреннего фотоэффекта увеличивается кинетическая энергия электронов, тем самым повышается вероятность перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости, увеличивается их число в зоне проводимости и увеличивается проводимость полупроводника. В качестве полупроводящего материала используются оксиды и арсениды галлия, германия и другие, более сложные соединения. Зависимость сопротивления фоторезистора от освещенности представлена на рис. 1. Вольтамперная характеристика (ВАХ) представлена на рис.2. Согласно ей фоторезистор является линейным прибором. Линейность характеристики нарушется лишь при превышении допустимого значения тока, в этих случаях применяют охлаждение, что намного повышает стабильность и чувствительность прибора.

Еще одной важной характеристикой является спектральная, представляющая собой зависимость чувствительности фоторезистора от длины излучения, падающего на чувствительный слой.

Ширина запрещенной зоны полупровдников примерно лежит в пределах:. Ширина запрещенной зоны определяется типом материала, но , где h – постоянная Планка,  - предельная частота излучения (минимальная частота, способная вывести электрон из запрещенной зоны). Существует критическая длина волны , после которой материал на данное излучение не реагирует – энергии электрона недостаточно для преодоления запрещенной зоны.