2.4. Контрольные вопросы по разделу «Биполярные транзисторы»

1.Почему даже при равенстве площадей эмиттера и коллектора транзистор нельзя считать обратимым прибором?

2.Какое соотношение между величинами обратных токов транзистора

IКБО, IКЭR, IКБК, IКЭО ? Почему?

3.Можно ли определить все h-параметры по входной и выходной статическим характеристикам транзистора? Если да, то как?

4.Как аналитически можно записать параметр «эффективность эмиттера»

икаковы пути его увеличения?

5.Какими статическими параметрами характеризуется область насыщения, отсечки и активная область работы транзистора?

6.Как параметр h21Б и h21э зависит от температуры? Почему?

7.Какая из барьерных емкостей Сэ.бар. при Ск.бар. больше при равенстве площадей эмиттера и коллектора? Почему?

8.Какая из емкостей Сэ.бар. или Ск.бар больше влияет на частотные свойства транзистора? Почему?

9.Какие процессы, в основном, влияют на величину частоты отсечки?

10.По какому параметру транзистор не усиливает, если работает на частоте выше, чем частота отсечки?

11.До какой характеристической частоты транзистор считается активным элементом схемы?

12.Какие эффекты приводят к росту коэффициента усиления βN при

увеличении тока эмиттера?

13.Какие эффекты приводят к уменьшению коэффициента передачи тока

αN при увеличении тока эмиттера?

14.Почему выходное дифференциальное сопротивление транзистора не равно бесконечности?

15.Будет ли входное сопротивление транзистора изменяться при изменении выходного? Если да, то почему?

16.Из-за чего может произойти смыкание эмиттерного и коллекторного переходов?

17.К каким величинам стремится ток коллектора при смыкании эмиттерного и коллекторного переходов в схемах ОБ и ОЭ?

18.Почему появляется электрическое поле в базе в дрейфовом транзисто-

ре?

19.В чем причина оттеснения тока эмиттера на край эмиттера? Как борются с этим эффектом?

20.Что такое «вторичный пробой»?

21.Как изменится величина частоты отсечки при работе транзистора в микрорежиме?

22.какие составляющие образуют ток базы?

15

2.5 Варианты задач, алгоритмы, решения которых представлены во втором разделе

1. Определить коэффициент усиления по току βN биполярного кремниевого n-p-n транзистора со следующими параметрами : время жизни дырок в эмиттере τэp = 10-7 с, ширина базы WБ =2 мкм, концентрация легирующей примеси в эмиттере Ndэ=1018 см-3 , удельное сопротивление базы ρvБ =0,55 Ом см,время жизни электронов в базе τnБ = 10-7с

Примечание: величину подвижности электронов в базе принять равной подвижности электронов в собственном кремнии

Ответ: βN=98,7

2. Начертите физическую эквивалентную схему и определить входное сопротивление rвх и коэффициенты усиления по току Ki, напряжению Ku и мощности Kp транзистора на низкой частоте, имеющего следующие параметры: ток эмиттера iэ=1мА ; ток базы iБ=10 мкА; сопротивление нагрузки RH=3кОм

Ответ: rвх =25 Ом; Ki=0,99; Ku =742,5; Kp=735;

3. Определить частоту отсечки fT кремниевого n-p-n транзистора имеющего

следующие параметры ток эмиттера Iэ=1мА; концентрация легирующей примеси в эмиттере Ndэ =1019 см-3 ; концентрация легирующей примеси в базе NdБ =1017;см-3 концентрация легирующей примеси в коллекторе Ndк=5·1015 см-3; площадь эмиттера Sэ=10-3см2; площадь коллектора Sк=10-2 см2; ширина квазилинейной базы WБо=0,7мкм; подвижность элекронов в базе μnБ = 700 см2 / В c ;

сопротивление нагрузки RH=3кОм; напряжение эмиттер– база UБЭ=0.63В; напряжение источника питания Ek=5В.

Примечание: постоянную обратной связи на высокой частоте определять как

τК= RH·СК

Ответ: fT=300МГц

16