7. Содержание отчета
Справочные данные используемых диодов и стабилитронов.
Результаты расчетов по п.п. 4.2. – 4.4.
Таблицы экспериментальных данных и графики.
Осциллограммы напряжений и токов.
Анализ полученных результатов.
Выводы по работе.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
Объясните физическую природу односторонней проводимости полупроводникового диода.
Перечислите и объясните физическую суть различных видов пробоя p – n перехода.
Какие из перечисленных видов пробоя используются в стабилитронах?
Как зависит напряжение пробоя от температуры для различных видов пробоя?
Как влияет степень легирования базы диода на напряжение стабилизации?
Какие полупроводниковые материалы используются в стабилитронах и почему?
Перечислите и объясните основные параметры стабилитрона?
Какие параметры используются для оценки качества стабилизатора?
Поясните принцип работы параметрического стабилизатора напряжения . Нарисуйте его схему.
Как определяется величина балластного сопротивления
?Какие элементы могут выполнять роль фильтров в выпрямителях напряжения?
Объясните фильтрующую роль конденсатора в схеме выпрямителя.
Поясните принцип работы одностороннего ограничителя напряжения.
Как работает двусторонний ограничитель на диодах? Как можно изменять уровень ограничения?
Объясните принцип работы двустороннего ограничителя напряжения на стабилитронах. Как можно изменять уровень ограничения в нем?
9. Литература
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – СПб.: Издательство “Лань”, 2001. – 480 с.
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. . – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники – М.: Радио и связь, 1990. – 512 с.
Бонч - Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1990. – 688 с.
Справочник по полупроводниковым приборам и их аналогам / Под ред. Пыжевского. – Издательство АО “Роби ”, 1992. –320 с.