- •ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ
- •Классификация твёрдых тел по характеру взаимного расположения атомов
- •1. Идеальные монокристаллы.
- •Простейшие операции симметрии кристаллов
- •Сингонии кристаллов и соответствующие им решетки Бравэ
- •Решётки Браве
- •Полиморфные фазы диоксида кремния SiO2
- •Аллотропные формы углерода
- •Димер из 2 молекул С60
- •Применение нанотрубок
- •Применение нанотрубок
- •2. Монокристаллы с дефектами решетки – реальные
- •б) Линейные дефекты - дислокации
- •Винтовая дислокация в кристалле:
- •в) Плоские дефекты
- •Г) Объемные дефекты: поры, включения второй фазы
- •3. Поликристаллы
- •4.Аморфные материалы
- •Дифракционные методы исследования структурного состояния материалов
- •Схема рентгеновской трубки для структурного Рис.1 анализа: 1 – металлический анодный стакан; 2
- •Кристаллографические плоскости.Индексы Миллера
- •Кристаллографические плоскости.Индексы Миллера
- •Рис. 8. Отражение падающих лучей семейством плоскостей
- •Условия Лауэ - условия возникновения дифракционного
- •Существует три метода получения дифракционной картины:
- •Произвольная установка (Тонкими ли-
- •2. Метод вращения Исследуемый образец – монокристалл,
Аллотропные формы углерода
Алмаз |
ZnS |
графит |
лонсдейли |
|
|
|
т |
LaC82
С60 |
С540 |
С70 |
12
Аморфный углерод |
Нанотрубки: однослойная |
геликоидальная |
13
Димер из 2 молекул С60
C60Br24
Нанотрубки из фуллерита С60 14
Применение нанотрубок
- транзистор на углеродной нанотрубке
15
Применение нанотрубок
16
2. Монокристаллы с дефектами решетки – реальные
монокристаллы.
а) Точечные дефекты
Типы точечных дефектов:
1 - вакансия;
2 - межузельный атом;
3 - дефект Френкеля:
вакансия + атом в междоузлии;
4 - дефект Шоттки
вакансия + атом на поверхности
5 - примесный атом замещения;
6 - примесный атом внедрения;
7 – примесный атом замещения большей валентности
приводит к возникновению вакансии.
17
б) Линейные дефекты - дислокации
Краевая дислокация представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней лишней атомной полу- плоскости (экстраплоскости).
Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют
положительной и обозначают .
Если экстраплоскость находится в нижней части кристалла, то дислокацию называют
отрицательной и обозначают .
В краевой дислокации линия дислокации OO’, отделяющая неподвижную область от сдвинутой, перпендикулярна вектору сдвига и вектору Бюргерса b.
Краевая дислокация. Экстраплоскость выделена зеленым
цветом, а плоскость скольжения – синим. 18
Винтовая дислокация в кристалле:
При образовании винтовой дислокации, линия
дислокации (красная) параллельна вектору сдвига. Если представить кристалл состоящим из одной атомной плоскости, то винтовая дислокация будет подобна винтовой лестнице. Если винтовая дислокация образована по часовой
стрелке, то ее называют правой, а если против часовой стрелки – левой.
Таким образом, и винтовая, и краевая дислокация – это границы между сдвинутой и несдвинутой частями кристалла.
Винтовая дислокация |
|
b - вектор Бюргерса; |
|
экстраплоскость показана |
19 |
зеленым цветом |
в) Плоские дефекты
Малоугловые границы блоков: выстроенные в стенки краевые дислокации
20
Г) Объемные дефекты: поры, включения второй фазы
21