Задание 2. Рассчитать распределение энергетического потенциала по длине регенерационного участка для цвосп.

1. Определение помехозащищенности в точке решения регенератора для цифровой системы с заданной степенью иерархии.

Исходные данные: Табл. 2

Затухание на разъемных соединителях Арс , дБ	0.5
Затухание на неразъемных соединителях Анс, дБ	0.1
Заданная рекомендация	G-653
Коэф-т затухания для G-653 , дБ/км	0.35
Система передачи	STM-64
Скорость передачи для STM-64	10 Гбит/с
Уровень мощности передачи оптического сигнала Pпер, дБМ	-4.2
Уровень мощности приемаоптического сигнала Рпр , дБМ	-36
Строительная длина кабеля lстр, км	3
Количество разъемных соединителей: nрс	4
Количество неразъемных соединителей nнс	8
Квантовая эффективность	0.78
Температура Т , К	283
Паразитная ёмкость С , пФ	0.18
Длина регенерационного участка Lрег , км	34
Энергетический потенциал Э , дБ	25.8

1)P_р1= Р_пер – А_рс = - 4.2 – 0.5 = - 4.7 дБ

2)Р_п = Р_р1 – А_нс - α∙ l_стр ; Рр_n=Рр_n-1- А_нс- α∙ l_стр

R_ос = =

Р_вх =

S_i = = A/Вт

I_ф = S_i∙ Р_вх =

Расчетная схема и диаграмма уровней ВОСП

Используем p-i-n фотодиод:

Коэф-т шума предусилителя F_у=1.5

A = 20∙ lg(Q) = 20∙ lg(82.965) = 38.378 дБ

Используем ЛФД:

= 0.8

Найдем коэффициент лавинного умножения:

Найдем помехозащищенность:

дБ

Вывод:по данным моего варианта,исходя из отношений сигнал/шум и помехозащищенности,лавинный фотодиод работает лучше p-i-n фотодиода.Для улучшения параметров p-i-n фотодиода можно увеличить кв.эффективность.

Задание 3. Расчет порога чувствительности оптоэлектронного модуля, построенного на основе p-I-n и лфд.

Исходные данные:

Паразитная емкость Спар , пФ	0.18
Рабочая длина волны ,мкм	1.3
Температура Т ,К	293
Квантовая эффективность	0.78
Коэффициент усиления Fу	2.3
Скорость передачи 2 вс , Гбит/с	18
Код	NRZ
Тактовая частота Ft , ГГц	18
Токовая чувствительность Si А/Вт	0.975
Вероятность ошибки Pош	1.585*10^-11
Сопротивление обратной связи Rос , Ом	49.122
Эффективная полоса пропускания фотоприемника fв , ГГц	12.6

Найдем требуемую защищенность

1. 

2. 

3. S_i = = A/Вт

Для p-i-n ФД:

4. 

5. 

Для ЛФД :

дБ

Вывод:

Исходя из полученных данных,мы видим,что чувствительность ЛФД выше чем у p-i-n фотодиода.Для увеличении чувствительности p-i-n фотодиода можно уменьшеть кв.эффективность.