- •Мощные высокочастотные транзисторы
- •Предисловие
- •Глава первая особенности структуры мощных вч транзисторов
- •1.1. Параметры
- •1.2. Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры
- •1.3. Выбор размеров и формы различных областей транзисторной структуры. Типы структур
- •Глава вторая
- •2.2. Требования к корпусам и особенности конструкции
- •2.3. Особенности сборки
- •Глава тр етья параметры мощных вч транзисторов и методы их измерения
- •3.1. Система электрических параметров
- •3.2. Методы измерения статических параметров и вч параметров малого сигнала
- •3.3. Метод измерения Рвых
- •3.4. Метод измерения кур и nK
- •3.5. Метод измерения м3 и м5
- •3.6. Особенности измерения энергетических параметров линейных транзисторов
- •3.7. Согласующие устройства
- •3.8. Методика измерения zbx
- •3.9. Особенности аппаратуры для измерения энергетических параметров
- •3.10. Погрешности измерения энергетических параметров
- •Глава четвертая надежность мощных вч транзисторов
- •4.1. Основные виды и причины отказов
- •4.2. Конструктивные пути обеспечения надежности
- •4.3. Технологические пути обеспечения надежности
- •4.4. Устойчивость транзисторов к рассогласованию нагрузки
- •Глава пятая некоторые вопросы применения мощных вч транзисторов
- •5.1. Общие сведения об устройствах на мощных вч транзисторах
- •5.2. Высокочастотные усилители мощности
- •5.3. Усилители на основе мощных автогенераторов
- •5.4. Автоматика и управление в усилителях мощности
- •5.5 Конструкция усилителей мощности
3.3. Метод измерения Рвых
Мощность сигнала в нагрузке Рвых — один из основных параметров мощных транзисторов, так как именно она в первую очередь определяет его эксплуатационные возможности [29]. Описывая метод измерения выходной мощности рвых, следует остановиться на двух проблемах: создании непосредственно на выходе транзистора условий, при которых можно получить необходимый уровень мощности в нагрузке, и на измерении этой мощности. Рассмотрим каждую проблему в отдельности.
Известно, что, когда речь идет о транзисторе, работающем в режиме А, условия получения максимальной мощности можно сформулировать достаточно просто: выходное сопротивление транзистора и сопротивление нагрузки должны быть комплексно-сопряженными. При этом их нетрудно определить и измерить, достаточно воспользоваться известными уравнениями линейного четырехполюсника, эквивалентного транзистору, работающему в режиме А:
U1 = Z11i1 +Z12i2; (3.7)
U2 = Z21i1+Z22i2.
При условии i1=0 (т. е. холостой ход на входе транзистора) и включении генератора малого переменного сигнала на выходе можно вычислить выходное сопротивление транзистора z22, измерив напряжение U2 и ток i2. Практически такое измерение вполне осуществимо для транзистора, работающего в режиме А. Иначе обстоит дело при работе в режимах АВ, В или С. В этих режимах во входной цепи транзистора смещение по постоянному току отсутствует полностью или оно настолько мало, что эмиттерный переход закрыт. В результате включение генератора в выходную цепь не дает возможности получить токи i2, соответствующие по своим значениям рабочим режимам. Следовательно, само понятие «выходное сопротивление» становится настолько неопределенным, что не может быть использовано. Из этого следует, что и понягие «согласование» теряет обычный смысл (как это принято для малосигнальной модели транзистора).
Рис. 3.3. Форма двухтонового сигнала в нагрузке
Для характеристик работы мощных транзисторов, работающих в режимах АВ, В и С, приходится пользоваться только понятиями «сопротивление эквивалентролировать форму сигнала, однако низкая точность подобных измерительных приборов, их ограниченный частотный диапазон, большая собственная индуктивность привели к тому, что такой способ измерений не получил широкого распространения.
В настоящее время наибольшее распространение получил калориметрический способ измерения мощности. Он основан на использовании измерителей мощности, в состав которых входят элементы, поглощающие попадающую в них высокочастотную энергию (резисторы, водяной поток, терморезисторы и т. д.), Значение мощности определяется по температуре нагреваемого ею тела. Основными достоинствами этого метода являются достаточно большой динамический диапазон измеряемых значений (от 10 Вт до 6 кВт) и относительно малая погрешность.
Рассмотрим особенности измерения выходной мощности линейных транзисторов Рвых(по), т. е. транзисторов, работающих в двухтоновом режиме. Для них форма сигнала в нагрузке существенно отличается от синусоидальной и может быть записана в следующем виде:
(3.8)
Для двухтонового сигнала, показанного на рис. 3.3, справедливы следующие соотношения: частота ВЧ сигнала w= (w1 + w2) /2; частота низкочастотной огибающей Q=(w1 — w2) /2. Амплитуды обоих тонов соответствуют следующему условию: Ul = U2 = U. (3.9)
Величина РВых(по), представляющая собой действующую мощность синусоиды с максимальной амплитудой 2U, равна:
Рвых(по)=(2U)2/2Rн. (3.10)
Вообще говоря, определить непосредственно РВых(по) можно, используя вольтметр для измерения максимального значения напряжения на известной нагрузке. Однако этот способ не получил широкого распространения по причинам, изложенным ранее, так как в этом случае требуется еще более строгий контроль формы сигнала. На практике поступают иным образом. Измеряют значение действующей мощности за период T=2п/Q, а затем вычисляют значение Рвых(ПО). Чтобы найти соотношение этих величин, определим Рвых как сумму действующих мощностей каждого тона:
Рвых = Рвых1 + Рвых2=U2/Rн. (3.11)
Из формул (3.10) и (3.11) следует, что значение Рвых(по) может быть определено как
Рвых(по) = 2Рвых. (3.12)
Заметим, однако, что использование соотношения (3.12) возможно только в том случае, если форма сигнала описывается выражением (3.8). В противном случае возникает значительная погрешность.