- •Мощные высокочастотные транзисторы
- •Предисловие
- •Глава первая особенности структуры мощных вч транзисторов
- •1.1. Параметры
- •1.2. Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры
- •1.3. Выбор размеров и формы различных областей транзисторной структуры. Типы структур
- •Глава вторая
- •2.2. Требования к корпусам и особенности конструкции
- •2.3. Особенности сборки
- •Глава тр етья параметры мощных вч транзисторов и методы их измерения
- •3.1. Система электрических параметров
- •3.2. Методы измерения статических параметров и вч параметров малого сигнала
- •3.3. Метод измерения Рвых
- •3.4. Метод измерения кур и nK
- •3.5. Метод измерения м3 и м5
- •3.6. Особенности измерения энергетических параметров линейных транзисторов
- •3.7. Согласующие устройства
- •3.8. Методика измерения zbx
- •3.9. Особенности аппаратуры для измерения энергетических параметров
- •3.10. Погрешности измерения энергетических параметров
- •Глава четвертая надежность мощных вч транзисторов
- •4.1. Основные виды и причины отказов
- •4.2. Конструктивные пути обеспечения надежности
- •4.3. Технологические пути обеспечения надежности
- •4.4. Устойчивость транзисторов к рассогласованию нагрузки
- •Глава пятая некоторые вопросы применения мощных вч транзисторов
- •5.1. Общие сведения об устройствах на мощных вч транзисторах
- •5.2. Высокочастотные усилители мощности
- •5.3. Усилители на основе мощных автогенераторов
- •5.4. Автоматика и управление в усилителях мощности
- •5.5 Конструкция усилителей мощности
3.5. Метод измерения м3 и м5
Принцип измерения коэффициентов комбинационных составляющих М3 и М5 заключается в том, что на вход транзистора подается сигнал, состоящий из суммы двух синусоид равной амплитуды с близкими значениями частот, т. е.
UBX=U1sinw1t+U2sinw2t (3.14)
На выходе транзистора, работающего при большом уровне мощности, спектр сигнала будет содержать различные гармоники с частотами mw и nw2 и их комбинационные составляющие mw1+nw2, где т и п принимают любые целые значения, начиная с нуля. Так как выходное согласующее устройство обладает узкополос-ной частотной характеристикой, то в нагрузку без изменения пройдут лишь некоторые составляющие. Это будут прежде всего усиленные по мощности основные тона w1 и w2, а также комбинационные составляющие с частотами (1+1)w1 — lw2 и (l+1)w2 — lw1 где значения l=1, 2, 3,... (Порядковый номер комбинационных составляющих принято определять как 2l+1.) Полоса пропускания согласующего устройства на выходе транзистора должна быть такой, чтобы соотношение амплитуд основных тонов и близких им по частоте комбинационных составляющих сохранялось в нагрузке таким же, как на выходе транзистора.
На рис. 3.5 показан пример спектра сигнала на входе транзистора, а на рис. 3.6 часть спектра выходного сигнала, прошедшая без изменений в нагрузку. На рис. 3.6 показаны только амплитуды комбинационных составляющих третьего, пятого, седьмого и девятого порядков. Их амплитуда достаточно быстро убывает с возрастанием порядкового номера, поэтому для оцен-
ки линейных свойств транзистора обычно достаточно измерить амплитуды наибольших из них, а именно третьего и пятого порядков.
Принцип измерения M3 состоит в том, что после достижения требуемого уровня мощности РВЫХ измеряется отношение наибольшей из двух амплитуд комбинационных частот 2w1 — w2 и 2w2 — w1 к амплитуде основных тонов U (см. рис. 3.6). Выражение для определения М3 (в децибелах) имеет вид
Рис. 3.5. Спектр сигнала на входе транзистора
Рис. 3.6. Часть спектра сигнала в нагрузке
M3=20 lg(U3/U), (3.15)
а для m5 M5=20 lg(U5/U). (3.16)
Стремясь получить минимальные значения величин М3 и ms, изменяют элементы согласующих устройств, подбирая соответствующие эквивалентные сопротивления на входе и выходе транзистора и, кроме того, меняя смещение входной цепи транзистора по постоянному току. Как правило, наилучший режим измерений соответствует примерно равным значениям Mz и М5 и значительно меньшим значениям всех остальных составляющих. Непременным условием измерения является поддержание постоянного уровня мощности сигнала в нагрузке.
Остановимся более подробно на допустимом диапазоне значений Aw = w1 — w2. Одно из преимуществ двухтонового метода измерений заключается в возможности наблюдать на экране анализатора спектра одновременно и основные тона, и их комбинационные со-
ставляющие, что значительно облегчает настройку измерительной системы. С этой точки зрения значение Лео должно быть достаточно малым по сравнению с полосой обзора анализаторов спектра, используемых в этом частотном диапазоне. Уменьшать Дсо целесообразно и по другой причине. Свойства транзистора усиливать сигнал изменяются с частотой. При значительном увеличении А(о каждый тон может усиливаться по-разному, что не позволит сделать правильные выводы о линейных свойствах транзистора.
Основным препятствием к уменьшению Асо является трудность построения двухтонового генератора с высокой стабильностью частоты каждого тона (см. § 3.10). Кроме того, не меньшую трудность при измерении представляет необходимость поддерживать равенство амплитуд обоих тонов. Покажем, что произойдет, если при измерениях не выполняется условие (3.9). Как известно, нелинейный четырехполюсник, которым можно описать поведение транзистора, может быть в первом приближении охарактеризован следующей зависимостью выходного напряжения от входного:
Uвыз(t)=klUBX(t)+k2U2вх(t)+...+knUnвх(t), (3.17)
где члены ряда убывают с возрастанием их порядкового номера.
Из формулы (3.17) с учетом выражения (3.14) можно получить формулы для определения амплитуд симметричных составляющих третьего и пятого порядков (если для простоты ограничиться числом п = 5):
Из формул (3.18) и (3.19) [а также (3.20) и (3.21)] следует, что при возрастании амплитуды какого-либо одного тона величина U2w1-w2 перестанет быть равной U2w2-w1, a величина U3w1-2w2 нe будет равняться U3w2 -2со . На практике это будет означать увеличение погрешности измерений комбинационных составляющих в спектре выходного сигнала (см. § 3.10).