Основные обозначения

А– постоянная Ричардсона

С– электрическая емкость

C_B– барьерная емкостьp-nперехода

C_D– диффузионная емкостьp-nперехода

C_FB– емкость плоских зон

C_p– емкость свободных дырок

C_sc– емкость области пространственного заряда

D_{n (p)}– коэффициент диффузии электронов (дырок)

d_ox– толщина подзатворного диэлектрика МДП-структуры

E_C– энергия дна зоны проводимости

E_{D (A)}– энергия донорных (акцепторных) уровней

E_g– ширина запрещенной зоны полупроводника

E_i– энергия середины запрещенной зоны

E_s– величина электрического поля на поверхности

E_t– энергия поверхностных состояний, отсчитанная от середины запрещенной зоны

E_V– энергия потолка валентной зоны

F– энергия уровня Ферми

F_{n (p)}– квазиуровень Ферми для электронов (дырок)

F_s– величина энергии Ферми на поверхности полупроводника

f_{c (v)}– неравновесная функция распределения для электронов в зоне проводимости (в валентной зоне)

G_{n (p)}– темп генерации свободных электронов (дырок) в полупроводнике

G– темп генерации неравновесных электронов и дырок в полупроводнике

H– оператор Гамильтона

h– постоянная Планка

ћ– постоянная Планка, деленная на 2π

I– сила тока

I_см– величина тока смещения

J– плотность электрического тока

J_p(n)– дырочная (электронная) компонента тока

J_s– плотность тока насыщения диода

J_ген– генерационный ток

J_рек– рекомбинационный ток

j_nE– дрейфовая компонента электронного тока

j_nD– диффузионная компонента электронного тока

j_pE– дрейфовая компонента дырочного тока

j_pD– диффузионная компонента дырочного тока

j_{п/п (Me)}– плотность тока термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника (металла)

L_D– длина экранирования Дебая

L_p– диффузионная длина

m₀– масса изолированного электрона

m_{n (p)}^*– эффективная масса электрона (дырки)

N_{C (V)}– эффективная плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне)

N_{D (A)}– концентрация легирующей донорной (акцепторной) примеси

N_M– плотность зарядов на металлической плоскости единичной площади

N_ss– плотность моноэнергетических состояний

N_t– концентрация рекомбинационных центров; плотность поверхностных состояний

n_n– неравновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводникеn-типа

n_n0– равновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводникеn-типа

n_p– неравновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводникеp-типа

n_p0– равновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводникеp-типа

n– избыточная концентрация электронов

n_i– собственная концентрация носителей заряда

n_s– поверхностная концентрация электронов

p_n– неравновесная концентрация дырок

p_n0– равновесная концентрация дырок

p_s– поверхностная концентрация дырок

Q– электрический заряд на единицу площади

Q_B– заряд ионизованных доноров и акцепторов в ОПЗ на единицу площади

Q_M– заряд на металлическом электроде

Q_n– заряд свободных электронов

Q_sс– заряд в области пространственного заряда

Q_ss– заряд поверхностных состояний

R – темп рекомбинации

R_н– сопротивление нагрузки

R_D– дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

r_D– дифференциальное характеристическое сопротивление диода

S– площадь

Т– абсолютная температура

T_e– электронная температура

t– время

U– потенциальная энергия электронов; разность потенциалов

U_к– контактная разность потенциалов

V– объем кристалла

V_G– напряжение, приложенное к затвору полевого транзистора

V_FB– напряжение на затворе МДП-структуры, соответствующее нулевому значению поверхностного потенциала в полупроводнике

V_ox– напряжение, приложенное к оксиду

V_T – пороговое напряжение на затворе

W– толщина квазинейтрального объема базы диода или транзистора

υ– скорость

x,y,z– пространственные координаты

 = q/kT

Γ_{n (p)}– избыток электронов (дырок)

 – коэффициент рекомбинации

ε– относительная диэлектрическая проницаемость

₀– электрическая постоянная

_s– относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

κ– коэффициент переноса

λ– длина свободного пробега; длина волны света

μ_{n (p)}– подвижность электронов (дырок)

ν– частота света

 – удельное сопротивление

σ– удельная электрическая проводимость

σ_n(p)– электронная (дырочная) компонента проводимости

 – время жизни неравновесных носителей

_м– время релаксации Максвелла

τ_n– время жизни неосновных носителей в области пространственного заряда

υ– скорость

Ф– термодинамическая работа выхода

Ф_Ме – термодинамическая работа выхода из металла

Ф_n(p)– термодинамическая работа выхода в полупроводникахn(p)-типа

φ– электрический потенциал

φ₀– расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны в квазинейтральном объеме полупроводника

_ms– контактная разность потенциалов

φ_n(p)– объемное положение уровня Ферми

χ– электронное сродство полупроводника

κ– коэффициент переноса

ψ– волновая функция

ψ_s– поверхностный потенциал

ω– частота измерительного сигнала