- •ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ
- •Тема 1.1. ОСНОВИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕОРІЇ
- •1. Вступ. Мета та завдання предмету.
- •2. Електрони в атомі. Основи зонної теорії твердого тіла.
- •3. Робота виходу електронів
- •4. Види електронної емісії.
- •5. Рух електронів в електричному полі.
- •6. Рух електронів в магнітному полі
- •1. Електронно-променеві трубки (ЕПТ) та їх класифікація
- •2. ЕПТ з електростатичним керуванням
- •3. ЕПТ з магнітним керуванням
- •Тема 1.3. ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НАПІВПРОВІДНИКІВ
- •1. Внутрішня структура напівпровідників
- •2. Власна провідність напівпровідників
- •3. Дрейфовий та дифузійний струми в напівпровідниках
- •4. Температурна залежність провідності напівпровідників.
- •5. Домішкова провідність напівпровідників
- •6. Електропровідність напівпровідників в сильних електричних полях. Ефект Ганна
- •7. Ефект Холла
- •Тема1.4.КОНТАКТНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ
- •2. Енергетична діаграма p-n переходу
- •3. Властивості p-n переходу при наявності зовнішньої напруги
- •4. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) p-n переходу
- •5. Температурні і частотні властивості p-n переходу
- •6. Контакт метал – напівпровідник. Перехід Шотткі
- •7. Тунельний ефект
- •Тема 1.5.ОПТИЧНІ І ФОТОГАЛЬВАНІЧНІ ЯВИЩА В НАПІВПРОВІДНИКАХ
- •2. Фотогальванічний ефект
- •3. Електромагнітне випромінювання в напівпровідниках. Лазери.
- •Тема 2.1. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ
- •1. Класифікація і умовні позначення напівпровідникових діодів.
- •3. Вольтамперна характеристика і основні параметри напівпровідникових діодів.
- •4. Випрямні діоди
- •5. Стабілітрони
- •9. Високочастотні діоди
- •Тема 2.2.НАПІВПРОВІДНИКОВІ РЕЗИСТОРИ
- •1. Види напівпровідникових резисторів
- •Тема 2.3. БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ
- •1. Класифікація і маркування транзисторів
- •3. Принцип роботи біполярних транзисторів
- •4. Схеми ввімкнення біполярних транзисторів
- •5. Підсилювальні властивості транзисторів та їх еквівалентні схеми
- •6. Статичні характеристики біполярних транзисторів
- •7. Динамічний режим роботи транзисторів
- •8. Транзистор, як активний чотириполюсник. h – параметри транзистора
- •Тема 2.4. ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ
- •1. Загальні відомості
- •2. Будова та принцип роботи польових транзисторів з керуючим p-n переходом
- •3. Польові транзистори з ізольованим затвором
- •4. Польові транзистора для ІМС репрограмуючих постійних запам'ятовуючих пристроїв ( РПЗП ).
- •Тема 2.5 ТИРИСТОРИ
- •1. Будова принципи роботи диністорів
- •2. Триністори
- •3. Спеціальні види тиристорів (симістори, фототиристори, оптронний тиристор).
- •Тема 3.1. КЛАСИФІКАЦІЯ І ОСНОВНІ ТЕХНІЧНІ ПОКАЗНИКИ ПІДСИЛЮВАЧІВ
- •2. Основні технічні параметри підсилювачів.
- •3. Характеристики підсилювачів
- •1. Призначення та структурна схема підсилювача сигналів низької частоти (ПНЧ)
- •2. Кола зміщення підсилювальних каскадів.
- •3. Температурна стабілізація режимів роботи підсилювачів
- •5. Підсилювальні каскади на польових транзисторах.
- •6. Види міжкаскадних зв’язків в підсилювачах
- •7. Еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками
- •Тема 3.3. ВИХІДНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ СИГНАЛІВ НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ
- •1. Прохідна динамічна характеристика транзистора
- •2. Режими роботи підсилювальних каскадів
- •3. Вихідні каскади підсилювачів
- •Тема 3.4: ЗВОРОТНІЙ ЗВ'ЯЗОК В ПІДСИЛЮВАЧАХ
- •2. Вплив зворотного зв’язку на коефіцієнт підсилення і вхідний опір підсилювача.
- час вимикання вим (мінімальний проміжок часу між проходженням через нуль прямого струму та повторним прикладанням напруги до тиристора).
3. Спеціальні види тиристорів (симістори, фототиристори, оптронний тиристор).
Симістор або симетричний тиристор – це тиристор, який має одинакові вольтамперні характеристики при різних полярностях прикладеної напруги. На рис.6 приведена структура симістора і його ВАХ та умовне позначення.
Рис.6. Структура симістора (а), ВАХ (б) та умовне позначення (в) Симістор являє собою п’ятишарову структуру. Його параметри подібні до па-
раметрів триністора. Особливістю структури являється те, що переходи П1 і П4 шунтуються металічними контактами (рис.6,а).
Подамо позитивну напругу на області р1, п1, а від'ємну на області р2, п3. Перехід П1 закритий і виключається із роботи область п1. Переходи П2 і П4 відкриті і виконують функцію емітерних переходів. Перехід П3 закритий і виконує функцію колекторного переходу. Таким чином, структура симістора буде представляти області р1, n2, р2, n3, де n1 буде виконувати функцію анода, а n3 – катода при прямому ввімкненні.
Подамо напругу плюсом на області р2, n3, а мінусом на області р1,n1. Перехід П4 закриється і вимкне із роботи область n3. Переходи n1 і n3 відкриються і будуть виконувати функцію емітерних переходів. Перехід П2 закриється і буде виконувати функцію колекторного переходу. Структура симістора буде мати вигляд р2, n2,р1,n1, де область р2 буде являтися анодом, а n1 – катодом. В результаті отримаємо структуру в прямому ввімкненні , але при зворотній напрузі.
В такій структурі як при одній, так і при другій полярності прикладеної напруги виконуються умови для пропускання робочого струму в прямому і зворотному напрямках, якщо на керуючий електрод КЕ подавати позитивний відносно електрода К керуючий імпульс. На рис.6,б показані ВАХ симістора при різних струмах керування.
Фототиристор – прилад, що керується світловим потоком. Параметри його силового кола приблизно такі, як і у триністора. Умовне позначення фототиристора показано на рис.7,а.
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
139 |
Оптронний тиристор - це поєднання світлодіода та фототиристора в одному корпусі. Якщо через світлодіод пропускати струм (під дією Uкер), він генеруватиме світловий потік, який, падаючи на структуру тиристора в зоні керуючого р-n переходу, призведе до генерації в напівпровіднику вільних носіїв заряду. Ці носії під дією прикладеної до тиристора напруги створюють струм керування і тиристор вмикається. Головна перевага оптронних тиристорів – це відсутність гальванічного зв’язку між колом керування та силовим колом. Умовне позначення оптронного тиристора наведеного на рис.7,б.
Рис. 7. Умовні позначення фототиристора (а) та оптронного тиристора(б).
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
140 |