7. Еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками
На рис.16 приведена схема транзисторного підсилювального каскаду, а на рис.17 повна еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками.
Повна еквівалентна схема підсилювача (рис.17), а також еквівалентні схеми, які відображають його властивості в області низьких, середніх і високих частот(рис.18) складаються так, що в них показують лише ті елементи, які мають найбільший вплив на властивості каскаду в відповідному діапазоні частот. Так, тран-
зистор зміняють Т – подібною еквівалентною схемою, а паралельно або послідо- |
||||||
вно з’єднані опори і ємності заміняють їх еквівалентами. |
||||||
Резистори |
Б і |
Б |
Б |
|
Б’ ∙ |
Б" |
’ |
" заміняють еквівалентним опором |
|||||
Ємність |
представляє собою |
повну |
ємність’ ", якою навантажується каскад і ви- |
|||
|
= |
Б + |
Б ; |
|||
так: |
|
|
|
|
|
|
значається С |
|
|
|
|
|
|
|
Свх∙нк |
|
|
|
|
|
|
м |
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
де |
См |
|
– вхідна наступного |
каскаду; |
|
|
||||
|
|
|
|
вх∙нк |
|
|
||||
|
|
– сумарна монтажна |
ємність схеми. |
|
|
|||||
|
|
С |
= С |
|
+ С |
|
|
|||
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
161 |
На низьких частотах (НЧ) ємнісний опір паралельно ввімкнених |
|
і |
буде ма- |
|||
ти велику величину і на роботу схеми не впливатиме. Ємність |
|
має велику вели- |
||||
|
|
к |
|
|
|
|
|
елементах |
|
||||
чину, значить ємність опір буде малий, атому трати напруги наСЕ |
|
|
|
|
на |
|
нехтуємо. В результаті еквівалентного схема буде мати вигляд показаний |
|
ЕСЕ |
||||
рис.18,а. Розділяючі конденсатори ввімкнені послідовно. На Н4 опір буде великий, що приводить до зменшення коефіцієнта підсилення.
На середніх частота (Ср.Ч) опір розділяючи конденсаторів зменшиться до такої
величини, що їх вплив можна не враховувати. Опір ємностей і |
|
зменшується |
||||
їх теж можна не |
|
|||||
не на стільки, щоби здійснювати шунтуючу дію, і тому на Ср.4Ск |
С |
|
|
|
|
С |
враховувати. На середніх частотах еквівалента схема буде мати вигляд, показа- |
||||||
ний на рис.18,б. Так як на Ср.4 ні бар’єрна ємність колекторного переходу |
|
, ні |
||||
не впливають на роботу підсилювача, то коефіцієнт підсилення на цих |
частотах |
|||||
|
Ск |
|
||||
буде найбільшим.
На високих частотах (ВЧ) розділяючи конденсатори мають дуже малий опір, і
вача. Ємності Ск і С ввімкнені в паралель, шунтують колекторний перехід транзистора і вихід підсилювача своїм малим опором, що приводить до зменшення коефіцієнта підсилення. Еквівалентна схема підсилювача на ВЧ зображена на рис.18,в.
так як вони ввімкнені послідовно, то вони не впливають на роботу схеми підсилю-
На рис.19. приведена АЧХ підсилювача з резистивно – ємнісним міжкаскадним зв’язком, яка показує вплив зміни частоти на коефіцієнт підсилення.
Н.М. Щупляк. Основи електроніки і мікроелектроніки. |
|
http://dmtc.org.ua/ |
162 |