4.4.3. Обработка и анализ полученных результатов

1. Для осуществления расчетов необходимо открыть окно «построитель выражений», нажать кнопку «Новое».

2. Определить температурную зависимость постоянной Холла R_x по формуле (4.9)

3. Определить температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда, используя уравнение (4.10).

4. Рассчитать значения ln (n) и 1/T.

5. Температурная зависимость сопротивления исследуемого образца определяется по закону Ома: R = U/I

6. Рассчитать температурные зависимости удельного сопротивления и электропроводности исследуемого образца соответственно по уравнениям:

 = R*a*b/l , (4.17)

 = 1/ , (4.18)

где a, b – ширина и толщина образца, l – длина.

7. Рассчитать значения ln ().

8. Рассчитать подвижности свободных носителей заряда по уравнению (4.10).

9. Рассчитать значения .

10. Построить график температурной зависимости концентрации свободных носителей заряда в координатах: .

11. Построить график температурной зависимости постоянной Холла.

12. Построить график температурной зависимости подвижности носителей заряда μ.

13. Аналогичным образом построить график температурной зависимости электропроводности исследуемых образцов в координатах: и.

14. Путем графического дифференцирования зависимостей иопределить энергию ширины запрещенной зоны полупроводника, используя следующее уравнение, гдеk – постоянная Больцмана.

15. Результаты занести в таблицу 4.1.

Параметры образца: толщина h=0,3 мм, длина 1 мм, ширина 1 мм

16. Выводы

Таблица 4.1

Измерения и расчёты

Темп. С	Измеряемые величины				Рассчитанные величины
	ток, мА	B, T	U, B	EDS, В		, (Ом*м)^-1	1/T, С^-1	n
30
35
40
45
50
55
60
65
75
85
90

4.4.4. Содержание отчета по работе Отчет по работе должен содержать следующую информацию:

1. Название и цель работы

2. Основные теоретические положения

3. Последовательность проведения эксперимента

4. Расчет характеристик, построение графиков, таблица результатов 4.1.

5. Вывод по работе

6. Ответы на контрольные вопросы