1. тиристоры

2. симисторы

3. диоды

4. позисторы

5. транзисторы

6. Стабилитроны

37. $$$Условное обозначение, какого тиристора представлено на рисунке

39. 

1. диодный симметричный

2. динистор

3. триодный симметричный

4. триодный незапираемый с управлением по аноду

5. триодный запираемый с управлением по аноду

6. диодный

7. симистор

41. $$$При каких схемах включения транзистора можно получить усиление тока?

1. В схеме с ОЭ

2. В схеме с ОК

3. В схеме с ОБ

4. С ОЭ и ОБ

5. С ОК и ОБ

43. $$$В чем отличие действия дрейфового и бездрейфового транзисторов

1. Разный механизм переноса носителей через базовую область

2. В дрейфовом транзисторе скорость носителей в базе увеличивается вследствие действия дрейфового поля

3. Оба механизма переноса носителей одинаковы

4. В бездрейфовом транзисторе скорость носителей в базе увеличивается вследствие диффузии

5. механизм переноса носителей зависит от толщины базы

6. механизм переноса носителей зависит типа проводимости базы

7. механизм переноса носителей зависит от легирования базы

45. $$$На чем основано управление током в полевом транзисторе c управляющим p-n переходом?

1. На изменении ширины перехода канала при изменении входного напряжения

2. На изменении сечения канала при изменении входного напряжения

3. На изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации инжекторных носителей

4. На изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения

5. На изменении емкости перехода

6. На изменении коэффициента передачи тока под действием частоты

47. $$$Укажите условное обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом

48. 

50. 

53. 

57. 

60. e)

63. $$$Что такое модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

1. Изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения под действием обратного напряжения на коллекторном переходе

2. Изменение напряжения на коллекторном переходе приводящее к изменению ширины базы

3. Влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

4. Изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

5. Изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

6. Изменение толщины базы из-за влияния эмитерного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

65. $$$Освещаемый p-n-переход используется в следующих режимах работы:

1. освещенного фотодиода с источником напряжения во внешней цепи

2. освещенного винтельного без источника напряжения во внешней цепи

3. Режим с источником напряжения, но без нагрузки во внешней цепи

4. Режим с источником напряжения и с нагрузкой во внешней цепи

5. Режим неосвещенного фотодиода в прямом направлении

6. Режим с источником напряжения во внешней цепи

7. Режим фотодиода с источником нагрузки во внешней цепи

67. $$$Полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь:

1. Светодиод-фотодиод

2. Светодиод-фототранзистор

3. Излучатель- фототиристор

4. светорезистор -фотодиод

5. световод- фототранзистор

6. светорезистор -фотоприемником

68. $$$Передача информации от излучателя к фотоприемнику может производиться с помощью:

1. диодного оптрона

2. диодно-транзисторного оптрона

3. оптоизлучателей

4. фотоизлучателей

5. резисторный оптрон

70. $$$По характеру выполняемых функций ИС подразделяются на:

1. цифровые ИС

2. аналоговые ИС

3. МИС, СИС, БИС, СБИС

4. пленочные, гибридные и полупроводниковые ИС

5. ламповые

6. печатные

72. $$$Интегральная схема, предназначенная для преобразования и обработки электрических сигналов относится к:

1. цифровым ИМС

2. аналоговым ИМС

3. функциональным схемам

4. ламповым схемам

5. печатным схемам

6. дифференциальным схемам

7. узкополосным схемам

8. $$$Устройство с высокой плотностью упаковки электрически связанных элементов, выполняющее определенную функцию обработки и преобразования электрических сигналов и рассматриваемое как единое целое, называется:

1. интегральной микросхемой

2. микросборкой

3. функциональной схемой

4. структурной схемой

5. объединенной схемой

6. топологической схемой

7. $$$ИМС, в которой все активные и пассивные элементы и их соединения выполнены только в виде пленок, называется:

1. толстопленочными ИМС

2. тонкопленочными ИМС

3. полупроводниковыми ИМС

4. схемой на микромодулях

5. ламповой схемой

6. транзисторной схемой

7. микросборки

8. $$$Схема, выполняющая заданную более сложную функцию и состоящая из необходимого для этого сочетания элементов, компонентов и ИМС, относится к:

1. схемам на микромодулях

2. комбинированной

3. пленочным ИС

4. полупроводниковым ИС

5. транзисторным схемам

7. $$$Порошкообразный карбид кремния SiC служит для изготовления:

1. варисторов

2. радиационностойких светодиодов

3. фоторезисторов

4. терморезисторов

5. реостатов

6. тензорезисторов

7. $$$Нелинейный резистор, у которого электр. свойства материала одинаковы во всех направлениях, называется:

1. варистором

2. магниторезистором

3. фоторезистором

4. фоторезистором

5. реостатом

6. тензорезистором

7. пьезорезистором

8. $$$Полупроводниковый резистор, у которого сопротивление сильно зависит от температуры, называется:

1. терморезистором

2.  позистором

3. варистором

4. реостатом

5. фоторезистором

6. тензорезистором

9. $$$Масштабные усилители, имеющие точное нормирующее значение коэффициента усиления называют:

1. Измерительные усилители

2. Электрометрические усилители

3. Потенциометрические усилители

4. Нормирующие усилители

5. Интегральные усилители

12. $$$Приборы предназначены для формирования напряжения на выходе, равного усиленной алгебраической сумме нескольких входных сигналов называют:

1. Инвертирующий сумматор

2. Неинвертирующий сумматор

3. Усредненный сумматор

4. Линейный сумматор

5. Параметрический сумматор

6. Нелинейный сумматор

15. $$$По характеру равновесного состояния генераторов прямоугольных импульсов классифицируется:

1. длительно устойчивое состояние

2. квазиустойчивое состояние

3. непрерывное состояние

4. линейное состояние

5. импульсное состояние

6. усредненное состояние

7. нелинейное состояние

18. $$$Ждущие мультивибраторы как моностабильные импульсные генераторы имеют различное состояние равновесия:

1. мультивибратор с самовозбуждением

2. одновибратора с эмиттерной связью

3. мультивибратор с инверсией

4. мультивибратор с нормированием

5. одновибратора с инверсией

6. одновибратора с коллекторной связью

20. $$$Основные буквенные формы отражения логических функций

1. ИЛИ

2. НЕ

3. СИ

4. НЮ

5. СУММА

6. ИМС

7. ЕСЛИ

8. ТОГДА

23. $$$Алгебраическое представление рассматриваемых логических функций являются суммой

1. Минтермов

2. Макстермов

3. Интернов

4. Максимумов

5. Минимумов

25. $$$ Модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

1. Изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения под действием обратного напряжения на коллекторном переходе

2. Изменение напряжения на коллекторном переходе приводящее к изменению ширины базы

3. Влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

4. Изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

5. Изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

6. Изменение толщины базы из-за влияния эмитерного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

27. $$$ Информации от излучателя к фотоприемнику может производиться с помощью:

1. диодного оптрона

2. диодно-транзисторного оптрона

3. оптоизлучателей

4. фотоизлучателей

5. резисторный оптрон

29. $$$ Напряжение отсечки полевого транзистора:

1. это значение внешнего напряжения U_ЗИ, при котором канал полностью перекрывается

2. это происходит по достижении напряжением на затворе определенного порога

3. это напряжение в цепи стока

4. это напряжение в цепи затвора

5. это значение внешнего напряжения U_ЗИ, при котором канал полностью открывается

6. это значение внешнего напряжения U_СИ, при котором канал у стока полностью открывается

7. это значение внешнего напряжения U_ЗИ, при котором канал частично открывается

32. $$$ Недостатком мостовой схемы выпрямителя является:

1. наличие четырех диодов

2. протекание тока в каждом полупериоде по двум диодам одновременно

3. наличие одного диода

4. необходимость вывода средней точки вторичной обмотки трансформатора

5. наличие двух диодов

6. отсутствие трансформатора

7. большое сопротивление

35. $$$ Получение пилообразного напряжения в генераторах обеспечивает?

1. Заряд конденсатора

2. Разряд конденсатора

3. Изменение температуры

4. Изменение амплитуды входного импульса

5. Стабилизирующие элементы

6. Уровень напряжения

7. Уровень тока

8. Уровень коммутирующего импульса 

39. $$$ Операционные усилители отличающиеся широкой полосой пропускания, высокой скоростью нарастания выходного напряжения и имеют минимально возможный коэффициент гармоник называются 

1. Быстродействующими

2. звуковыми

3. микромощными

4. прецизионными

5. универсальными

40. $$$ ООС в усилительных устройствах используется для

1. повышения стабильности усилителя;

2. получения необходимого коэффициента усиления

3. повышения коэффициента усилителя;

4. повышения размеров усилителя;

5. снижения напряжения питания;

6. уменьшения тока покоя усилителя;

41. $$$ В полупроводниках основными подвижными носителями являются?

1. Электроны

2. Дырки

3. Положительные ионы

4. Отрицательные ионы

5. Тепловой ток

42. $$$ В электронных схемах колебательный контур применяется для получения:

1. возбуждения колебания тока

2. резонанса

3. детектирования

4. модулированного сигнала

5. умножения частоты

6. усиления сигналов

43. $$$ Полупроводниковые усилители мощности подразделяются на:

1. безтрансформаторные

2. трансформаторные

3. биполярные

4. импульсные

5. полевые

6. релаксационные