- •Державний університет телекомунікацій
- •1. Предмет та задачі дисципліни, її місце в навчальному процесі.
- •2. Основні поняття хімії. Будова атома, енергетичні рівні, періодичний закон Менделєєва.
- •Енергетичні рівні електронів атомів хімічних елементів
- •Періодичний закон Менделєєва
- •3. Будова молекул, хімічні зв’язки .
- •Валентні електрони. Хiмiчнi зв’язки атомів
- •Зонна теорія твердого тіла(Енергетичні спектри)
- •Лекція № 2.
- •Тема 2. Провідникові матеріали
- •1. Класифікайія провідникових матеріалів.
- •2. Властивості металевих провідників.
- •3. Провідникові матеріали високої провідності.
- •4. Провідникові матеріали з великим питомим опором.
- •5. Спеціальні провідники (припої).
- •6. Проводи та кабелі.
- •Лекція № 3.
- •Тема 3. Резистори
- •1. Загальні відомості про резистори.
- •1.1. Призначення та конструкція резисторів
- •1.2. Класифікація резисторів.
- •2. Параметри резисторів постійного та змінного опору.
- •2.1. Основні параметри постійних лінійних резисторів
- •3. Маркування та позначення резисторів
- •Лекція № 4.
- •Тема 3. Діелектричні матеріали
- •1. Загальні відомості про діелектричні матеріали
- •Поляризація діелектриків
- •2.Органічні та неорганічні діелектрики.
- •Лекція № 6
- •Тема 5. Конденсатори
- •1.Загальні відомості про конденсатор
- •2.Параметри конденсаторів
- •3. Конструкція постійних та змінних конденсаторів
- •3.1. Постійний конденсатори
- •3.2. Конденсатори змінної ємності
- •3.3. Типи конденсаторів за видом діелектриків
- •4. Маркування конденсаторів
- •Лекція № 6
- •Тема 4. Магнітні матеріали.
- •1.Загальні відомості про магнітні матеріали
- •2. Класифікація магнітних матеріалів
- •3.Ферромагнетики.Основні властивості та характеристики.
- •4. Магнітом’які та магнітотверді матеріали. Спеціальні магнітні матеріали.
- •Лекція № 7.
- •Тема 5. Діелектричні матеріали
- •1. Загальні відомості про катушки індуктивності.
- •2. Параметри котушок індуктивності
- •3. Обмотки, осердя, екрани, каркаси котушок індуктивності
- •Типи магнітних осердь котушок індуктивності
- •Каркаси
- •Варіометри
- •Екранування котушок індуктивності.
- •Надійність котушок індуктивності
- •4. Трансформатори
- •Співвідношення струмів в первинній та вторинній обмотці
- •Трансформація опорів
- •Лекція № 8.
- •Тема 5. Напівпровідникові матеріали
- •1.Класифікація напівпровідникових матеріалів та їх властивості.
- •2. Власні і домішкові напівпровідники. Елементарні кремній, германій.
- •3.Основні та неосновні носії зарядів, їх концентрація,механізм розсіянія та рухливості. Не равновісні носії заряду та механізм рекомбінації.
- •4. Оптичні, фотоелектричні, термоелектричні явища у напівпровідниках
- •Лекція № 9. Тема. Мікромініатюризація радіо електричної апаратури
- •1.Гібридні та напівпровідникові імс
- •2.Пасивні елементи гібридних імс.
- •3. Технологія створення інтегральних схем і елементної бази гібридних імс.
Зонна теорія твердого тіла(Енергетичні спектри)
Як було зазначено вище, ізольований атом характеризується набором енергетичних рівнів (дискретним енергетичним спектром).
Речовина, яка є сукупністю атомів, має енергетичний спектр атомів (набір дискретних рівнів), у виді енергетичних зон (неперервні енергетичні спектри).
Виникнення енергетичних зон можна пояснити таким чином. Нехай деяка кількість NA однакових атомів входить до кристалічних грат. З наближенням один до одного атоми починають взаємодіяти, Їх енергетичний стан зманюється, виникає розщеплення рівнів в зонi. Замість одного рівня у окремого атома з’являється NA рівнів у всій сукупності атомів.
При розщепленні рівнів виникають три енергетичні зони — валентна зона (ВЭ), зона провідності (ЭП) та заборонена зона (ЭЭ). Зони відрізняються значенням рівнів енергіїб. В деяких випадках зони можуть перекриватися.
Валентна зона — це верхня енергетична зона, в якій знаходяться валентні електрони.
Зона провідності — с зоною дозволених значень енергії електронів провідності.
Якщо між валентною зоною та зоною провідності існує енергетичний зазор, то він відповідає зоні заборонених значень енергії. В цій зоні не існує електронів.
Відповідно із шириною заборонено зони ЛИ та пов’язаною з нею електропровідністю, речовини розподіляють на (рис .5):
- провідники, для яких ΔW33 = 0 еВ ;
- напівпровідники з ΔW33 <3 еВ;
- діелектрики з ΔW33 >3 еВ.
Рис. 5. Енергетичні зони речовини
Велика електропровідність провідників обумовлена наявністю велико кількості вільних (у межах кристала) електронів. Згідно із зонною теорією, ці електрони знаходяться в зоні провідності, де вони можуть займати дискретні, але дуже близько розміщені рiвнi таким чином, що додавання електрону незначної енергії приведе до його переходу в межах цієї зони на більш високі ревні (рис. 6 б,а).
В напівпровідниках i діелектриках (ізоляторах) на розрив зв’язку електронів з атомами необхідно витратити досить велику енергію, що відповідає наявності забороненою зони завтовшки ΔW3 (рис. 6 б).
При розриві зв’язку електрон стає вільним, тобто переходить у зону провідності, де поводить себе так, як i у металах. На мiсцi електрона, який вийшов iз ВЭ, виникає дірка. Рух дірки пов’язаний з переходом електронів на вакантні зв’язки, тобто на дозволені рiвнi у валентній зоні.
При отриманні енергії зовні електрон переходить із нижнього рівня на вищий, а дірка з високого рівня на низький. Тобто весь енергії для дірок спрямована донизу.
Рис. 6. Енергетичні рiвнi: а) провідника; б) напівпровідника та діелектрика
Агрегатний стан речовини
Речовини за в’язкістю й упорядкованістю їх, iонiв або молекул можуть мати три агрегатних стани:
— твердий;
— рідинний;
— газоподібний.
Твердий стан характеризується трьома ознаками:
— пружністю, або здатністю миттєво повертати попередню форму після зняття зовнішніх сил;
— кристалічною структурою;
— стрибкоподібною зміною характеристик при плавленні.
При повільному розплавленні i спеціальному вирощуванні отримують монокристали.
При середній швидкості охолодження — полікристали.
При швидкому охолодженні — речовини з аморфною структурою.
За природою сил хімічного зв’язку кристалічні тверді речовини розподіляють на 4-типи:
— метали та сплави (відрізняються високою електропровідністю, металічним
блиском, ковкістю);
— iоннi кристали (NaCl,KCl) — електронейтральнi, прозорі, їх електропровідність зростає з температурою);
— валентні кристали (алмаз, германій, карборунд та iншi) — в їх кристалічних гратах кількість електронів, якi оточують кожен атом гратiв, дорівнює його валентності;
— молекулярні кристали (йод, нарадiн — це слабо зв’язані агрегати молекул iз низькою температурою плавлення).
Рідинний стан характеризується визначеним об’ємом i не має своєї форми. Молекули знаходяться на близькій відстані, на якій сили взаємодії й притягання молекул значно більші ніж у газоподібному станi. Цим обумовлена наявність сил поверхневого натягання рідини, а також мала їх стискаємiсть.
Крім звичайних рідин з ізотропною структурою, зустрічаються анізотропні рідини, або рідинні кристали, якi характеризуються деякою орієнтованістю молекул.
Газоподібний стан молекул найбільш неупорядкований та структурно не сталий. Гази не мають постійного об’єму, здатні розширюватись та займати увесь об’єм, в якому вони знаходяться. З газоподібних станів найбільш розповсюдженим є плазмовий стан.