Тема 6 фотоэлектрические приборы

фотодиод, фототранзистор фототиристор, оптрон

1.ФОТОДИОД

1.1. режим генераторный

Назначение- быть источником тока, зависящего от потока света.

Схемыструктурная электрическая

Принцип действия. Кванты света создают в полупроводнике носители заряда, которые под действием поля потенциального барьера образуют ток через нагрузкуR.

Характеристики

световая вольтамперная

1.2. режим фотодиодный

Назначение- быть резистором,сопротивлениекоторого зависит отпотока света.

Схема структурная- та же, что для генераторного режима

Схема электрическая

Принцип действия- тот же, что при генераторном режиме. Приложенное в обратном направлении напряжениеЕтолько увеличивает потенциальный барьерp-n перехода.

Характеристики- те же, что при генераторном режиме.

Особенность- ток не зависит от приложенного напряжения, только от потока света.

2. ФОТОТРАНЗИСТОРЫ

Назначение- управление электрическим током посредством светового потока.

Принцип действия.Под действием света в базе образуются заряды - положительные и отрицательные. Положительные уносятся потенциалом коллекторного перехода, на их место приходят из эмиттераток через транзистор.

Схема(условное обозначение )Характеристики

3. ФОТОТИРИСТОР

Схема

Назначение- включение электрического тока световым потоком. Принцип действия Ток зарядов, созданных светом, открывает тиристор. Характеристики- те же, что одно-операционных тиристоров.

4. ОПТРОНЫ(О)

светодиод Схема

Определение О - полупроводниковый прибор, содержащий источник и приемник светового излучения, оптическисвязанные между собой. Назначение- обеспечить гальваническую развязку между цепями управляющей и управляемой.

Условные обозначения оптопар:

Д– диоднаяУ– тиристорнаяТ- транзисторнаяR- резисторная

Принцип действия

Когда через светодиод проходит ток управления, он излучает, на излучение реагирует фотоприемник в управляемой цепи: диод пропускает ток, транзистор и тиристор открываются, резистор уменьшает сопротивление.

Основные параметры

1.коэффициент передачи I_вых / I_вх

2.сопротивление изоляции 10100 Мом

При изучении этой темы следует обратиться 1.к учебнику Промислова електроніка:Підручник/ В.С.Руденко, В.Я.Ромашко, В.В.Трифонюк. – К.: Либідь, 1993. –432 с. Тема изложена на стр. 77109.

2. Специальной литературе из «Библиотеки инженера»: Основы промышленной электроники. – «Техніка», 1976. – 544 с. Тема изложена на стр. 85110.

Тема 7. Режимы работы полупроводниковых приборов (пп)

функциональный тепловой

1. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ РЕЖИМЫ