- •Учебный курс для групп эс и эСиС 02
- •Часть 1 элементы промышленной электроники
- •Промышленная электроника
- •Тема 1 введение
- •Краткие сведения по истории развития и современному состоянию электронной преобразовательной техники
- •Первая часть - элементы промышленной электроники
- •Тема 2: физика полупроводниковых приборов
- •1 . При отсутствии внешнего электрического поля
- •Силовые полупроводниковые элементы
- •Тема 3 диоды
- •Стабилитроны
- •Тема 4 транзисторы
- •В р n р потенциальный барьер нет напряжения на транзистореариант принципа действия
- •2.5. Биполярные транзисторы.
- •1. Приращение тока коллектора пропорционально изменению тока базы.
- •2. Ток коллектора почти не зависит от напряжения на коллекторе.
- •2.1. С затвором в виде p-n перехода
- •Основные параметры полевых транзисторов
- •2.6. Полевые mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) транзисторы.
- •2.3. Транзисторы биполярные с изолированным затвором igbt
- •Условное обозначение
- •2.7. Биполярные igbt (Insulated Gate Bipolar Transistor) транзисторы
- •2.9. Предельные режимы работы транзисторов.
- •Виды пробоя
- •Тема 5. Тиристоры
- •Основные параметры
- •Параметры - неизвестны, это прибор будущего.
- •2.4. Полностью управляемые gto-тиристоры.
- •Тема 6 фотоэлектрические приборы
- •Тема 7. Режимы работы полупроводниковых приборов (пп)
- •1.1. Режим усиления (возможен только у транзистора)
- •1.2. Режим ключа
- •2. Тепловые режимы
Первая часть - элементы промышленной электроники
Тема 2: физика полупроводниковых приборов
понятия, электронно-дырочный переход; потенциальный барьер
Понятия:
Полупроводник (ПП) -вещество, занимающее по электропроводности промежуточное положение между металлами и диэлектриками ( удельное сопротивление металлов -10-8 , ПП -10-5102, диэлектриков - 108Омм).
В качестве ПП чаще всего используют кремний и германий.
Донор-примесь к ПП, насыщающая его дополнительнымиэлектронами.
В качестве доноров используют мышьяк и сурьму.
ПП с примесью-донором называется ПП n - типа.
Акцептор - примесь к ПП, насыщающая его дополнительными положительными зарядами - «дырками».
ПП с примесью - акцептором называется ПП p - типа.
Ток дрейфа - перемещение зарядов (электронов или дырок) под действиемэлектрического поля.
Ток диффузии- перемещение зарядов под действиемразности концентраций.
Электронно-дырочный переход -граница междур и n- слоями в ПП элементе.
Основные носители –длярслоя - дырки, дляnслоя – электроны.
Неосновные носители –длярслоя -электроны, дляnслоя – дырки.
ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОМ ПЕРЕХОДЕ
1 . При отсутствии внешнего электрического поля
- в результате диффузии электроны перешли через границу и сконцентрировались вблизи нее вр- области;
-в результате диффузии дырки перешли через границу и сконцентрировались вблизи нее в n- области ;
-концентрации дырок и электронов создали потенциальный барьер.
Математическая модель:
Вольт-амперная характеристика I=I0[exp(U/)-1],
Где I– ток через переход, А,
I0– обратный токp-nперехода, образованный неосновными носителями, А.
Еще название – тепловой ток.
U– напряжение, приложенное кp-nпереходу, В.
- контактная разность потенциалов, 0,025 В.
2. При внешнем электрическом поле U прямого направления (р +, n -)
Внешнее полеразрушает потенциальный барьер.
если поле меньше потенциального барьера или равно ему, ток через электронно-дырочный переход не идет;
если поле больше потенциального барьера, через переход идет ток, пропорциональный разнице поля и барьера
При U0,1 В , i≈ (U-)/R.
3. При внешнем электрическом полеобратного направления (n+, p-)внешнее поле увеличивает потенциальный барьер на величину поля.
Существует максимально возможное значениепотенциального барьера. Оно имеет место, когда слои насытились зарядами (слойр отрицательными, слойnположительными). Тогда:
если внешнее поле меньше или равно барьеру, ток через него не идет,
если внешнее поле больше барьера, происходит электрический пробой:через переход течет ток, обусловленный разностью поля и барьера и сопротивлением внешней цепиI=I0.
Из п.2 и п.3 следует, что характеристики электронно - дырочного перехода
в первом приближении вовтором приближении
При изучении этой темы следует обратиться к учебнику Промислова електроніка:Підручник/ В.С.Руденко, В.Я.Ромашко, В.В.Трифонюк. – К.: Либідь, 1993. –432 с. Тема изложена на стр. 412.