- •Методична розробка для виконання практичних робіт з предмету «Основи електроніки і мікроелектроніки»
- •5.05080202 „Виробництво електронних та електричних засобів автоматизації”
- •Практична робота №1
- •1.1 Завдання
- •1.2 Приклад виконання
- •Практична робота №2
- •2.1 Завдання
- •2.2 Теоретичні відомості
- •Призначення транзисторів:
- •2.3 Приклад розрахунку
- •Список використаних джерел
1.2 Приклад виконання
Вихідні дані:
Uвих = 10В;
Івих =10мА;
авх=ввх =10 %;
авих=ввих=0,5 %;
с=d=50%
Користуючись довідником вибираємо тип стабілітрона, ґрунтуючись на заданому значенні Івих, Uвих, Вибираємо із довідника стабілітрон Д810 з параметрами:
Uст=9÷10,5В,
Іст.ном=5мА,
Іст.мах=26 мА,
Іст.міп=3мА,
Rд=12 Ом (диференціальний опір).
1. Визначаємо необхідне значення коефіцієнта стабілізації:
2. Знаходимо максимальне значення коефіцієнта стабілізації:
Кст.мах повинен перевищувати необхідний Кст не менше, ніж у 1,3÷1,5 рази.
3. Визначаємо необхідне значення напруги на вході стабілітрона:
= ;
=
4. Знаходимо Rб:
Rб = .
Користуючись довідником обираємо опір резистору з ряду: Rб = 560Ом
5. Знаходимо Іст.мах:
Необхідно, щоб виконувалась умова:
Iст.мах ≤ Iст.мах доп
23,3 мА<26 мА
6. Визначаємо потужність, яка розсіюється на резисторі Rб:
РRб = (Iвих + Iст. мах)2 · Rб = [(10 +23,3) · 10-3]· 560 = 0,53 Вт.
7. Обираємо резистор Rб типу С2 – 23 – 1- 560 Ом
Практична робота №2
Тема: транзистор як активний чотирьохполюсник.
Мета: навчитись визначати основні параметри біполярного транзистора.
2.1 Завдання
1 Навести схему ввімкнення транзистора як активного чотирьохполюсника (рис.2.1).
2. Виписати вихідні дані із таблиц 2.1.
Таблиця 2.1 – вихідні дані для розрахунку параметрів біполярного транзистора
Варіант |
Ек, В |
ΔІБ, мА |
Rн, Ом |
Тип транзистора |
1 |
20 |
0,1 |
400 |
КТ104В |
2 |
12 |
0,1 |
400 |
КТ201Д |
3 |
20 |
0,1 |
5000 |
КТ203А |
4 |
15 |
0,05 |
500 |
КТ312А |
5 |
20 |
0,2 |
500 |
КТ361Е |
6 |
15 |
0,2 |
375 |
КТ603В |
7 |
25 |
0,2 |
500 |
КТ104В |
8 |
14 |
0,05 |
400 |
КТ201Д |
9 |
25 |
0,2 |
5000 |
КТ203А |
10 |
15 |
0,1 |
375 |
КТ312А |
11 |
25 |
0,4 |
667 |
КТ361Е |
12 |
20 |
0,1 |
500 |
КТ603В |
13 |
30 |
0,1 |
600 |
КТ104В |
14 |
16 |
0,1 |
400 |
КТ201Д |
15 |
30 |
0,1 |
10000 |
КТ203А |
16 |
20 |
0,2 |
500 |
КТ312А |
17 |
30 |
0,2 |
1000 |
КТ361Е |
18 |
25 |
0,1 |
500 |
КТ603В |
19 |
30 |
0,2 |
500 |
КТ104В |
20 |
18 |
0,05 |
900 |
КТ201Д |
21 |
35 |
0,2 |
10000 |
КТ203А |
22 |
20 |
0,05 |
800 |
КТ312А |
23 |
30 |
0,4 |
750 |
КТ361Е |
24 |
30 |
0,2 |
1000 |
КТ603В |
25 |
35 |
0,1 |
700 |
КТ104В |
3. За даними для заданого типу транзистора, ввімкненого по схемі з загальним емітером ЗЕ. Побудувати навантажувальну пряму та визначити:
- робочу точку;
вхідний опір h11;
коефіцієнт зворотнього звязку h12;
коефіцієнт підсилення за струмом h21;
вихідну провідність h22;
коефіцієнт підсилення за струмом К1, за напругою КU, за потужністю КР.
Зробити висновки про техніко-економічні переваги і недоліки кожної схеми ввімкнення транзистора (ЗК, ЗБ, ЗЕ).