Схемы включения полевых транзисторов.

Error: Reference source not foundError: Reference source not foundError: Reference source not found

Рис. 6. Рис. 7. Рис. 8.

Статистические характеристики полевых транзисторов.

Различают выходные (стоковые) вольтамперные характеристики полевых транзисторов .

Error: Reference source not found

Рис. 9.

При ; токрастет почти линейно. Однако с возрастанием токаувеличивается падение напряжения на канале, повышается обратное смещение для p-n переходов, что ведет к сужению канала и замедляет рост токанапряжениепри котором происходит насыщение наз. Напряжения

Зависимость получила названиестокозатворнойхарактеристики.

Error: Reference source not found

Рис. 10.

Основные параметры полевых транзисторов.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

1). Крутизна характеристики.

.

Характеризует усилительные свойства тр-ра.

2). Дифференциальное сопротивление

;

3). Статистический коэффициент усиления

;

4). Входное сопротивление

.

Четырехслойные полупроводниковые приборы (тиристоры).

Тиристоры относятся к классу 4х слойных полупроводниковых приборов состоящих из четырех последовательно чередующихся областей с проводимостью p и n –типа.

Диодный тиристор- имеет вывод от двух крайних областей

Рис. 11.

Триодный тиристор в отличие от динистора имеет еще и управляющий электрод.

В этих структурах крайние электронно-дырочные переходы называются эмиттерами, средний переход -коллекторным. Внутренние области n-p

называются базами. Электрод связанный с внешней р- областью называетсяАнодом, а с n-областьюкатодом. Из схемы включения динистора видно, что коллекторный переход заперт обратным напряжением источника Е.

Типовая вольт-амперная характеристика динистора приведена на рисунке.

Error: Reference source not found

Рис. 12.

Для области Оа характерно то, что значительный рост напряжения сопровождается малым ростом тока.

Область аб – область лавинного пробоя. Участок бв – область отрицательного сопротивления, на котором рост тока сопровождается уменьшением напряжения.

Динистор характеризуется 2 устойчивыми состояниями ( Оа и вг) наличие которых позволяет использовать прибор в качестве мощного переключающего элемента в различных устройствах автоматики.

Для анализа работы тиристоров представим его в виде двух транзисторов.

Причем:

Error: Reference source not found

Рис. 13.

При увеличении Э.Д.С. источника инжектированные одним из эмиттеров основные носители зарядов пересекают область , где они не являются основными частично рекомбинировая в ней.

Нерекомбинировавшиеся носители проходят через коллекторный переход и, оказавшись в области, для которой они являются основными т.е. в слое базы сопряженного транзистора, понижают высоту потенциального барьера, способствуя инжектированию зарядов из второго эмиттера, что ведет к увеличению общего тока прибора.

Переход структуры p-n-p-n из непроводящего состояния в проводящее можно вызвать не только внешним напряжением, но и увеличением напряжения в одном из эквивалентных транзисторов. Для этого в тиристоре от одной из баз делают вывод (управляющий электрод). Меняя ток управляющего электрода можно регулировать напряжение переключения, а следовательно управлять работой прибора.

Error: Reference source not found

Рис. 14.