1 При t  0 сопротивление конденсатора хс  0.

2 При t   (t > 5 ) сопротивление конденсатора Х_С  .

3 На начальном участке выходной сигнал представляет собой интеграл от входного воздействия.

Пусть ключ SW переключился в положение 2. Конденсатор С, предварительно заряженный до напряжения Е, разряжается на сопротивление R . В этом случае можно записать U_R + U_C = 0;

После решения дифференциального уравнения получим:

U_c = -U_R =E *exp(- t/); i = - (E/R) *exp(- t/).

16. Электронно-дырочный переход и его свойства.

Электронно-дырочным или p-n-переходом называется область, разделяющая полупроводник на две части с разнотипной проводимостью.

Явления, происходящие в электронно-дырочным переходе, лежат в основе работы большинства полупроводниковых приборов.

Пусть на границе раздела (сечение х₀ ) тип примесей резко изменяется, причем p_p >> p_n , а n_n >> n_p.

Из-за различия в концентрации носителей зарядов возникает диффузионный ток электронов из n – области в р – область (поток 1) и диффузионный ток дырок из р – области в n – область (поток 2). Кроме этого тока через границу раздела полупроводников возможен ток неосновных носителей поток 3 и 4. Вследствие существенного различия в концентрациях основных и неосновных носителей ток основных носителей заряда преобладает над током неосновных носителей

Уход электронов из приконтактной n- области приводит к уменьшению их концентрации. Возникает нескомпенсированный положительный заряд. Аналогично в p -области вследствие ухода дырок их концентрация снижается и возникает нескомпенсированный отрицательный заряд. На границе областей n - и p -типа образуются два слоя противоположных по знаку зарядов. Область этих зарядов называется p-n переходом.

Пространственные заряды образуют внутреннее электрическое поле, которое является тормозящим для основных носителей зарядов и ускоряющим для неосновных. Теперь любой электрон, проходящий из области n в область p , попадает в электрическое поле, которое возвращает его обратно. Аналогично дырки возвращаются в область p . Таким образом, исключается выравнивание концентрации носителей заряда.

Неосновные носители заряда, совершая хаотическое движение, могут попасть в область p-n перехода. В этом случае ускоряющее поле вытолкнет их за пределы перехода.

Некоторое количество основных носителей заряда в каждой из областей полупроводника обладает энергией, достаточной для преодоления поля перехода. Возникает незначительный диффузионный ток, имеющий дырочную ( J_pдиф ) и электронную ( J_nдиф ) составляющие. Кроме того, через p-n переход беспрепятственно проходят неосновные носители зарядов, которые образуют дрейфовый ток, имеющий дырочную ( J_pдр ) и электронную ( J_nдр ) составляющие.

Направление дрейфового тока неосновных носителей заряда противоположно направлению диффузионного тока основных носителей.

В статическом режиме устанавливается динамическое равновесие, когда диффузионный и дрейфовый потоки зарядов через p-n переход компенсируют друг друга: J_pдиф + J_nдиф - J_pдр - J_nдр=0.