Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электропитание устройств / заочникам ЭПУСТК / ЭПУ РЭС / МУ по самостоятельной работе.doc
Скачиваний:
131
Добавлен:
28.03.2016
Размер:
1.65 Mб
Скачать

Приложение 2

Полупроводниковые приборы.

Таблица П2.1

Параметры диодов.

Тип диода или сборки

Iпрmax (Iпр,u max), A

Iобрmax, мкА

Uобр max, В

Uпрmax, В

tв, мкс

2Д212А

1(50)

50

100

1

0,3

2Д213А

10(100)

200

200

1

0,3

2Д220А

3(60)

45

400

1,2

0,5

2Д231А

10(150)

50

150

1

0,05

2Д237А

1(3)

5

100

1,3

0,05

2Д239А

20(80)

20

100

1,4

0,05

2Д245А

10(100)

100

400

1,4

0,07

2Д251А

10(150)

50

50

1

0,05

2Д2990А

20(66)

100

600

1,4

0,15

2Д2995А

25(75)

10

50

1,1

0,05

Таблица П2.2

Параметры мощных биполярных транзисторов.

Тип транзистора

Электрические параметры

Предельные эксплуатационные данные

fГ, МГц

не менее

h21Э

UКН,В не более

tвкл, мкс

tвыкл, мкс

IКо, mA

IКmax

(IКumax),A

UКЭmax, B

UЭБmax, B

PКmax, Вт

n-p-n

2Т506А

10

30…150

0,6

0,25

2

1

2(5)

300

5

10

КТ809А

5

15…10

1,5

0,3

3,3

3

3(5)

400

4

50

КТ840А

8

10…100

3

0,2

4,1

3

6(8)

400

60

КТ908А

30

8…60

1,5

0,3

2,9

25

10

100

5

50

2Т803А

30

18…80

2,5

0,3

0,4

1

10

60

4

60

2Т831А

4

25…200

0,6

0,8

2

0,1

2(4)

25

12

5

2Т841А

10

12…45

1,5

0,1

1,7

3

10(15)

350

5

50

2Т861А

10

40…160

0,35

0,1

1

0,1

2(4)

80

5

10

2Т862А

20

10…100

2

0,4

1,25

5

15(30)

250

5

70

2Т866А

25

15…100

1,5

0,05

0,45

25

20(20)

100

4

30

2Т867А

25

12…100

1,2

0,8

1,7

3

25(40)

200

7

100

2Т874А

20

15…50

1

0,6

0,7

3

30(50)

100

5

75

2Т875Г

20

40…160

0,5

0,12

0,4

3

10(15)

90

5

50

2Т878А

10

12…50

1,5

0,4

2,5

3

30

800

6

100

2Т879А

10

>20

1,8

0,35

1,2

3

50(75)

200

6

250

2Т881А

>30

80…250

0,35

0,08

0,6

0.2

2(4)

100

4,5

5

2Т885Б

15

>12

2,5

0,5

2

1

40(60)

500

5

150

2Т891А

12

>20

2

0,3

1

2

40(60)

250

7

150

p-n-p

1Т905А

30

35…100

0,5

0,2

4,3

2

3(7)

65

6

2Т830А

4

25…55

0,6

0,8

2

0,1

2(4)

25

12

5

2Т836А

4

20

0,6

0,6

1,6

0,1

3(4)

80

5

5

2Т842А

20

15

1,8

0,2

1,5

1

5(8)

250

5

50

2Т876А

20

80…250

0,5

0,25

1

10(15)

60

5

50

2Т883А

20

25

1,8

0,4

5,7

0,1

1(2)

250

5

10

ГТ906А

20

30…150

0,5

1

5

8

10

75

1,4

15

2Т880А

30

80…250

0,35

0,08

0,6

0,2

2(4)

100

4,5

5

2Т836А-С

30

20…50

0,45

0,4

1

3(4)

90

5

5

Таблица П2.3

Параметры интегральных микросхем стабилизаторов напряжения

Тип микросхемы

Uвх, B (min…max)

Uвых, B (min…max)

Ku, %/B Не более

Ki, %/A Не более

K,дБ На 1кГц

Не более

,%/оС, не более

IвыхmaxA

Ppacc,Втбез тепло отв./ с тепл отв.

Iп, мА

Uпд, B. Не более

Схема включения (номер рисунка)

К142ЕН1А

9…20

3…12

0,5

0,5

-

0,01

0,15

0,7/0,8

4

4

6.5, 6.7

К142ЕН1Б

9…20

3…12

0,2

0,2

-

0,01

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН1В

9…20

3…12

0,8

2,0

-

0,05

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН1Г

9…20

3…12

0,8

1,0

-

0,05

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН2А

20…40

12…30

0,5

0,5

-

0,01

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН2Б

20…40

12…30

0,2

0,2

-

0,01

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН2В

20…40

12…30

0,8

2,0

-

0,05

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН2Г

20…40

12…30

0,8

1,0

-

0,05

0,15

0,7/0,8

4

4



К142ЕН3

9…45

3…30

0,05

0,25

-

0,01

1

1,4/4

10

3

6.8

К142ЕН4

9…45

3…30

0,05

0,25

-

0,01

1

1,4/4

10

4



К142ЕН5А

7,5…15

4,9…5,1

0,05

1

70

0,02

3

1,2/10

10

2,5



К142ЕН5Б

8,5…15

5,88…6,12

0,05

1

70

0,02

3

1,2/10

10

2,5

6.1, 6.3 (+Вход17, Выход2, общий8)

К142ЕН5В

7,5…15

4,9…5,1

0,05

1

70

0,02

2

1,2/10

10

2,5



К142ЕН5Г

8,5…15

5,88…6,12

0,05

1

70

0,02

2

1,2/10

10

2,5



КР142ЕН5А

7,5…15

4,9…5,1

0,05

2

60

0,03

3

1,2/10

10

2,5



КР142ЕН5Б

8,5…15

5,88…6,12

0,05

2

60

0,03

3

1,2/10

10

2,5



КР142ЕН5В

7,5…15

4,82…5,18

0,05

2

60

0,03

2

1,2/10

10

2,5



КР142ЕН5Г

8,5…15

5,8…6,2

0,05

2

60

0,03

2

1,2/10

10

2,5



Тип микросхемы

Uвх, B (min…max)

Uвых, B (min…max)

Ku, %/B Не более

Ki, %/A Не более

K,дБ На 1кГц

Не более

,%/оС, не более

IвыхmaxA

Ppacc,Втбез тепло отв./ с тепл отв.

Iп, мА

Uпд, B. Не более

Схема включения (номер рисунка)

142ЕН8А

11,5…35

8,73…9,27

0,05

0,67

40

0,02

1,5

-/9

10

2,5

6.1, 6.3 (+вход17, выход –2, общий8)

142ЕН8Б

14,5…35

11,64…12,36

0,05

0,67

40

0,02

1,5

-/9

10

2,5



142ЕН8В

17,5…35

14,55…15,45

0,05

0,67

40

0,02

1,5

-/9

10

2,5



К142ЕН8АКР142ЕН8А

11,5…35

8,73…9,27

0,05

1

30

0,03

1,5

-/9

10

2,5



К142ЕН8Б

КР142ЕН8Б

14,5…35

11,64…12,36

0,05

1

30

0,03

1,5

-/9

10

2,5



К142ЕН8ВКР142ЕН8В

17,5…35

14,55…15,45

0,05

1

30

0,03

1,5

-/9

10

2,5



К142ЕН8ГКР142ЕН8Г

11,5…35

8,64…9,36

0,1

1,5

30

0,04

1,5

-/9

10

2,5



К142ЕН8ДКР142ЕН8Д

14,5…35

11,52…12,48

0,1

1.5

30

0,04

1,5

-/9

10

2,5



К142ЕН8ЕКР142ЕН8Е

17,5…35

14,4…15,6

0,1

1,5

30

0,04

1,5

-/9

10

2,5



142ЕН9А

23…45

19,6…20,4

0,05

0,67

30

0.02

1,5

 

10

2,5



142ЕН9Б

27…45

23,52..24,48

0,05

0,67

30

0,02

1,5

 

10

2,5



142ЕН9В

30…45

26,46..27,54

0,05

0,67

30

0,02

1,5

 

10

2,5



К142ЕН9А

23…45

19,6…20,4

0,05

1

30

0,03

1,5

 

10

2,5



К142ЕН9Б

27…45

23,52..24,48

0,05

1

30

0,03

1,5

 

10

2,5



К142ЕН9В

30…45

26,46..27,54

0,05

1

30

0,03

1,5

 

10

2,5



К142ЕН9Г

23…45

19,4…20,6

0,01

1,5

30

0,04

1,5

 

10

2,5



Тип микросхемы

Uвх, B (min…max)

Uвых, B (min…max)

Ku, %/B Не более

Ki, %/A Не более

K,дБ На 1кГц

Не более

,%/оС, не более

IвыхmaxA

Ppacc,Втбез тепло отв./ с тепл отв.

Iп, мА

Uпд, B. Не более

Схема включения (номер рисунка)

К142ЕН9Д

27…45

23,28..24,72

0,01

1,5

30

0,04

1,5

 

10

2,5

6.1, 6.3 (+вход17, выход –2, общий8)

К142ЕН9Е

30…45

26,19..27,81

0,01

1,5

30

0,04

1,5

 

10

2,5



142ЕН10

9…40

3…30

0,05

1

40

0,01

1

-/5

7

2,5

6.2 (-вход8, выход13, общ2,рег4)

142EH11

5…45

1,2…37

0,02

0,33

50

0,02

1,5

-/8

7

3,5

6.3 (-вход8, выход17 соед. с рег.11; общ.2)

KP142EH12A

5..45

1,3…37

0,01

0,2

70

0,02

1

1/10

7

3,5

6.3 (+вход17, выход2, общ.8)

KP142EH12Б

5…45

1,3…37

0,03

0,2

70

0,02

1

1/10

7

3,5



K142EH14

9,5…40

2…37

0,018

4

 

0,01

0,15

0,8/-

4

2,5

6.9…6.13

КР142ЕН17А

5…25

4,3…4,7

0,03

20

80

0,03

0,04

0,25/-

2

0,3

6.1, 6.3

КР142ЕН17Б

5…25

4,75…5,25

0,1

20

80

0,03

0,04

0,25/-

2

0,3



КР142ЕН18А

5…30

1,2…26,5

0,03

0,03

60

0,02

1

1/8

 

3,5

6.3 ( -вход8, выход2, общ17)

Тип микросхемы

Uвх, B (min…max)

Uвых, B (min…max)

Ku, %/B Не более

Ki, %/A Не более

K,дБ На 1кГц

Не более

,%/оС, не более

IвыхmaxA

Ppacc,Втбез тепло отв./ с тепл отв.

Iп, мА

Uпд, B. Не более

Схема включения (номер рисунка)

КР142ЕН18Б

5…30

1,2…26,5

0,03

0,03

60

0,02

1,5

1/8

 

3,5



КР11575А

7…35

4,9…5,1

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2

6.1, 6.3 (+вход17, вых.2, общ.8)

КР11575Б

7…35

4,8…5,2

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР11575В

7,5…30

4,9…5,1

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР11575Г

7,5…30

4,8…5,2

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР11579А

11…35

8,88…9,18

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР11579Б

11…35

8,64…9,36

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР11579В

11,5…30

8,88…9,18

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР11579Г

11,5…30

8,64…9,36

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5

6.1, 6.3 (+вход17, вых.2, общ.8)

КР115712А

14…35

11,76…12,24

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115712Б

14…35

11,52…12,48

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115712В

14,5…30

11,76…12,24

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115712Г

14,5…30

11,52…12,48

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115715А

17…35

14,7…15,3

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115715Б

17…35

14,4…15,6

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115715В

17,5…35

14,7…15,3

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115715Г

17,5…35

14,4…15,6

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115718А

20…40

17,64…18,36

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115718Б

20…40

17,28…17,72

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



Тип микросхемы

Uвх, B (min…max)

Uвых, B (min…max)

Ku, %/B Не более

Ki, %/A Не более

K,дБ На 1кГц

Не более

,%/оС, не более

IвыхmaxA

Ppacc,Втбез тепло отв./ с тепл отв.

Iп, мА

Uпд, B. Не более

Схема включения (номер рисунка)

КР115718В

20,5…35

17,64…18,36

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115718Г

20,5…35

17,28…17,72

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115724А

26…40

23,52…24,48

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115724Б

26…40

23,04…24,96

0,05

0,01

 

0,02

0,1

0,6/1,3

5

2



КР115724В

26,5…40

23,52…24,48

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР115724Г

26,5…40

23,04…24,96

0,05

0,04

 

0,02

0,25

0,6/3

5

2,5



КР1162ЕН5А

7,5…35

4,9…5,1

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5

6.1, 6.3 (-вход8, вых2, общ17)

КР1162ЕН5Б

7,5…35

4,8…5,2

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН6А

8,5…35

5,88…6,12

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН6Б

8,5…35

5,76…6,24

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН9А

11,5…35

8,88…9,12

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН9Б

11,5…35

8,64…9,36

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН12А

14,5…35

11,76…12,24

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН12Б

14,5…35

11,52…12,48

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5

6.1, 6.3 (-вход8, вых2, общ17)

КР1162ЕН15А

17,5…35

14,7…15,3

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН15Б

17,5…35

14,4…15,6

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН18А

20,5…35

17,64…18,36

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН18Б

20,5…35

17,28…18,72

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН24А

26,5…40

23,52…24,48

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



Тип микросхемы

Uвх, B (min…max)

Uвых, B (min…max)

Ku, %/B Не более

Ki, %/A Не более

K,дБ На 1кГц

Не более

,%/оС, не более

IвыхmaxA

Ppacc,Втбез тепло отв./ с тепл отв.

Iп, мА

Uпд, B. Не более

Схема включения (номер рисунка)

КР1162ЕН24Б

26,5…40

23,04…24,96

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН27А

29,5…40

26,46…27,54

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5



КР1162ЕН27Б

29,5…40

25,92…28,08

0,11

1,3

 

0,02

1,5

1,5/10

8

2,5

