Экспериментальная часть

Схема измерения статических вольт-амперных характеристик полупроводниковой

n-p-n структуры (n-p-n транзистора) показана на рис.6.

Рис.6. Принципиальная схема измерения статических вольт-амперных характеристик n-p-n транзистора, включенного по схеме с общей базой (а) и по схеме общий эмиттер (б)

Задание

1. Собрать схему для исследования полупроводниковой n–p–n структуры (n–p–n транзистора) при включении с общей базой (рис.6, а).

2. Снять семейство входных (эмиттерных) характеристик U_Э = f (I_Э) для нескольких U_K.

3. Снять семейство выходных (коллекторных) характеристик I_K = f (U_K) для нескольких I_Э.

Вопросы для подготовки

1. Нарисуйте энергетические диаграммы p–n–p и n-p-n полупроводниковых структур.

2. Покажите, какие изменения происходят на энергетической диаграмме полупроводниковой n-p-n структуры при включении эмиттерного и коллекторного переходов в прямом и обратном направлениях соответственно.

3. Из каких компонент состоит ток через эмиттерных переход?

4. Что такое инжекция?

5. Какие процессы происходят в базе ?

6. Из каких компонент состоит ток базы ?

7. Нарисуйте основные вольт-амперные характеристики n–p–n транзистора при включении с общей базой .

8. Нарисуйте основные вольт-амперные характеристики транзистора с общим эмиттером.

9. Что такое ток I_К0 и каковы причины его возникновения ?

10. Из каких компонент состоит ток через коллекторный переход ?

11. Почему изменяется ширина базы и к каким последствиям приводит это явление ?

Литература

1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Госэнергоиздат, 1963, гл. 4,5.

2. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат. 1990, 576с.

3. Морозова И.Г. Физика полупроводниковых приборов. М.: Атомиздат, 1980. 392 с.

4. Маллер Р и др. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989. 500 с.

5. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая шк.,1989 г.