Экспериментальная схема исследования

На рис.3 показан схем для снятия вольтамперных характеристик полевого транзистора с управляющим p–n переходом с каналом n–типа.

Рис.3. Схема для изучения вольтамперных характеристик полевого транзистора с управляющим p–n переходом и каналом n–типа

Задание

1. Собрать схему, представленную на рис.3.

2. Снять стоковые характеристики I_c = f (V_c) при нескольких заданных напряжениях на затворе V_з, в том числе при V_з=0.

3. Снять стокзатворную характеристику I_c = f (V_з) при нескольких заданных напряжениях на стоке.

Обработка результатов измерений

1. По стоковой характеристике I_c = f (V_c) определить:

2. напряжение насыщения стока U_cн;

3. ток насыщения I_cн при V_з = 0 и V_c = U_cн ;

4. выходное сопротивление при V_з =0 и V_c > U_cн; R_вых = DV_c/ DI_c .

5. По стокзатворной характеристике I_c = f (V_з) определить:

6. напряжение отсечки V_отс-;

7. максимальную крутизну S = DI_c/DV_з при V_c = U_cн .

Вопросы для подготовки

1. Нарисуйте простейшую структуру полевого транзистора с управляющим p–n переходом с каналом n-типа.

2. Каково распределение объемного заряда в канале при изменении напряжения на стоке и V_з = 0 ? Как выглядит соответствующая этому случаю характеристика I_c = f (V_c) ?

3. Что такое напряжение насыщения ?

4. Как зависит напряжение насыщения от напряжения на затворе ?

5. Нарисуйте распределение объемного заряда в канале при V_c = 0 для различных напряжений на затворе.

6. Что такое напряжение отсечки ?

7. Нарисуйте стокзатворную характеристику.

Литература

1. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1990.

2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1980.

3. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высш. Шк., 1991.