- •Основи електроніки та мікросхемотехніки
- •2.1. Тематичний план навчальної дисципліни
- •1. Електронно-дірковий перехід та його властивості.
- •1.1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.2. Носії заряду в напівпровіднику.
- •1.3. Електронно-дирочний перехід
- •2. Напівпровідникові діоди.
- •2.1. Класифікація напівпровідникових діодів
- •2.2. Параметричні стабілізатори
- •3. Біполярні транзистори
- •3.1 Побудова та принцип дії
- •3.2 Схеми включення біполярних транзисторів
- •3.3 Статичні характеристики біполярних транзисторів
- •3.4. Характеристики транзистора, включеного по схемі зб
- •3.5. Характеристики транзистора, включеного по схемі зе
- •3.6. Основні параметри
- •3.7. Режими роботи біполярних транзисторів
- •3.8. Область застосування
- •3.9. Простий підсилювальний каскад на біполярному транзисторі
- •3.10. Розрахунок електричних ланцюгів з біполярними транзисторами
- •4. Польові транзистори
- •4.1. Побудова та основні види польових транзисторів
- •4.2. Резисторний каскад із спільним витоком
- •4.3. Резисторний каскад із спільним затвором
- •4.4. Резисторний каскад із спільним стоком
- •5. Підсилювальні каскади
- •5.2. Класифікація підсилювальних пристроїв
- •5.3. Технічні показники підсилювачів
- •5.6. Амплітудно-частотна, фазочастотна і перехідна характеристики
- •5.7. Спотворення підсилювача
- •5.8. Основні визначення зворотного зв'язку
- •6. Операційні підсилювачі.
- •6.1. Параметри і характеристики операційних підсилювачів
- •6.2.Характеристики операційного підсилювача
- •6.3. Функціональні пристрої на операційних підсилювачах
- •6.3.1. Інвертуючий підсилювач
- •6.3.2. Неінвертуючий підсилювач.
- •7. Аналогові логічні елементи
- •7.1. Основні теоретичні відомості
- •8. Фільтри
- •8.1. Загальні відомості про електричні фільтри
- •8.2. Активні фільтри
- •8.2.1. Компаратор. Тригер Шмітта
- •9. Диференціатори
- •10. Інтегратор
- •Контрольні запитання для перевірки знань та вмінь модуля 1
- •Основна рекомендована лiтература
- •Додаткова література
4. Польові транзистори
4.1. Побудова та основні види польових транзисторів
Польвими транзисторами (ПТ) називаються напівпровідникові прибори для керування струмом яких використовується залежність електричного опіру струмопровідного шару від напруги електричного поля.
Шар напівпровідника, в якому регулюється поток носіїв заряду, називається каналом. Електричне поле яке впливає на опір каналу створюється за допомогою розташованого над каналом металевого електрода називається затвором. Напруга яка подається на затвор (електрод що керує)регулює опір каналу, змінює силу струму, який протікає у зовньошньому колі. Електрод, з якого носії входять в канал, називається істоком. Електрод, через який носії уходять з каналу, називається стоком.
В залежності від спосібу ізоляції між затвором та каналом розрізняють наступні типи польових транзисторів:
-
польові транзистори з керуючим переходом (ізоляція затвора від канала відбувається збіднілим шаром p-n перехіду;
-
транзистори з металево напівпровідниковим затвором або затвором Шотткі;
-
транзистори з ізольованим затвором (МДН- або МОН- транзистори) затвор ізольован від каналу шаром діелектрика.
Умовне позначення польових транзисторів наведено у таблиці 4.1.
Таблиця 4.1
Умовні позначення і вольт-амперні характеристики польових транзисторів
№ п/п |
Найменування |
Умовне позначення |
Наскрізні вольт-амперні характеристики |
11. |
2. |
3. |
4. |
1 |
ПТз управляючим p-n-переходом і каналом n-типу |
С
З В
|
|
2 |
ПТ з управляючим p-n-переходом і каналом р-типу |
С
З В
|
Ic Uзв
відс 0 |
3 |
МДП ПТ з ізольованим затвором і вбудованим каналом n-типу |
З С В П |
Ic 0 Uзв
відс Uзв
Режим
збагачення Режим
збіднення |
4 |
МДП ПТ з ізольованим затвором і вбудованим каналом р-типу |
З С В П |
Ic 0 Uзв
відс Uзв
Режим
збагачення Режим
збіднення |
5 |
МДП тетрод з ізольованим затвором і вбудованим каналом n-типу (двозатворний ПТ)
|
З1 С В П З2 |
Ic 0 Uзв1 Uзв2
= const |
6 |
МДП ПТ з ізольованим затвором і індукованим каналом n-типу
|
З С В П |
Ic
0 Uпор |
1 |
2 |
3 |
4 |
7 |
МДП ПТ з ізольованим затвором і індукованим каналом р-типу |
|
З С В П Ic Uзв 0 Uпор |