Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекции электроники_Гулак_Чунарьова_последний_ва....doc
Скачиваний:
156
Добавлен:
02.12.2018
Размер:
2.9 Mб
Скачать

2.1. Тематичний план навчальної дисципліни

№ пор.

№ пор.

Назва теми

Обсяг навчальних занять (год.)

Всього

Лекції

Лабора

торні заняття

СРС

1

2

3

4

5

6

7

Модуль №1 «Електроніки»

1

1.1

Вступ. Напівпровідникові діоди.

6

2

2

2

2

1.2

Біполярні транзистори, тиристори.

18

2

10

6

3

1.3

Польові транзистори, побудова підсилювальних каскадів.

3

2

1

4

1.4

Аналогові логічні елементи.

3

2

1

5

1.5

Операційні підсилювачі.

8

2

2

4

6

1.6

Характеристичні параметри електричних фільтрів.

3

2

1

7

1.7

Побудова та основні характеристики фільтрів n-порядку.

3

2

1

8

1.8

Схеми та принцип роботи диференціаторів та інтеграторів

8

2

3

3

12

1.9

Модульна контрольна робота №1

2

1

 1

Всього за модулем №1

54

17

17

20

Всього за 3 семестр

54

17

17

20

Усього за навчальною дисципліною

54

17

17

20

1. Електронно-дірковий перехід та його властивості.

1.1. Електричні властивості напівпровідників

До напівпровідників відносяться речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками. Їх питома електрична провідність лежить у межах від 10-8 до 105 див/м и в відмінність від металів вона зростає з ростом температури.

Напівпровідники являють собою досить численну групу речовин. До них відносяться хімічні елементи: германій, кремній, бор, вуглець, фосфор, сірка, миш'як, селенів, сіре олово, телур, йод, деякі хімічні сполуки і багато органічних речовин.

В електроніці знаходять застосування обмежена кількість напівпровідникових матеріалів. Це насамперед кремній, германій, і арсенід галію. Ряд речовин, таких як бор, миш'як, фосфор використовуються як домішки.

Застосовувані в електроніці напівпровідники мають дуже зроблену кристалічну структуру. Їхні атоми розміщені в просторі в строго періодичній послідовності на постійних відстанях друг від друга, утворити кристалічні ґрати. Ґрати найбільш розповсюджених в електроніці напівпровідників - германія і кремнію - мають структуру алмазного типу. У таких ґратах кожен атом речовини оточений чотирма такими ж атомами, що знаходяться у вершинах правильного тетраедра.

Кожен атом, що знаходиться в кристалічних ґратах, електричний нейтральний. Сили, що утримують атоми у вузлах ґрат, мають квантовомеханічний характер; вони виникають за рахунок обміну взаємодіючих атомів валентними електронами. Подібний зв'язок атомів зветься ковалентного зв'язку, для її створення необхідний пара електронів.

У германії і кремнії, що є чотирьохвалентними елементами, на зовнішній оболонці мається по чотирьох ковалентні зв'язки з чотирма найближчими, навколишніми його атомами.