- •14. Технологический процесс изготовления моп-транзистора.
- •15. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.
- •16. Динамические параметры логических микросхем.
- •17. Вольтамперная характеристика р-п перехода.
- •18. Туннельный диод. Принцип работы.
- •19. Классификация интегральных микросхем и транзисторов.
- •20. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.
- •22. Основные этапы технологического процесса изготовления биполярных интегральных схем.
- •23. Простейший ттл (ттлш) вентиль. Принцип работы.
- •24. Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.
- •25. Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.
- •26. Диод Шоттки. Принцип работы. Технология изготовления.
- •27. Вертикальная структура транзистора Шоттки.
- •28. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме
- •29. 0Сновные схемы включения биполярного транзистора.
- •30. .Конструкция конденсатора в интегральном исполнении.
- •31. Структура интегрального резистора
- •32. 3Акон Мура. Степень интеграции интегральных микросхем.
- •33. 3Акон Мура…
- •34.Многослойные полупроводниковые структуры
- •35.Технологический маршрут изготовления моп - транзистора.
- •36.Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы.
- •37.Инжекционный вентиль. Принцип работы.
- •38. Зависимость коэффициента биполярного транзистора от коллекторного тока.
- •39.Технология изготовления и основные параметры полевого транзистора.
- •40.Высоколомехоустойчивая логика. Принцип работы.
- •41.Ттл (ттлш) - вентиль. Принцип работы.
- •42.0Собснности обратной характеристики р-n перехода.
- •43.Принцип работы транзистора в инверсном режиме и его конструкция.
- •44.Классификация полупроводниковых диодов.
- •45.Технологический процесс изготовления биполярного транзистора с диодом Шоттки.
- •46.Модель Эберса - Молла.
- •47.Классификация интегральных микросхем и дискретных приборов.
- •52.Эквивалентная схема интегрального резистора.
- •53.Система параметров светоизлучающего диода.
- •54.Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.
- •55.Вольтамперная характеристика р-n перехода и диода Шоттки.
- •56.Способы включения биполярного транзистора.
- •57.Расчет параметров интегрального резистора.
- •58.Система электрических параметров логических схем.
- •59.Технологический процесс изготовления полевого транзистора.
- •60.Система статических и динамических параметров интегральных схем.
- •61 .Зависимость параметров биполярного транзистора от температуры.
- •62.Первый и второй закон Мура.
- •63 .Зависимость параметров полевого транзистора от температуры.
- •64.Способы включения полевого транзистора.
- •65.Структура интегрального конденсатора, изготовленного по биполярному технологическому процессу и его параметры.
- •66.Структура интегрального конденсатора, изготовленного в моп - техпроцессе и его параметры.
- •67.Основные параметры моп - транзисторов.
- •69.Классификация моп - транзисторов.
- •70. Понятие «жизненного» цикла полупроводниковых изделий.
- •Структура жизненного цикла изделия
- •Границы стадий жизненного цикла изделия
45.Технологический процесс изготовления биполярного транзистора с диодом Шоттки.
45. Нам как всегда везет т.к планарные структуры рассчитывал я….или не везет=))
Рисунок 1. Транзистор с идиотом Шоттки
Транзистор с диодом Шоттки выполнен на основе эпитаксиально-планарной структуры.
Я приведу пример эп-планар структуры без диода, отличие состоит только в области КОНТАКТОВ базы, на рисунке видно, что она смещена из области p, где должна быть полностью (см. последний рисунок) в область n, за счет чего и получается наш идиот Шоттки!=))
1.Формирование партии подложек. Подложка: 460 КДБ 10 (100);
2. Химическая обработка пластин
- обработка в ПАР;
- промывка в деионизованной воде;
- сушка пластин;
- контроль качества химобработки.
3.Наращивание эпитаксиального слоя. При Т=1573 К из паров SiCl4.
4. Термическое окисление. Окисление кремния во влажном кислороде при 1000°С в течение 2 ч до получения окисла толщиной (0,6±0,06) мкм.
5. Фотолитография «Разделители»:
- нанесение фоторезиста;
- сушка фоторезиста;
- совмещение и экспонирование;
- проявление фоторезиста;
- задубливание фоторезиста.
6. Травление.
- Анизотропное травление Si. Горячий раствор КОН 20%, (Т=60 °С); Глубина канавки 15 мкм;
7. Диффузия бора. Т=1473 К, Т=53 мин.
8. Термическое окисление.
9. Фотолитография «База».
- нанесение фоторезиста;
- сушка фоторезиста;
- совмещение и экспонирование;
- проявление фоторезиста;
- задубливание фоторезиста.
10. Травление SiO2.
10. Ионное легирование бором (E=100 кэВ). Разгонка бора в окисленной среде.
11. Удаление фоторезиста.
12. Контроль ВАХ.
13. Термическое окисление.
14. Фотолитография «Эмиттер».
- нанесение фоторезиста;
- сушка фоторезиста;
- совмещение и экспонирование;
- проявление фоторезиста;
- задубливание фоторезиста.
15. Травление SiO2.
16. Диффузия фосфора. Разгонка фосфора T=1443 K, Т=28 мин.
17. Удаление фоторезиста.
18. Контроль ВАХ.
19. Термическое окисление.
20. Фотолитография «Металл». Травление SiO2.
21. Напыление пленки сплава Al+(l%)Si толщиной (0,60±0,1) мкм, температура подложки 200 °С, температура отжига 250 °С.
22. Фотолитография «Контакты».
23.Травление метала.
24. Удаление фоторезиста.
25. Проверка ВАХ.
26. Отмывка, сушка.
27. Осаждение изолирующего слоя плазмохимического окисла при 150 °С толщиной (0,5 + 0,05) мкм.
46.Модель Эберса - Молла.
Для анализа работы транзистора в схемах Дж.Д.Эберс и Дж.Л.Молл в 1954 г . предложили простые и удобные модели транзистора, различные варианты которой широко используются на практике. В эти модели входят управляемые источники тока, управляемые токами, учитывающие связь между взаимодействующими p - n -переходами в биполярном транзисторе. Эти модели справедливы для всех режимов работы транзистора.
В основе модели Эберса—Молла лежит идея разложения токов через эмиттерный и коллекторный переходы на инжек¬тируемую и собираемую составляющие:
Здесь 1{(Vbe) и 12(Vbc) — инжектируемые составляющие токов эмиттера и коллектора, соответственно.
Простейшим вариантом низкочастотной модели Эберса-Молла является модель с идеальными p - n -переходами и двумя источниками тока. На рис. 3.11 представлена такая модель.
Простейшим вариантом низкочастотной модели Эберса-Молла является модель с идеальными p - n -переходами и двумя источниками тока. На рис. 3.11 представлена такая модель.
----рисунок 3.11
Здесь aст,и - коэффициент передачи коллекторного тока в инверсном режиме; iэ, iк - токи, текущие через переходы, они определяются соотношениями:
Iэ,s, Ik,s- обратные тепловые токи коллектора и эмиттера соответственно.
В некоторых источниках и справочниках используются обозначения для обратных тепловых токов в виде IЭБК и IКБК , причем эти тепловые токи измеряются при короткозамкнутых коллекторе для IЭБК и эмиттере для IКБК . Кроме того, в аналитических соотношениях иногда используются обозначения IЭ0 и IК0 , равные
отражающие обратные токи эмиттера и коллектора при обрыве коллектора или эмиттера соответственно.
В соответствии с первым законом Кирхгофа для токов эмиттера и коллектора схемы рис.3.11 имеем
Модель Эберса-Молла основана на суперпозиции нормального и инверсного БТ, работающих в активном режиме. Такой подход к моделированию обусловлен тем, что при управлении "большим сигналом" БТ работает в двух режимах:
активном - нормальном режиме работы БТ, при котором рабочий ток обусловлен инжекцией носителей заряда из эмиттера (emitter) в базу (base);
насыщения - режим: работы БТ, при котором рабочий ток обусловлен инжекцией из коллектора (collector) в базу. В этом режиме р-п -переходы меняются ролями и в связи с этим изменяется направление протекания выходного тока на противоположное - инверсное.
Модель Эберса-Молла связывает токи на выводах БТ с напряжениями на р-п - переходах, поэтому она удобна для схемотехнического анализа.
Однако модель Эберса-Молла не учитывает некоторые эффекты, сопровождающие работу БТ в широком диапазоне изменения рабочих токов и напряжений.