- •Раздел 2 Организация памяти эвм
- •Тема 1 Архитектура памяти эвм Память эвм
- •Организация памяти эвм
- •Основная память (оп)
- •Характеристики памяти
- •Иерархическая структура памяти
- •Структура памяти эвм
- •Виртуальная память
- •Достоверность хранения данных
- •Тема 2 Организация основной памяти
- •Основная память
- •Организация системы памяти
- •Оперативное запоминающее устройство
- •Dram-память
- •Матричная организация озу
- •Обращение к микросхеме озу
- •Операции с памятью
- •Методы повышения быстродействия
- •Повышение быстродействия ядра микросхем озу
- •Оптимизация доступа к озу
- •Оптимизация доступа к озу Последовательный режим
- •Оптимизация доступа к озу Конвейерный режим
- •Оптимизация доступа к озу Страничный режим
- •Оптимизация доступа к озу Синхронный режим
- •Оптимизация доступа к озу Режим удвоенной скорости
- •Память ddr2 sdram
- •Память ddr3 sdram
- •Оперативная память ddr4
- •Повышенное быстродействие при меньшем энергопотреблении, новая архитектура микросхем, снижение задержек и большая емкость модулей памяти
- •Видеопамять
- •Структурные методы повышения быстродействия оп
- •Пакетная обработка множества доступов к памяти
- •Типы модулей памяти
- •Статическая память
- •Память, доступная только для чтения
- •Пзу, программируемые при изготовлении (rom)
- •Однократно программируемые пзу (prom)
- •Многократно программируемые пзу
- •Флэш-память
- •Постоянные запоминающие устройства
- •Стековая память
- •Ассоциативная память
- •Эффективность кэш-памяти
- •Стратегии размещения (отображения)
- •Прямое отображение
- •Полностью ассоциативное отображение
- •Множественно-ассоциативное отображение
- •Алгоритмы замещения информации
- •Стратегии обновления основной памяти
- •Организация кэш-памяти
- •Уровни кэш-памяти
- •Дисковая кэш-память
- •Виртуальная память
- •Страничная организация памяти
- •Сегментация памяти
- •Сегментно-страничная организация памяти
- •Требования к управлению памятью
- •Тема 3 Внешние запоминающие устройства
- •Накопители на жестких магнитных дисках
- •Современный hdd
- •Производительность диска
- •Интерфейсы подключения
- •Жесткие магнитные диски
- •Оптические диски
- •Флэш-память
- •Сравнение взу
- •Устройства резервного копирования информации
-
Память, доступная только для чтения
-
Существуют разные типы энергонезависимой памяти.
-
Постоянные ЗУ - ROM (Read-Only Memory - память только для чтения).
-
Основным режимом работы ПЗУ является считывание информации. Запись в ПЗУ по сравнению с чтением обычно сложнее и связана с большими затратами времени и энергии.
-
Занесение информации в ПЗУ называют программированием или «прошивкой».
-
Микросхемы ПЗУ также построены по принципу матричной структуры накопителя, где в узлах расположены перемычки в виде проводников, полупроводниковых диодов или транзисторов, одним концом подключенные к адресной линии, а другим — к разрядной линии считывания.
-
Современные ПЗУ реализуются в виде полупроводниковых микросхем, которые по возможностям и способу программирования разделяют на:
-
программируемые при изготовлении;
-
однократно программируемые после изготовления;
-
многократно программируемые.
-
-
Пзу, программируемые при изготовлении (rom)
-
Так называемые масочные устройства и именно к ним принято применять аббревиатуру ПЗУ. Для масочных ПЗУ обозначением является ROM, совпадающее с общим названием всех типов ПЗУ. Иногда такие микросхемы именуют MROM (Mask Programmable ROM — ПЗУ, программируемые с помощью маски).
-
Занесение информации в масочные ПЗУ составляет часть производственного процесса и заключается в подключении или не-подключении запоминающего элемента к разрядной линии считывания. В зависимости от этого из ЗЭ будет всегда извлекаться 1 или 0.
-
В роли перемычки выступает транзистор, расположенный на пересечении адресной и разрядной линий. Какие именно ЗЭ должны быть подключены к выходной линии, определяет маска, «закрывающая» определенные участки кристалла.
-
При создании масочных ПЗУ применяются разные технологии:
-
Маска просто не допускает металлизации участка, соединяющего транзистор с разрядной линией считывания;
-
Маска определяет, какой полевой транзистор должен быть имплантирован в данный узел.
-
Маска задает толщину оксидного слоя затвора транзистора..
-
-
Масочные микросхемы это один из наиболее дешевых видов ПЗУ. Для них характерна высокая плотность упаковки и высокие скорости считывания информации. Основной сферой применения являются устройства, требующие хранения фиксированной информации.
-
Однократно программируемые пзу (prom)
-
Программируемая ROM (Programmable ROM, PROM - программируемые ПЗУ).
-
В PROM информация может быть записана только однократно. Строятся такие ПЗУ на базе плавких предохранителей.
-
Занесение информации в PROM производится электрически, путем пережигания отдельных перемычек, и может быть выполнено спустя какое-то время после изготовления микросхемы. Этот процесс необратим. До программирования во всех ячейках памяти хранятся нули.
-
Для записи информации требуется специальное оборудование - программаторы.
-
Основные недостатки данного вида ПЗУ: большой процент брака и необходимость специальной термической тренировки после программирования.
-
Память PROM гибче и удобнее по сравнению с ROM. Сравнительно высокая стоимость процесса подготовки шаблона для записи информации в ROM делает производство небольших партий таких микросхем слишком дорогим. В подобных случаях гораздо удобнее и дешевле использовать программируемые пользователем микросхемы PROM.