• Оптимизация доступа к озу Режим удвоенной скорости

• Память DDR SDRAM представляет собой дальнейшее развитие SDRAM. Здесь используется ядро с разрядностью вдвое большей, чем разрядность шины данных. Внешний интерфейс мультиплексирует данные, обеспечивая их быструю передачу.

• Для ускорения доступа к данным массив ячеек разделен на два независимых массива. Последовательные слова блока данных хранятся в разных массивах. Такое чередование слов позволяет одновременно считывать из памяти два слова, одно из которых пересылается на переднем, а другое — на заднем фронте тактового сигнала.

• Микросхемы с частотой 100, 133, 166 МГц по стандарту JEDEC обозначаются как DDR 200, DDR 266 и DDR 333; они питаются напряжением 2,5 или 3,3 В. Микросхемы DDR SDRAM выпускаются как в корпусах TSOP и LSOJ, так и в корпусах BGA.

• Память ddr2 sdram

• Развитием DDR SDRAM стала память DDR2 SDRAM. Обмен данными происходит также на удвоенной частоте синхронизации.

• Микросхемы DDR2 выпускаются только в корпусах BGA с матрицей выводов.

• Контроллер DDR2 может работать как с памятью DDR, так и с DDR2.

• Запоминающее ядро (DRAM) работает на частоте, в 4 раза меньшей частоты передачи данных (в два раза ниже тактовой), однако разрядность ядра в 4 раза выше, чем разрядность шины данных микросхемы.

• Микросхемы DDR2 с частотой 200, 266, 333 и 400 МГц по стандарту JEDEC обозначаются как DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667 и DDR2-800. Микросхемы питаются напряжением 1,8 В.

• Память ddr3 sdram

• Поконтактная пиковая производительность до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM).

• Каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту

• Основные преимущества DDR3:

  • меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у модулей DDR2.

  • рабочие напряжения чипов –1,5 В у DDR3

• На практике это привело к тому что у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667.

• Оперативная память ddr4

• Каждый из модулей оперативной памяти DDR4 с DIMM-разъемом обладает 288 контактами.

• Имеет повышенную рабочую частоту и превосходную скорость доступа к данным.

• Введены более эффективные способы контроля четности и ECC ошибок по сравнению с памятью предыдущих поколений, что должно улучшить коррекцию ошибок

• Пониженное энергопотребление. Модули памяти DDR4 используют напряжение питания 1,1-1,2.