• Многократно программируемые пзу

• Программирование таких ПЗУ предполагает два этапа:

  • сначала производится стирание содержимого всех или части ячеек;

  • а затем производится запись новой информации.

• В этом классе постоянных запоминающих устройств выделяют несколько групп:

  • EPROM (Erasable Programmable ROM - стираемые программируемые ПЗУ);

  • EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM - электрически стираемые программируемые ПЗУ);

  • Флэш-память (flash memory).

• EPROM

• EPROM может использоваться для хранения программного обеспечения, которое время от времени должно обновляться.

• Структура ячейки EPROM подобна структуре ячейки ROM. Но в ней всегда имеется соединение с «землей» и используется осо­бый транзистор, который может функционировать или как обычный, или как вы­ключенный.

• Цикл программирования занимает нескольких сотен миллисекунд. Время считывания близко к показателям ROM и DRAM.

• В EPROM запись информации производится электрическими сигналами, так же как в PROM, но перед операцией записи содержимое всех ячеек должно быть стерто путем воздействия на микросхему ультрафиолетовым светом.

• Кристалл заключен в керамический корпус, имеющий небольшое кварцевое окно, через которое и производится облучение. Процесс стирания может выполняться многократно. Каждое стирание занимает порядка 20 мин.

• По сравнению с PROM микросхемы EPROM дороже, но возможность многократного перепрограммирования часто является определяющей.

• EEPROM

• Стирание и запись информации в EEPROM производятся побайтово. Операция записи занимает несколько сотен микросекунд на байт.

• В микросхеме используется тот же принцип хранения информации, что и в EPRОM.

• Программирование EPRОM не требует специального программатора и реализуется средствами самой микросхемы.

• В целом EEPROM дороже, чем EPROM, а микросхемы имеют менее плотную упаковку ячеек, то есть меньшую емкость.

• Для стирания или перезаписи EEPROM не нужно извлекать микросхему из компьютера. Cодержимое микросхемы можно изме­нять выборочно.

• Недостаток EEPROM - для стира­ния, записи и чтения данных в них требуется разное напряжение.

• Флэш-память

• Аналогично EEPROM, во флэш-памяти стирание информации производится электрическими сигналами, но не побайтово, а по блокам или полностью.

• По организации массива ЗЭ различают микросхемы типа:

  • Bulk Erase (тотальная очистка) — стирание допустимо только для всего массива ЗЭ;

  • Boot Lock — массив разделен на несколько блоков разного размера, содержимое которых может очищаться независимо. У одного из блоков есть аппаратные средства для защиты от стирания;

  • Flash File — массив разделен на несколько равноправных блоков одинакового размера, содержимое которых может стираться независимо.

• Полностью содержимое флэш-памяти может быть очищено за одну или несколько секунд, что значительно быстрее, чем у EEPROM.

• Программирование байта занимает время порядка 10мкс, а время доступа при чтении составляет 35-200нс.

• Флэш-память имеет большую плотность ячеек, а следовательно, большую емкость и меньшую стоимость в пересчете на бит. Для нее достаточно напряжения питания одного уровня, и она более экономична.