Лебедев КММФЯ / modelirovanie_nanostruktur_2013

Приложения 61

В случае совершенно свободного электрона (P 0) энергия элек-

трона может принимать любые значения:

В	случае совершенно непрозрачных стенок потенциальной ямы
(P )	разрешенные зоны вырождаются в дискретные энергетические
уровни:

62	Компьютерное моделирование микро и наноструктур

Приложение 2. Программа для моделирования энергетического спектра электрона энергетического спектра электрона в одномерной квантовой яме с бесконечно высокими стенками

В данном приложении приведен пример программы для расчета огибающих волновых функций и квантованных уровней энергии в прямо-

угольной квантовой яме с бесконечно высокими стенками. Материал ямы

– GaAs. Ширина ямы – 20 атомных монослоёв (11.31 нм).

64	Компьютерное моделирование микро и наноструктур

Приложение 3. Программа для моделирования энергетического спектра электрона энергетического спектра электрона в одномерной квантовой яме со стенками конечной высоты

В данном приложении приведен пример программы для расчета огибающих волновых функций и квантованных уровней энергии в прямо-

угольной квантовой яме со стенками конечной высоты. Квантовая яма об-

разована слоем GaAs толщиной 20 атомных слоёв (11.31 нм), заключен-

ным между полубесконечными слоями Al0.3 Ga0.7 As. Для определения раз-

решенных значений энергии электрона используется графический метод.

66	Компьютерное моделирование микро и наноструктур

Приложения 67

Приложение 4. Программа для моделирования движения

электрона вблизи потенциальной ступеньки

В данном приложении приведен пример программы для расчета огибающих волновых функций и зависимости коэффициентов отражения и прохождения от энергии электрона для потенциальной ступеньки, обра-

зованной гетеропереходом GaAs — Al0.4 Ga0.6 As.

70	Компьютерное моделирование микро и наноструктур

Приложение 5. Программа для моделирования движения

электрона через потенциальный барьер конечной толщины

В данном приложении приведен пример программы для расчета огибающих волновых функций и коэффициента прохождения электронов через прямоугольный потенциальный барьер. Потенциальный барьер об-

разован слоем Al0.3 Ga0.7 As толщиной 20 атомных слоёв (11.31 нм), заклю-

ченным между полубесконечными слоями GaAs.