- •355 Електростатика Розділ 4. Електродинаміка медико-біологічних систем
- •Електростатика
- •4.1.1. Основні характеристики електричного поля
- •4.1.2. Електричний диполь
- •4.1.3. Діелектрики, поляризація діелектриків
- •4.1.4. Діелектричні властивості біологічних тканин
- •4.1.5. П’єзоелектричний ефект
- •Постійний струм. Електропровідність біологічних тканин
- •4.2.1. Характеристики електричного струму
- •4.2.2. Електропровідність біологічних тканин і рідин
- •4.2.3. Дія електричного струму на живий організм
- •Магнітне поле
- •4.3.1. Магнітне поле у вакуумі і його характеристики
- •4.3.2. Закон Біо–Савара–Лапласа
- •4.3.3. Дія магнітного поля на рухомий електричний заряд. Сила Ампера і сила Лоренца
- •4.3.4. Магнітні властивості речовини
- •4.3.5. Магнітні властивості тканин організму, фізичні основи магнітобіології
- •Електромагнітні коливання
- •4.4.1. Рівняння електричних коливань
- •4.4.2. Вимушені електричні коливання, змінний струм
- •4.4.3. Повний опір кола змінного струму (імпеданс). Закон Ома для кола змінного струму
- •4.4.4. Імпеданс біологічних тканин
- •Електромагнітні хвилі
- •4.5.1. Струм зміщення
- •4.5.2. Рівняння Максвелла
- •4.5.3. Плоскі електромагнітні хвилі. Вектор Умова-Пойнтінга
- •4.5.4. Шкала електромагнітних хвиль
- •Семінар “Методика одержання, реєстрації та передачі медико-біологічної інформації”
- •Контрольні питання для підготовки до семінару
- •Додаткова література
- •Типові задачі з еталонами розв’язків
- •Теоретичні питання, що розглядаються на семінарі
- •Додаткові теоретичні відомості
- •4.6.1. Прилади для вимірювання електричних параметрів та їх класифікація
- •Точність вимірювальних приладів
- •4.6.2. Вимірювання сили струму, напруги, ерс, опору в електричному колі
- •Вимірювання опорів
- •Вимірювання невідомої ерс компенсаційним методом. Дільники напруги
- •4.6.3. Осцилографи, генератори, підсилювачі, датчики
- •Підсилення і генерація електричних сигналів
- •Електроди та датчики медико-біологічної інформації
- •Структурна схема кола для одерження, передачі і реєстрації медико-біологічної інформації
- •Завдання для перевірки кінцевого рівня знань
- •Хід роботи
- •Контрольні питання
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні питання
- •Хід роботи
- •Контрольні питання
- •Хід роботи
- •Обробка результатів вимірювань
- •Контрольні питання
Порядок виконання роботи
1. Зібрати електричне коло за схемою, показаною на мал. 4.58.
2. З’єднати за допомогою провідників зібране коло з джерелом живлення.
3. Поставити повзунок реостата в крайнє положення (як зображено на схемі).
4. Подати напругу на реостат (потенціометр) замкнутого кола за допомогою ключа К.
5. Переміщуючи повзунок вздовж реостата, спостерігати за показниками вольтметра і міліамперметра. Записати 5–6 показників вольтметра і відповідних їм показників міліамперметра. Дані занести в таблицю 1.
6. Змінити полярність напруги, яка подається на діод (витягнути вилку з діодом із гнізда, повернути її на 180о і знову увімкнути).
7. Дії п. 5 повторити.
8. За знятими показниками вольтметра і міліамперметра побудувати вольт-амперну характеристику.
9 . Обчислити коефіцієнт випрямлення для максимального значення напруги, яка використовується в роботі.
Мал. 4.58.
Контрольні питання
Поясніть фізичні процеси, які відбуваються в p-n-переході за відсутності зовнішнього електричного поля.
Перерахуйте способи увімкнення діода в електричне коло. Намалюйте схеми.
Які фізичні процеси лежать в основі роботи діода як випрямляча?
За якими характеристиками і параметрами оцінюється діод?
Які характеристики діода є нелінійними і чому?
У чому полягає подібність характеристик діодів та біологічних тканин?
Як впливає підвищення температури на концентрацію вільних носіїв?
4.7.3. ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3 “Вивчення роботи транзистора”
Мета роботи: ознайомитись з принципом роботи транзистора, навчитись отримувати вхідні та вихідні характеристики і за ними визначати основні параметри транзистора.
Прилади та обладнання: транзистор, міліамперметр, мікроамперметр, два вольтметри, два потенціометри, з’єднувальні провідники.
Контрольні питання для підготовки до лабораторної роботи
Напівпровідники. Температурна залежність питомого опору.
Електронно-дірковий перехід. Контактна різниця потенціалів. Залежність величини контактної різниці потенціалів від напрямку зовнішнього поля.
Підсилювачі. Коефіцієнт підсилення.
Додаткова література
Ремизов А.Н. Медицинская и биологическая физика. – М.: Высшая школа, 1992.
Ливенцев Н.М. Курс физики. – М.: Высшая школа, 1974. – С. 277–279.
Ливенцев Н.М. Курс физики. – М.: Высшая школа, 1978. – Ч. 1, с. 110–113; 172–178.
Короткі теоретичні відомості
Т
Мал.
4.59.
Т
Мал.
4.60.
Мал.
4.61.
Розглянемо фізичні процеси, які вібуваються в p-n-p-транзисторі, увімкненому за схемою із спільним емітером (мал. 4.61). Прикладемо до емітерного переходу невелику напругу в прямому напрямку, а до колекторного переходу набагато більшу напругу в зворотному напрямку. Такий спосіб увімкнення зменшує контактну різницю потенціалів переходу емітер – база і виникає струм, обумовлений рухом дірок Іе. Вільні носії, які при цьому потрапляють в базу, частково рекомбінують, але, завдяки малій товщині бази і низькій концентрації електронів в ній, більшість дірок досягає колекторного переходу внаслідок дифузії. Зворотна напруга, що прикладена до колектора, створює сильне електричне поле E , d – товщина p-n-переходу, вона має досить малі значення (типово 50–60 мкм). Це поле втягує дірки, що є в базі, в колектор, збільшуючи їх швидкість. Таким чином, всі дірки, які досягли колекторного переходу, будуть брати участь в утворенні струму колектора Iк, їх концентрацію можна виразити як:
n = nе – nб + nк,
де пе – концентрація дірок, випущених емітером, пб – концентрація тих дірок, які рекомбінували в базі, пк – концентрація вільних носіїв власне в колекторі.
Р ізниця потенціалів між емітером і колектором у десятки разів більша за різницю потенціалів між емітером і базою. А це означає, що змінами струму бази можна керувати вихідним струмом Iк, зміни якого будуть відповідними за формою Iе, але значно більшими за величиною.
Мал. 4.62. |
Мал. 4.63. |
Транзистори характеризуються сукупністю вхідних і вихідних статичних характеристик:
1. Вхідні характеристики відображають залежність вхідного струму від вхідної напруги: Iб = f (Uбе) при Uке = const (мал. 4.62).
2. Вихідні характеристики відображають залежність вихідного струму від вихідної напруги при сталому вхідному струмі (мал. 4.63):
Iк = f (Uке) при Iб = const.
За цими характеристиками визначають основні параметри транзистора:
1. Вхідний опір Rвх = Uбе/Iб при Uке = const.
2. Вихідний опір Rвих = Uке/Iк при Iб = const.
3. Коефіцієнт підсилення струму = Iк/Iб при Uке = const.