Министерство общего и профессионального образования РФ
Уральский Государственный Технический Университет - УПИ
Кафедра рэис Отчет
по лабораторной работе
«Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой»
Преподаватель: доц. Болтаев А. В.
Выполнили: Баранников А.И.
Ротанов П.С.
Красутский М..
Группа: P-25082
Екатеринбург, 2006 г.
Цель работы
Ознакомиться с физическими основами работы биполярного транзистора, исследовать характеристики и параметры транзистора в схеме с общей базой и изучить влияние температуры окружающей среды на ход характеристик.
В ходе работе снимаются входные и выходные характеристики при комнатной и повышенной температурах . По полученным характеристикам определяются
hБ- параметры.
Схема установки
Рис. 1: Схема установки.
Данная схема используется как для снятия входных так и для снятия выходных характеристик транзистора. При снятии входных характеристик для более высокой точности вместо вольтметра в лабораторном стенде мы используем внешний цифровой вольтметр V1. При снятии выходных характеристик также для большей точности измерений вместо перемычек П1, П3 включаются цифровые миллиамперметры, причём при снятии этих характеристик с помощью миллиамперметра, установленного на место перемычки П1, поддерживается ток эмиттера на постоянном уровне ( 0, 4, 6 и 8мА ); чтобы снять характеристику при эмиттерном токе, равном нулю, перемычка П2 удаляется.
Результаты измерений
Входные характеристики биполярного транзистора мп26б
Семейство входных характеристик JЭ=f(UЭБ) снималось для трёх значений напряжения на коллекторе UКБ = 0, -2, -10 В при комнатной (T=20 С) и повышенной (T=50 С) температурах.
Таблицы результатов измерений:
при UКБ = 0 В:
JЭ , мА |
0 |
0,1 |
0,3 |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
UЭБ , В (Т=20 С) |
0 |
0,077 |
0,104 |
0,120 |
0,140 |
0,168 |
0,198 |
0,221 |
0,240 |
0,255 |
UЭБ , В (Т=50 С) |
0 |
0,018 |
0,044 |
0,057 |
0,079 |
0,105 |
0,139 |
0,163 |
0,183 |
0,202 |
при UКБ = -2 В:
JЭ , мА |
0,001 |
0,1 |
0,3 |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
UЭБ , В (Т=20 С) |
0 |
0,068 |
0,101 |
0,118 |
0,139 |
0,165 |
0,194 |
0,216 |
0,234 |
0,247 |
UЭБ , В, (Т=50 С) |
- |
0 |
0,031 |
0,047 |
0,070 |
0,098 |
0,130 |
0,154 |
0,172 |
0,188 |
при UКБ = -10 В:
JЭ ,мА |
0,001 |
0,1 |
0,3 |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
UЭБ ,В, (Т=20 С) |
0 |
0,068 |
0,100 |
0,116 |
0,135 |
0,159 |
0,185 |
0,204 |
0,216 |
0,226 |
UЭБ ,В, (Т=50 С) |
- |
0 |
0,019 |
0,036 |
0,060 |
0,089 |
0,119 |
0,138 |
0,153 |
0,165 |
График семейства входных характеристик транзистора МП26А в схеме включения с ОБ при комнатной (T=20 С) и повышенной (T=50 С) температурах.
UКБ= -10 В -2 В 0 В -10 В -2 В 0 В
