Рабочие схемы, таблицы и порядок выполнения работы
Упражнение 1. Эффект р-п перехода в диодах.
Собрать стенд в соответствии со схемой (рис. 1.5, а)
Рис. 1.5, а
К диоду при прямой полярности приложить напряжение постоянного тока Uпр.= 0 В. Измерить величину соответствующего тока Iпр.
Повторить измерения тока Iпр по п.2, устанавливая значения напряжения в диапазоне 0,1…0,65 В, результаты измерений занести в таблицу 1.1.
Таблица 1.1
Uпр., В |
0,0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,65 |
Iпр, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
Изменить полярность диода в соответствии со схемой (рис. 1.5, б)
Рис. 1.5, б
Повторить измерения по п.3, устанавливая значения напряжения в диапазоне 0…30 В, результаты измерений занести в таблицу 1.2
Таблица 1.2
Uобр., В |
0,0 |
5 |
10 |
158 |
20 |
25 |
30 |
Iобр, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
По результатам измерений по пп. 3, 4 построить ВАХ выпрямительного диода.
По ВАХ определить в соответствии с (1.3) дифференциальное сопротивление диода.
По ВАХ определить в соответствии с (1.4) статическое сопротивление диода.
Упражнение 2. Диоды с переменной емкостью.
Собрать стенд в соответствии со схемой (рис. 1.6).
Приложить к входу цепи синусоидальное напряжение амплитудой U0 = 10 В. Частоту переменного напряжения установить 10 кГц.
Рис. 1.6
Установить постоянное напряжение U2 = 2 В. Изменяя частоту напряжения U0 (амплитуда U0 поддерживается постоянной и равной 10 В) в диапазоне 10-20 кГц, определить по результатам регистрации U1 между концами параллельной цепочки резонансную частоту9.
Повторить измерения по п. 3, устанавливая постоянное напряжение в диапазоне 2-30 В, результаты измерений занести в таблицу 1.3.
Таблица 1.3
U2, В |
f, кГц |
L, мГн |
С, пФ |
2 |
|
200 |
|
5 |
|
|
|
10 |
|
|
|
15 |
|
|
|
20 |
|
|
|
25 |
|
|
|
30 |
|
|
В соответствии с табл. 1.3 построить график зависимости резонансной частоты от напряжения.
Определить емкость варикапа, полагая из (1.6), что . Результаты вычислений занесите в табл. 1.3.
Построить график зависимости емкости варикапа от напряжения.
Определить по формуле (1.5) коэффициент перекрытия по емкости.