Результаты исследования значения основных параметров проводников

Обозначение параметра	Кристаллы		МКМ
	СБИС	БИС	Креамниевая подложка	Керамическая подложка	Полиимидно керам.подложка	ПАНЕЛЬ МПП
атр, мкм
Wпр, мкм
hпр, мкм

Студент ________________ Дата ___________________ 200__г.

Группа _________________ Подпись___________________

Рис. 4. Структура коммутационных элементов устройств и условия трассировки проводников а) кристалла БИС (СБИС); б) подложки МКМ; в) МПП ПАНЕЛИ.

Приложение 5

Лабораторная работа № 5 Исследование и расчет параметров системного быстродействия элементов и устройств эвм

Таблица 5а

Результаты расчета параметров проводников металлизации и лэ

Обозначение параметра	Кристаллы		Si‑подложка МКМ	МПП ПАНЕЛИ
	БИС	СБИС
tлэ, нс
Rвых, Ом
ρ0^Al, Ом·мм
R0,Ом/мм
C0, пф/мм

Таблица 5б

Результаты расчета параметров системного быстродействия для 3‑х вариантов конструкции устройства на основе кмоп бис и сбис

Уровень компоновки i

Схемная интеграция

Max интегр.

, ЭЛЭ

Вар.1 (СБИС)

, ЭЛЭ

, ЭЛЭ

, мм

, нс

, нс

, нс

, нс

, ГГц

i = 1

i = 2

i = 3

i = 4

Уровень компоновки i

Вариант 2 (МКМ)

Вариант 3 (ПАНЕЛЬ)

, мм

, нс

, нс

, нс

, нс

, ГГц

, мм

, нс

, нс

, нс

, нс

, ГГц

i = 1

i = 2

i = 3

i = 4

Студент ________________ Дата __________________ 200__г.

Группа _________________ Подпись ____________________