5. Содержание отчёта

1.Введение (постановка задачи, цель работы).

2.Основные теоретические положения.

3.Описание методики проведения работы;

а) схема аппаратуры (диффузионная печь, установка для измерения удельного сопротивления и т.п.);

б) описание хода работы;

в) методика определения глубины залегания p-n-перехода.

4.Расчётная часть согласно индивидуальному заданию.

5.Обсуждение результатов работы.

6.Выводы.

6.Контрольные вопросы

1.Сущность процесса диффузии.

2.Основные законы диффузии, их формулировка.

3.Запишите выражение и нарисуйте распределение примеси при диффузии из источника с постоянной поверхностной концентрацией.

4.Запишите выражение и нарисуйте распределение примеси при диффузии из источника с фиксированным количеством примеси.

5.Что такое коэффициент диффузии? Его физический смысл. Температурная зависимость коэффициента диффузии.

6.Каковы механизмы диффузии в идеальном и реальном кристаллах?

7.Источники легирующей примеси (диффузанты).

8.Методы осуществления диффузионных процессов.

9.Особенность двухстадийного процесса диффузии.

10.Основные способы контроля диффузионных структур.

11.Четырёхзондовый метод определения поверхностного сопротивления диффузионных слоёв.

Литература

1.Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. –М.: Высш. шк., 1974.

2.Черняев З.Н. Технология производства интегральных микросхем М.: Энергия, 1977.

3.Практикум по химии и технологии полупроводников Под ред. Я.А. Угая. - М.: Высш. шк., 1976.

4.Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. –М.: Энергия, 1974.

5.Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. –М.: Физмат из, 1961.