Электронная техника. Т е с т ы . гр. 9ТВ-21

Раздел 1. Полупроводниковые приборы.

Тема 1.1. Физические основы электронной техники.

1. Одна ковалентная связь действует в пределах:

   1. Одного атома;

   2. Двух атомов;

   3. Трех атомов;

   4. Четырех атомов.

2. В одной ковалентной связи занято не более:

   1. Одного электрона;

   2. Двух электронов;

   3. Трех электронов;

   4. Четырех электронов.

3. Какой атом называется ионом?

1. Только тот атом, который потерял собственный электрон.

2. Только тот атом, который присоединил дополнительный электрон.

3. Атом, как потерявший собственный электрон, так и присоединивший дополнительный электрон.

4. Какая энергетическая диаграмма, из трех показанных на рис. 181, принадлежит полупроводнику?

1. Рисунок - 1;

2. Рисунок - 2;

3. Рисунок – 3.

5. У какого материала зона проводимости отделена от валентной зоны узкой запрещенной зоной?

1. У проводника.

2. У полупроводника.

3. У изолятора.

6. Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?

   1. Увеличивается количество пар свободных носителей заряда.

   2. Увеличивается длина свободного пробега электронов.

   3. Увеличивается ширина запрещенной зоны.

7. Как влияют примесные ионы в полупроводнике на процесс образования свободных носителей заряда?

   1. Облегчают процесс.

   2. Затрудняют процесс.

   3. Не влияют.

8. Какой из приведенных ниже элементов используют при изготовлении полупроводников в качестве основы?

   1. Бор – B.

   2. Индий – In.

   3. Алюминий – Al.

   4. Германий – Ge.

9. Какой из приведенных ниже элементов используют при изготовлении полупроводников в качестве основы?

   1. Фосфор – P.

   2. Кремний – Si.

   3. Сурьма – Sb.

   4. Мышьяк – As/

10. Какие носители зарядов являются основными в кристаллах кремния и германия при внесении в них донорной примеси?

    1. В кристалле кремния – электроны, в кристалле германия – дырки.

    2. В кристалле кремния – дырки, в кристалле германия – электроны.

    3. В обоих кристаллах (кремния и германия) – электроны.

    4. В обоих кристаллах (кремния и германия) – дырки.

11. Какие носители зарядов являются основными в кристаллах кремния и германия при внесении в них акцепторной примеси?

    1. В кристалле кремния – электроны, в кристалле германия – дырки.

    2. В кристалле кремния – дырки, в кристалле германия – электроны.

    3. В обоих кристаллах (кремния и германия) – электроны.

    4. В обоих кристаллах (кремния и германия) – дырки.

12. Что является свободными носителями заряда в полупроводнике типа n?

    1. Электроны.

    2. Дырки.

    3. Электроны и дырки.

13. Что является свободными носителями заряда в полупроводнике типа p?

    1. Электроны.

    2. Дырки.

    3. Электроны и дырки.

Тема 1.2. Полупроводниковые резисторы.

14. Графическое изображение, какого из полупроводниковых резисторов, представлено на рисунке 3.52?

1. Терморезистор:

2. Варистор;

3. Фоторезистор.

15. Какой из полупроводниковых резисторов, представлен его условным графическим изображением, на рисунке 1.14?

1. Терморезистор:

2. Варистор;

3. Фоторезистор.

16. Графическое изображение, какого из полупроводниковых резисторов, представлено на рисунке 1.15?

1. Терморезистор:

2. Варистор;

3. Фоторезистор.

17. Вольтамперная характеристика, какого из полупроводниковых резисторов, представлена на рисунке 1.14?

1. Терморезистора:

2. Варистора;

3. Фоторезистора.