Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ИГА Тесты по ЭТ.doc
Скачиваний:
21
Добавлен:
08.09.2019
Размер:
515.07 Кб
Скачать

Тема 1.3. Контактные явления в полупроводниках

  1. Чем объясняется нелинейность вольт-амперной характеристики p - n-перехода (рис. 182)?

    1. Дефектами кристаллической структуры.

    2. Вентильными свойствами.

    3. Собственным сопротивлением полупроводника.

  1. Какой из токов, протекающих через PN-переход (показанных стрелками сверху, рисунок 1.19) является диффузионным током?

  1. I;

  2. I .

  1. Какой из токов, протекающих через PN-переход (показанных стрелками сверху, на рисунке 1.19) является дрейфовым током?

  1. I;

  2. I .

  1. Какая из характеристик, приведенных на рисунке 1.15, является характеристикой кремниевого p-n-перехода?

  1. Характеристика – 1;

  2. Характеристика – 2.

  1. Какая из характеристик, приведенных на рисунке 1.15, является характеристикой германиевого p-n-перехода?

  1. Характеристика – 1;

  2. Характеристика – 2.

  1. На рисунке 1.4. представлена структура кристаллической решетки полупроводника с введенным в нее атомом примеси (в центре рисунка).

Укажите, какая примесь, представлена введенным в полупроводник атомом и какая электропроводность при этом повышается?

  1. Примесь – донорная, электропроводность - дырочная;

  2. Примесь – донорная, электропроводность – электронная;

  3. Примесь – акцепторная, электропроводность - дырочная;

  4. Примесь – акцепторная, электропроводность - электронная.

  1. На рисунке 1.4.а. представлена структура кристаллической решетки полупроводника с введенным в нее атомом примеси (в центре рисунка).

Укажите, какая примесь, представлена введенным в полупроводник атомом и какая электропроводность при этом повышается?

  1. Примесь - донорная, электропроводность - дырочная;

  2. Примесь - донорная, электропроводность - электронная;

  3. Примесь – акцепторная, электропроводность - дырочная;

  4. Примесь – акцепторная, электропроводность - электронная.

  1. Какое включение источника внешнего напряжения, по отношению к p-n-переходу, представлено на рисунке 1.20?

  1. Прямое;

  2. Обратное.

  1. Какое включение источника внешнего напряжения, по отношению к p-n-переходу, представлено на рисунке 1.22?

  1. Прямое;

  2. Обратное.

Тема 1.4. Полупроводниковые диоды.

  1. Варикап представлен на Рис. 1.44 условным графическим обозначением -

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

  1. Стабилитрон представлен на Рис. 1.44 его условным графическим обозначением -

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

  1. Диод Шотки представлен на Рис. 1.44 его условным графическим обозначением -

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

  1. Туннельный диод представлен на Рис. 1.44 его условным графическим обозначением -

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

  1. Какой из полупроводниковых диодов представлен его условным графическим обозначением, приведенным на рисунке 2.11.?

  1. Выпрямительный;

  2. Стабилитрон;

  3. Туннельный;

  4. Варикап.

  1. Вольтамперная характеристика, какого из полупроводниковых диодов представлена на рисунке 2.1.а)?

  1. Кремниевого;

  2. Германиевого;

  3. Стабилитрона;

  4. Туннельного.

  1. Вольтамперная характеристика, какого из полупроводниковых диодов представлена на рисунке 2.1.б?