- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы.
- •Тема 1.2. Полупроводниковые резисторы.
- •Тема 1.3. Контактные явления в полупроводниках
- •Характеристика – 1;
- •Какое включение источника внешнего напряжения, по отношению к p-n-переходу, представлено на рисунке 1.22?
- •Прямое;
- •Тема 1.4. Полупроводниковые диоды.
- •Кремниевого;
- •Кремниевого;
- •Кремниевого;
- •Фоторезистора;
- •Фоторезистора;
- •Тема 1.5. Биполярные транзисторы.
- •Тема 1.6. Полевые транзисторы
- •Тема 1.7. Тиристоры
- •Варикап;
- •Тема 1.8. Фотоэлектронные и оптоэлектронные приборы.
- •Раздел 2.Устойства отображения информации.
- •Тема 2.1. Электронно-лучевые трубки.
- •Тема 2.2. Буквенно-цифровые индикаторы.
- •Раздел 3. Электронные устройства и их защита.
- •Тема 3.1. Выпрямители.
- •Тема 3.2. Сглаживающие фильтры.
- •Тема 3.3. Стабилизаторы.
- •Раздел 4. Основы микроэлектроники.
- •Тема 4.1. Элементы интегральных микросхем.
- •Раздел 5. Усилительные устройства.
- •Тема 5.1. Основные параметры и характеристики усилительных устройств.
Тема 1.3. Контактные явления в полупроводниках
Чем объясняется нелинейность вольт-амперной характеристики p - n-перехода (рис. 182)?
Дефектами кристаллической структуры.
Вентильными свойствами.
Собственным сопротивлением полупроводника.
Какой из токов, протекающих через PN-переход (показанных стрелками сверху, рисунок 1.19) является диффузионным током?
I;
I .
Какой из токов, протекающих через PN-переход (показанных стрелками сверху, на рисунке 1.19) является дрейфовым током?
I;
I .
Какая из характеристик, приведенных на рисунке 1.15, является характеристикой кремниевого p-n-перехода?
Характеристика – 1;
Характеристика – 2.
Какая из характеристик, приведенных на рисунке 1.15, является характеристикой германиевого p-n-перехода?
Характеристика – 1;
Характеристика – 2.
На рисунке 1.4. представлена структура кристаллической решетки полупроводника с введенным в нее атомом примеси (в центре рисунка).
Укажите, какая примесь, представлена введенным в полупроводник атомом и какая электропроводность при этом повышается?
Примесь – донорная, электропроводность - дырочная;
Примесь – донорная, электропроводность – электронная;
Примесь – акцепторная, электропроводность - дырочная;
Примесь – акцепторная, электропроводность - электронная.
На рисунке 1.4.а. представлена структура кристаллической решетки полупроводника с введенным в нее атомом примеси (в центре рисунка).
Укажите, какая примесь, представлена введенным в полупроводник атомом и какая электропроводность при этом повышается?
Примесь - донорная, электропроводность - дырочная;
Примесь - донорная, электропроводность - электронная;
Примесь – акцепторная, электропроводность - дырочная;
Примесь – акцепторная, электропроводность - электронная.
Какое включение источника внешнего напряжения, по отношению к p-n-переходу, представлено на рисунке 1.20?
Прямое;
Обратное.
Какое включение источника внешнего напряжения, по отношению к p-n-переходу, представлено на рисунке 1.22?
Прямое;
Обратное.
Тема 1.4. Полупроводниковые диоды.
Варикап представлен на Рис. 1.44 условным графическим обозначением -
;
;
;
.
Стабилитрон представлен на Рис. 1.44 его условным графическим обозначением -
;
;
;
.
Диод Шотки представлен на Рис. 1.44 его условным графическим обозначением -
;
;
;
.
Туннельный диод представлен на Рис. 1.44 его условным графическим обозначением -
;
;
;
.
Какой из полупроводниковых диодов представлен его условным графическим обозначением, приведенным на рисунке 2.11.?
Выпрямительный;
Стабилитрон;
Туннельный;
Варикап.
Вольтамперная характеристика, какого из полупроводниковых диодов представлена на рисунке 2.1.а)?
Кремниевого;
Германиевого;
Стабилитрона;
Туннельного.
Вольтамперная характеристика, какого из полупроводниковых диодов представлена на рисунке 2.1.б?