- •Лекция 1 Электронно-дырочный р-n переход
- •Динамические и частотные параметры
- •Обращенные диоды.
- •Туннельные диоды.
- •Фото и светодиоды. Фотодиод
- •Рассмотрим процессы протекающие в биполярном транзисторе p – n – p
- •Лекция 10 Статические характеристики транзисторов
- •Входная статическая характеристика об
- •Входные характеристики с оэ.
- •Лекция 11 Полевые транзисторы
- •Лекция 13
- •Лекция 14 Тиристоры
- •Статические характеристики тиристора
- •Динамические характеристики тиристора
- •Классификация микросхем по выполнению технологии
- •Методы создания p-n переходов
- •Усилители электрических сигналов
- •Классификация
- •Основные параметры
- •Частотная и фазная характеристика
- •Режим работы усилительных каскадов
- •Режим работы в схеме включения активного элемента (транзистора) с общим эмиттером (оэ)
- •Обратная связь усилителя
- •Построение усилительных схем. Структурные схемы
- •Схемы режимов работы биполярного транзистора в усилительном каскаде
- •Каскады усиления по мощности
- •Маломощные выпрямители однофазного тока
- •Структурная схема, схемы преобразователей электрической энергии с однофазным выпрямителем.
- •Электрическая принципиальная схема.
- •Лекция 22 Однофазный двухполупериодный выпрямитель с нулевым выводом трансформатора
- •Однофазный двухполупериодный мостовой выпрямитель
- •Лекция 23
- •Сглаживающие фильтры на пассивных элементах для маломощных источников электропитания
- •Параметры сглаживающих фильтров источника питания
- •Основные схемы фильтров на пассивных элементах
- •Внешняя характеристика выпрямителя
- •Стабилизаторы напряжения
- •Лекция 25
Динамические и частотные параметры
▲f диапазон частот диода 2π/Т, разность значений частот при которых средний выпрямительный ток диода не менее заданной доли его значения частоты.
Rдиф = ▲Uпр/▲Iпр·10ˉ³ (Ом)
Дифференциальное сопротивление
Можно определить дифференциальное сопротивление по имперической форме:
R ≈ e·6/Iпр (Ом)
Важным параметром диода является емкость
Су = Сдиф + Сзар
Обратное, максимально допустимое U:
Uост max ≈ 0.8 Uпробоя
0,8 – коофицент запаса. Выбирается в соответствии с требоваемой надежностью для различных классов аппаратуры.
Максимально допустимая мощность диода:
Рmax = Tnmax – to/RTnk + PTko
Tn – максимально допустимая температура P-N перехода (в справочнике)
То – окружающая среда
RTnk – тепловое сопротивление между P-N переходом и корпусом
RTko - тепловое сопротивление между корпусом и окружающей средой
Максимально допустимый ток Iпр:
Iпрmax = Pmax/Uпр
Выпрямительные диоды – полупроводниковый диод предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
Плоскостные диоды с относительно большой ? P-N перехода.
Падение напряжения на диоде при протекании Iпр должно быть минимальным.
Выпрямительные свойства диодов оцениваются с помощью коофициента выпрямления.
Uпр = Uобр = 1вольт
К = Iпр/Iобр = Rобр/Rпр
Наиболее перспективные кремневые. Которые допускают большой перегрев и имеют низкое значение обратного тока.
Импульсные диоды – полупроводниковый диод с малой длительностью переходных процессов. Предназначены для применения в импульсных режимах работы.
Uпр имп мах Iпр имп мах
Лекция 6
Стабилитрон
Стабилитрон – полупроводниковый прибор, напряжение на котором в области электрического пробоя, при обратном смещении, слабо зависит от обратного тока в заданном им диапазоне, и который используется для стабилизации напряжения на нагрузке.
Схема включения стабилитрона, и его вольтамперная характеристика:
Для стабилизации малого напряжения (от 1 до 1,5В), используются кремневые стабилизаторы, включенные в прямом направлении.
Uст – напряжение стабилизации при протекании заданного тока стабилизации.
Iстаб max ≈ 10max/Uст
Iстаб min – определяет устойчивость пробоя стабилизации.
Rдиф – сопротивление стабилитрона. Отношение приращения напряжения стабилизации.
Rдиф = dUст/dIст ≈ ▲Uст/▲Iст (Ом)
Чем меньше Rст, тем лучше осуществляется стабилизация напряжения.
Rст = Uст/Iст (Ом)
α=▲Uст/Uст · ▲Т – температурный коофицента напряжения стабилизации. Изменение напряжения стабилизации при изменении температуры окружающей среды на 1ºС при постоянном токе стабилизации.
Лекция 7
Варикап
Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного U и который предназначен в качестве элемента с управляемой емкостью.
Используемое свойство изменяет величину зарядной емкости P – N перехода в зависимости от прилежащего обратного U.
С3 = f (Uобр)
С ростом обратного напряжения емкость варикапа уменьшается, так как расширяется область пространственного заряда. Заряда P – N перехода, т.е. увеличивается его толщина.