Статические характеристики тиристора
1. Номинальный прямой ток
характеризует
допустимый нагрев
диода при номинальных условиях отвода
тепла до номинальной температуры.
2. Номинальное прямое падение напряжения
на тиристоре при
.
3. Обратное номинальное напряжение (допустимое).
4. Напряжение переключения – минимальное напряжение, при котором тиристор переходит из закрытого состояния в открытое.
5. Ток выключения – минимальный прямой ток поддерживающий тиристор в открытом состоянии.
6. Ток удержания – минимальный прямой ток который протекает через тиристор при разомкнутой цепи управления, т. е. не включает его.
Динамические характеристики тиристора
1. Время включения тиристора – промежуток
времени между подачей импульса управления
и моментом когда прямое напряжение
уменьшается
до 10% своего начального значения.
2. Время выключения – минимальный
промежуток времени между моментом
прохождения прямого тока
через ноль и
повторно приложенным напряжением
которое не вызывает включения тиристора.
3. Скорость нарастания прямого анодного тока и допустимая скорость нарастания прямого анодного напряжения.
4. Импульсы управления – должен выбираться коротким, однако длительность импульсов должна быть больше времени включения тиристора.
Минимальная длительность управляемого импульса лежит в пределах 15 ÷ 20 миллисекунд.
Важнейшими задачами являются:
- увеличение надёжности
- уменьшение габаритов, массы
- уменьшения потребляемой энергии
Существует четыре поколения аппаратов электронной техники:
1. Электронная лампа
2. Открытие нового усилительного элемента (транзистора).
3. Создание микроэлектронного функционального узла – полупроводниковая интегральная микросхема.
Все активные и пассивные элементы и их соединения созданы виде сочетания p-n переходов в одном исходном полупроводниковом материале.
4. Создание больших интегральных микросхем (БИС) (500 и более элементов)
В зависимости от технологии различают два типа интегральных схем.
1 – интегральные микросхемы (ИС)
2 – гибридные интегральные микросхемы (ГИС)
Классификация микросхем по выполнению технологии
1. Полупроводниковые
2. Гибридные
3. Прочие
1. Аналоговые
2. Цифровые (логические)
Аналоговые микросхемы – преобразуют параметры электрических сигналов или энергии по закону непрерывной функции.
Цифровые (на входе 0 на выходе 1) – это ключи имеющие в общем случае m ≥ 1 и n ≥ 1
Методы создания p-n переходов
1. Сплавная – когда p-n переход получается путём плавления акцепторного элемента в пластину германия или кремния n-типа.
2. Диффузионная – используется для изготовления кремневых диодов средней и большой мощности. Исходным материалом является кремний n-типа. Для создания p слоя используют диффузию акцепторов элементов Br или Al.
Диффузия – взаимное проникновение. Этот метод даёт высокую точность воспроизведения глубины p слоя, требуемых параметров диодов.
Лекция 16