- •Министерство образования и науки, молодёжи и спорта украины донбасский государственный технический университет
- •Курсовая работа
- •1 Введение
- •2 Аналитический обзор
- •3 Составление структурной схемы усилителя
- •4 Разработка схемы электрической принципиальной усилителя
- •4.1 Выбор входного каскада
- •4.2 Выбор каскадов предварительного усиления
- •4.3 Выбор выходного каскада
- •5 Электрический расчет
- •5.1 Предварительный расчет
- •5.2 Расчет динамических показателей усилителя без обратных связей
- •5.3 Расчет цепи отрицательной обратной связи
- •5.4 Расчет конденсаторов
- •6 Анализ спроектированного усилителя
- •Заключение
- •Перечень ссылок
5 Электрический расчет
5.1 Предварительный расчет
Согласно выбранному режиму работы АВ выходного каскада определяем напряжение смещения Ucм. Для двухтактного выходного каскада оно равно:
где UБЭ0 - напряжение между электродами базы и эмиттера выходных транзисторов в режиме покоя.
Для режима режима АВ оно определяется исходя из графика (рис. 5.1).
Рисунок 5.1 – Входная характеристика для 2Т825В
(В)
Зная амплитуду тока в нагрузке Iн max, амплитуду напряжения на нагрузке Uнmax , рассчитываем среднее значение тока нагрузки по формуле
(5.1)
Рассчитываем среднее значение тока коллектора выходного транзистора
(5.2)
Напряжение питания УНЧ определим по следующей формуле:
E > UНmax + ΔUКЭнас + URэ (5.3)
где ΔUКЭнас - падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер выходного транзистора в режиме насыщения, В;
URэ - падение напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи выходного транзистора, В.
Для большинства мощных транзисторов ΔUКЭнас = 0.5..2 В. Предварительно можно принять
ΔUКЭнас = 1 В.
Зададимся падением напряжений на резисторе, установленном в эмиттерной цепи выходного транзистора в пределах (0.2 - 0.5)UБЭнас. Для большинства мощных транзисторов UБЭнас= 0.8 ... 1 В.
Тогда URэ равно:
URэ=(0,2..0,5) UБэнас = 0,16..0,5 В (5.4)
Возьмём значение URэ равным 0,3 В
Подставим эти значения в выражение (5.3)
Eк > 14,142 +1+0.3 15,442 В
Из стандартного ряда получим ЕК=20 В
Находим максимальное значение коллекторного тока транзисторов выходного каскада:
(5.5)
Зная напряжение питания усилителя и максимальный ток протекающий через нагрузку, выберем транзисторы для выходного каскада по следующим условиям:
По справочной литературе [4] выбираем следующие транзисторы:
V T8 n-p-n КТ827В
V T9 p-n-p: 2Т825В
Со следующими параметрами:
Uкэmax8 = 60 В Ikmax8 = 20 А = 3 В
Рассчитаем сопротивление резисторов R11 и R12 по формуле:
Ом (5.6)
Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24: 0,075 Ом
По справочной литературе [6] выберем данный резистор
C5-43А – 10Вт – 0,075 Ом ±5%
Рисунок 5.2
Из рис. 5.1 определим ток базы и ток коллектора покоя транзисторов выходного каскада, а также статический коэффициент передачи тока транзистора VT8 из рис.5.2:
(5.7)
Определим максимальный ток базы транзисторов выходного каскада:
(5.8)
Определим ориентировочный максимальный ток коллектора VT5:
Ikmax5 = 10IБmax8 = 1026.66 = 266.6 (мA) (5.9)
Зная максимальный ток базы транзистора VT8 и напряжение питания, выберем транзисторы VT6 и VT7 для реализации защиты по току [4]:
Выбранные транзисторы полностью соответствуют требованиям
VT6: n-p-n КТ215Г-1
VT7: p-n-p: КТ214Г-1
Со следующими параметрами:
Uкэmax7 = 40 В Ikmax7 = 50 мА
Рассчитаем максимальный ток коллектора VT8:
(5.10)
Зная максимальный ток коллектора Ikmax5 = 266.6 мА и напряжение питания, выбираем транзистор VT5 по следующим критериям:
Выбранный p-n-p транзистор VT5 КТ820А-1 полностью соответствует данным требованиям [4]
Рисунок 5.3
Рисунок 5.4 – Входная характеристика
По графику (рис.5.3) определим минимальный ток коллектора VT5:
Рассчитаем ток коллектора покоя VT5 по формуле:
(5.11)
Из рис. 5.4 определим статический коэффициент передачи тока для тока эмиттера равного 36.66 мА.
Определим ток базы покоя для VT5 по формуле:
(5.12)
Рассчитаем максимальный ток коллектора транзистора VT5:
(5.13)
Рассчитаем резистор по формуле:
(5.14)
Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:
По справочной литературе выберем данный резистор
МЛТ 0,125 Вт – 560 Ом ±5% [7]
Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT5:
(5.15)
Определим ориентировочный ток коллектора покоя для транзистора VT4 по формуле:
(5.16)
Так как входной каскад работает в режиме АВ, то необходимо выбрать диод VD1 для цепи смещения [9]. Он должен удовлетворять следующим условиям:
Выбранный диод: Д9Д полностью соответствует данным требованиям:
С диодом включаем последовательно резистор , сопротивление которого равно:
Приведем данное сопротивление к ряду Е24:
По справочной литературе [6] выберем круговой цилиндрический подстроечный резистор
СП5-17А 0,5 Вт – 82 Ом ±5%
Рассчитаем ориентировочный максимальный ток коллектора для транзистора VT4 по формуле:
(5.17)
Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания, выбираем транзистор VT4 исходя из следующих условий [4]:
Выбранный транзистор VT4 n-p-n КТ379Г полностью соответствует данным требованиям
Рисунок 5.5
Рисунок 5.6
Из рис. 5.5 определим минимальный ток коллектора транзистора VT4:
Определим ток коллектора покоя для VT4:
(5.18)
По рис 9 определим статический коэффициент передачи тока:
Определим ток базы покоя для транзистора VT4 по формуле:
(5.19)
Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT4:
(5.20)
Определим значение резистора по формуле:
(5.21)
Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:
По справочной литературе [6] выберем данный резистор
МЛТ 0,125 Вт – 91 Ом ±5%
Определим ориентировочный ток коллектора покоя транзистора VT3
(5.22)
Рассчитаем ориентировочный ток коллектора транзистора VT3:
(5.23)
Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания, выберем транзистор VT3 по следующим критериям [4]:
Выбранный транзистор p-n-p VT3 КТ207А соответствует данным требованиям
Рисунок 5.7
Рисунок 5.8
Из графика зависимости ( ) (рис. 5.8) определим минимальный ток коллектора:
Рассчитаем ток коллектора покоя транзистора VT3:
(5.24)
По рис. 5.7определим статический коэффициент передачи тока:
Определим ток базы покоя транзистора VT3:
(5.25)
Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT3:
(5.26)
Определим сопротивление по формуле:
(5.27)
Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:
По справочной литературе [6] выберем данный резистор
МЛТ 0,125 Вт – 470 Ом ±5%
Рассчитаем значение резистора по формуле:
(5.28)
Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:
По справочной литературе [6] выберем данный резистор
МЛТ 0,125 Вт – 430 Ом ±5%
Определим ориентировочный ток коллектора покоя транзисторов VT1 и VT2 по формуле:
(5.29)
Рассчитаем ориентировочный максимальный ток коллектора транзисторовVT1 и VT2 по следующей формуле:
(5.30)
Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания, выберем транзисторы VT1 и VT2 по следующим критериям [4]:
Выбранные транзисторы VT1 иVT2: КТ379Г соответствует данным требованиям
Рисунок 5.9
Рисунок 5.10
По рис. 5.9 определим минимальный ток коллектора:
Рассчитаем ток коллектора покоя транзисторов VT1 и VT2:
(5.31)
Из рис 5.9 определим статический коэффициент передачи тока:
Определим ток базы покоя для транзистора VT1:
(5.32)
Рассчитаем максимальный ток базы для транзистора VT1:
(5.34)
Определим ток, протекающий через резистор :
(5.35)
Oпределим напряжение коллектор – эмиттер:
Определим значение резистора по формуле:
(5.36)
Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:
По справочной литературе [6] выберем данный резистор
МЛТ 0,125 Вт – 1.1 кОм ±5%