29. Особенности работы схемы с оэ.

Схема с общим эмиттером является наиболее распространенной, т.к. дает наибольшее усиление по мощности. Усилительные свойства транзистора характеризует один из главных его параметров - статический коэффициент усиления по току. Поскольку он должен характеризовать только сам транзистор, его определяют в режиме без нагрузки (Rк = 0). Численно он равен .

Коэф.усил. каскада по напряжению равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного переменного напряжения. Входным является переменное напряжение , а выходным - переменное напряжение на резисторе (напряжение коллектор-эмиттер). Напряжение база-эмиттер не превышает десятых долей вольта, а выходное достигает единиц и десятков вольт (при достаточном сопротивлении нагрузки и напряжении источника E2). Отсюда вытекает, что коэффициент усиления каскада по мощности равен сотням, тысячам, а иногда десяткам тысяч. Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома: и составляет обычно от сотен Ом до едениц кОм. Входное сопротивление транзистора при включении по схеме ОЭ получается сравнительно небольшим, что является существенным недостатком. Важно также отметить, что каскад по схеме ОЭ переворачивает фазу напряжения на 180°. К достоинствам схемы ОЭ можно отнести удобство питания ее от одного источника, поскольку на базу и коллектор подаются питающие напряжения одного знака. К недостаткам относят худшие частотные и температурные свойства (например, в сравнении со схемой ОБ). С повышением частоты усиление в схеме ОЭ снижается. К тому же, каскад по схеме ОЭ при усилении вносит значительные искажения.

30. Системы параметров транзисторов. Y-параметры, формальная схема замещения.

Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства. С помощью параметров можно оценивать качество транзисторов, решать задачи, связанные с применением транзисторов в различных схемах, и рассчитывать эти схемы. Для транзисторов предложено несколько различных схем параметров, у каждой свои достоинства и недостатки. Все параметры делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы его включения, а вторичные параметры для различных схем включения различны. Y-параметры относятся ко вторичным параметрам. Они имеют смысл проводимостей. Для низких частот они являются чисто активными. Все системы вторичных параметров основаны на том, что транзистор рассматривается как четырехполюсник (2 входа и 2 выхода). Вторичные параметры связывают входные и выходные переменные токи и напряжения и справедливы только для малых амплитуд. Поэтому их называют низкочастотными малосигнальными параметрами.

Входная проводимость:

Выходная проводимость:

Параметр показывает, какое изменение тока получается за счет обратной связи при изменении выходного напряжения U2 на 1 В.

Достоинство y-параметров – их сходство с параметрами электронных ламп. Недостаток – очень трудно измерять и , так как нужно обеспечить режим КЗ для переменного тока на входе, а измеряющий микроамперметр имеет сопротивление, сравнимое с входным сопротивлением самого транзистора. Поэтому гораздо чаще используют смешанные (или гибридные) h-параметры, которые удобно измерять и которые приводят во всех справочниках.

Формальная схема замещения:

31. Система Z-параметров и ее схема замещения. Режимы в которых измеряются Z-параметры.

Z – параметры четырехполюсника рассчитываются по результатам измерения в режиме холостого тока (когда один из токов равен нулю):

32. Система H-параметров и ее формальная схема замещения

При выполнении малосигнального анализа усилительных устройств по переменному току транзистор удобно рассматривать в виде линейного четырехполюсника, который описывается системой h-параметров, связывающей между собой амплитудные значения переменных составляющих входных и выходных токов и напряжений

33. Определение H-параметров по характеристикам на НЧ.

Для определения h-параметров воспользуемся семействами входных и выходных характеристик для схемы с ОЭ

Параметры h21э, h22э определяются по выходным характеристикам.

34. Физические параметры транзистора, r_э, r_к,r_б, .

r_б— дифференциальное сопротивление базовой области транзистора

r_э — дифференциальное сопротивление эмиттера

r_к - дифференциальное сопротивление коллектора в схеме с ОБ

 - дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ

— дифференциальный коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ

35. Физические T-образные схемы замещения с генератором тока и генератором напряжения.

Т-образная эквивалентная схема транзистора-четырехполюсника с источником напряжения

Т-образная эквивалентная схема транзистора-четырехполюсника с источникомтока

37. Связь рабочих параметров БТ с h-параметрами.

Статические характеристики позволяют определить основные параметры транзистора. Для описания свойств транзистора по переменному току чаще всего используется система h-параметров, которая представляется следующими уравнениями:

dU_вх = h₁₁dI_вх + h₁₂dU_вых;

dI_вых = h₂₁dI_вх + h₂₂dU_вых.

При нахождении h-параметров по статическим характеристикам дифференциалы заменяются конечными приращениями, тогда:

входное сопротивление

коэффициент обратной связи по напряжению

коэффициент передачи по току

выходная проводимость.

Для определения h-параметров воспользуемся семействами входных и выходных характеристик для схемы с ОЭ (рис. 5,а, рис. 5,б). В заданной точке А на линейном участке семейства входных характеристик строим треугольник, проведя прямые параллельно оси абсцисс и ординат до пересечения со следующей характеристикой. Приращения токов и напряжений позволяют определить параметры h_11э и h_12э: