- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов по характеру рабочей среды, мощности, частотному диапазону.
- •2. Свойства полупроводников. Основные материалы полупроводниковой электроники, и их основные электрофизические параметры.
- •3. Элементы зонной теории полупроводников. Генерация и рекомбинация носителей.
- •4. Собственные и примесные полупроводники. Концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •5. Дрейфовое движение, подвижность носителей и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
- •6.Дрейфовый и диффузионный токи.
- •7. Зависимость плотности дрейфового тока и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
- •8. Тип электронно-дырочных переходов и контактов.
- •9. Образование p-n-перехода. Диффузионная длина электронов и дырок.
- •10. Процессы в p-n-переходе при отсутствии внешнего электрического поля. Контактная разность потенциалов.
- •11. Симметричный и несимметричный p-n-переходы.
- •12. Распределение электронов и дырок в p-n-переходе. Определение напряженности и толщины p-n-перехода при отсутствии внешнего напряжения.
- •13. Работа p-n-перехода при подаче внешнего прямого напряжения. Явление инжекции.
- •15. Уравнение вольт-амперной характеристики. Отличие реальной характеристики от теоретической.
- •16.Пробой p-n-перехода. Виды пробоя.
- •17. Емкости в p-n-переходе.
- •1 8. Устройство полупроводниковых диодов. Классификация диодов по частоте, мощности, по назначению.
- •19. Основные параметры диодов и определение их по статическим характеристикам. Схема замещения диода.
- •21.Принцип работы и схема включения стабилитрона. Основные параметры стабилитрона.
- •22. Варикапы. Принцип действия. Основные параметры варикапов. Схема замещения варикапа на нч, на вч.
- •23. Импульсные диоды. Основные параметры, характеризующие работу в импульсном режиме.
- •24. Принцип действия, характеристики и параметры тд. Расчет основных параметров тд.
- •25. Устройство биполярных транзисторов. Определение режимов работы транзистора.
- •26. Схемы включения транзисторов: сОб, оэ, ок. Связь между коэффициентами передачи тока в различных схемах включения.
- •27. Токи в транзисторе в активном режиме.
- •28. Статические характеристики бт в схеме с об.
- •29. Особенности работы схемы с оэ.
- •30. Системы параметров транзисторов. Y-параметры, формальная схема замещения.
- •38. Построение нагрузочных характеристик и кривой допустимой мощности. Выбор области безопасного режима.
- •39. Особенности работы транзисторов на вч.
- •40. Устройство и принцип действия полевых транзисторов. Классификация полевых транзисторов.
- •41. Расчет напряжения отсечки и напряжения насыщения в пт.
- •42. Схемы включения пт: ои, ос, оз.
- •43. Статические характеристики пт с управляющем p-n-переходом.
- •44. Статические параметры пт и расчет их по характеристикам.
- •45. Расчет коэффициента усиления и выходной мощности пт в рабочем режиме.
- •4 6. Эквивалентная схема пт.
- •48. Электронно-лучевые приборы. Устройство электронно-лучевых трубок. Системы фокусировки и отклонения.
- •49.Устройство и принцип действия электростатической системы и магнитной фокусировки.
- •50.Отклоняющие системы элт. Чувствительность трубок с электростатической и магнитной отклоняющими системами.
- •51. Экраны элт. Основные параметры экранов, типы экранов. Обозначения элт.
- •52. Типы элт: осциллографические, индикаторные, кинескопы и их особенности.
- •53. Газоразрядные индикаторы. Принцип работы газоразрядных индикаторных панелей (гип).
- •54. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство жки.
- •55. Полупроводниковые индикаторы. Устройство и принцип действия.
- •56. Фотоэлектрические приборы. Типы фотоэлектрических приборов: основные характеристики и параметры. Области применения.
- •57. Оптоэлектронные приборы. Классификация и типы.
- •58. Оптроны, устройство и принцип действия. Типы оптронов.
- •59.Шумы полупроводниковых приборов. Сравнительная оценка шумовых свойств бт пт.
- •60. Устройство и принцип действия электровакуумных приборов. Типы электронных ламп и области их применения.
57. Оптоэлектронные приборы. Классификация и типы.
Оптоэлектроника — область науки и техники, использующая процессы взаимодействия оптического излучения с веществом и оптическое излучение вещества для изучения фундаментальных свойств материи, а также для передачи, приема, переработки, хранения и отображения информации.
Широкое освоение оптического диапазона определяется рядом принципиальных преимуществ световых волн по сравнению с радиоволнами:
1) большой информационной емкостью оптической связи, что обусловлено очень высокой частотой световых волн. Так в видимом участке спектра f ~ (1013... 1015) Гц для передачи обычного телевизионного изображения необходима полоса частот f = 6 мГц, поэтому в УКВ и дециметровом диапазонах можно разместить до нескольких сотен телевизионных каналов. В оптическом диапазоне это число возрастает до сотен миллионов и более;
2) высокой направленностью излучения из-за малого отнош. длины волны к размерам апертуры излучателя;
3) возможностью реализации идеальной гальванической развязки входа и выхода, однонаправленностью потока информации, высокой помехозащищенностью, исключением взаимных наводок и паразитных связей между различными элементами схемы. Все это достигается за счет того, что фотоны являются электрически нейтральными квазичастицами, которые не взаимодействуют между собой и с внешним электрическим и магнитным полями;
4) высокой плотностью записи информации в оптических запоминающих устройствах, что открывает новые перспективы для построения ЭВМ последующих поколений.
Для реализации этих преимуществ необходимы прежде всего оптоэлектронные приборы, имеющие хорошие характеристики. Оптоэлектронные приборы — это устройства, в которых основные процессы происходят с участием фотонов. В зависимости от особенностей протекающих процессов все оптоэлектронные приборы можно разделить на три группы:
1) светоизлучатели, преобразующие электрическую энергию в оптическое излучение (светодиоды, полупроводниковые лазеры, люминесцентные конденсаторы);
2) фотоприемники (фотодетекторы), которые преобразуют оптическое излучение в электрические информационные сигналы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и т.д.);
3) солнечные преобразователи, преобразующие оптическое излучение в электрическую энергию (солнечные батареи, фотовольтические приборы).
Помимо указанных приборов, в различных областях науки и техники широко используются оптоэлектронные пары — полупроводниковые приборы, состоящие из светоизлучающего и фотоприемного элементов, между которыми существует оптическая связь через посредство оптического канала, обеспечивающего электрическую изоляцию между входом и выходом(последовательного преобразования «ток-свет-ток»). Светоизлучатель, фотоприемник и оптический канал, реализующий гальваническую развязку между входом и выходом, конструктивно объединены в одном корпусе.
Для применения в различных электронных устройствах служат оптоэлектронные интегральные схемы — интегральные микросхемы, в которых осуществляется оптическая связь между отдельными узлами или компонентами с целью изоляции их друг от друга (гальванической развязки).