- •1. Определение электронных приборов. Классификация электронных приборов по характеру рабочей среды, мощности, частотному диапазону.
- •2. Свойства полупроводников. Основные материалы полупроводниковой электроники, и их основные электрофизические параметры.
- •3. Элементы зонной теории полупроводников. Генерация и рекомбинация носителей.
- •4. Собственные и примесные полупроводники. Концентрация носителей в примесных полупроводниках.
- •5. Дрейфовое движение, подвижность носителей и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
- •6.Дрейфовый и диффузионный токи.
- •7. Зависимость плотности дрейфового тока и ее зависимость от температуры и концентрации примесей.
- •8. Тип электронно-дырочных переходов и контактов.
- •9. Образование p-n-перехода. Диффузионная длина электронов и дырок.
- •10. Процессы в p-n-переходе при отсутствии внешнего электрического поля. Контактная разность потенциалов.
- •11. Симметричный и несимметричный p-n-переходы.
- •12. Распределение электронов и дырок в p-n-переходе. Определение напряженности и толщины p-n-перехода при отсутствии внешнего напряжения.
- •13. Работа p-n-перехода при подаче внешнего прямого напряжения. Явление инжекции.
- •15. Уравнение вольт-амперной характеристики. Отличие реальной характеристики от теоретической.
- •16.Пробой p-n-перехода. Виды пробоя.
- •17. Емкости в p-n-переходе.
- •1 8. Устройство полупроводниковых диодов. Классификация диодов по частоте, мощности, по назначению.
- •19. Основные параметры диодов и определение их по статическим характеристикам. Схема замещения диода.
- •21.Принцип работы и схема включения стабилитрона. Основные параметры стабилитрона.
- •22. Варикапы. Принцип действия. Основные параметры варикапов. Схема замещения варикапа на нч, на вч.
- •23. Импульсные диоды. Основные параметры, характеризующие работу в импульсном режиме.
- •24. Принцип действия, характеристики и параметры тд. Расчет основных параметров тд.
- •25. Устройство биполярных транзисторов. Определение режимов работы транзистора.
- •26. Схемы включения транзисторов: сОб, оэ, ок. Связь между коэффициентами передачи тока в различных схемах включения.
- •27. Токи в транзисторе в активном режиме.
- •28. Статические характеристики бт в схеме с об.
- •29. Особенности работы схемы с оэ.
- •30. Системы параметров транзисторов. Y-параметры, формальная схема замещения.
- •38. Построение нагрузочных характеристик и кривой допустимой мощности. Выбор области безопасного режима.
- •39. Особенности работы транзисторов на вч.
- •40. Устройство и принцип действия полевых транзисторов. Классификация полевых транзисторов.
- •41. Расчет напряжения отсечки и напряжения насыщения в пт.
- •42. Схемы включения пт: ои, ос, оз.
- •43. Статические характеристики пт с управляющем p-n-переходом.
- •44. Статические параметры пт и расчет их по характеристикам.
- •45. Расчет коэффициента усиления и выходной мощности пт в рабочем режиме.
- •4 6. Эквивалентная схема пт.
- •48. Электронно-лучевые приборы. Устройство электронно-лучевых трубок. Системы фокусировки и отклонения.
- •49.Устройство и принцип действия электростатической системы и магнитной фокусировки.
- •50.Отклоняющие системы элт. Чувствительность трубок с электростатической и магнитной отклоняющими системами.
- •51. Экраны элт. Основные параметры экранов, типы экранов. Обозначения элт.
- •52. Типы элт: осциллографические, индикаторные, кинескопы и их особенности.
- •53. Газоразрядные индикаторы. Принцип работы газоразрядных индикаторных панелей (гип).
- •54. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство жки.
- •55. Полупроводниковые индикаторы. Устройство и принцип действия.
- •56. Фотоэлектрические приборы. Типы фотоэлектрических приборов: основные характеристики и параметры. Области применения.
- •57. Оптоэлектронные приборы. Классификация и типы.
- •58. Оптроны, устройство и принцип действия. Типы оптронов.
- •59.Шумы полупроводниковых приборов. Сравнительная оценка шумовых свойств бт пт.
- •60. Устройство и принцип действия электровакуумных приборов. Типы электронных ламп и области их применения.
52. Типы элт: осциллографические, индикаторные, кинескопы и их особенности.
Осциллографическая электронно-лучевая трубка предназначена для отображения на люминесцентном экране электрических сигналов. Изображение на экране служит не только для визуальной оценки формы сигнала, но и для измерения его параметров, а в некоторых случаях – для фиксации его на фотоплёнку.
Индикаторная электронно-лучевая трубка — предназначена для отображения знакографической, телевизионной и радиолокационной информации в различных устройствах и приборах. В индикаторныхЭЛТприменяется электромагнитное отклонение электронного луча.Фокусировка луча в разных моделях может осуществляться как электростатическим, так и магнитным способом. Экран индикаторных ЭЛТ может быть как прямоугольной, так и круглой формы. По цвету формируемого изображения индикаторные ЭЛТ бывают монохромные и многоцветные.
Кинеско́п— электронно-лучевой прибор, преобразующий электрические сигналы в световые. Широко применяется в устройстве телевизоров.
Основные части:
Электронная пушка, предназначена для формирования электронного луча, в цветных кинескопах и многолучевых осциллографических трубках объединяются в электронно-оптический прожектор;
экран, покрытый люминофором— веществом, светящимся при попадании на него пучка электронов;
отклоняющая система, управляет лучом таким образом, что он формирует требуемое изображение.
53. Газоразрядные индикаторы. Принцип работы газоразрядных индикаторных панелей (гип).
Газоразрядный индикатор— ионный прибор для отображения сложной информации, использующий тлеющий разряд. По сравнению с единичным индикатором —неоновой лампой— обладает более широкими возможностями. Для изготовления отображающего устройства заданной сложности газоразрядных индикаторов потребуется меньше, чем потребовалось бы для сопоставимого по сложности устройства единичных неоновых ламп.
Принцип работы индикаторной панели заключается в следующем: для вывода информации между анодом и катодом прикладывается напряжение выше напряжения возникновения разряда в индикаторных ячейках, происходит пробой газового промежутка, после чего напряжение на ячейках уменьшается до напряжения поддержания газового разряда. Ультрафиолетовое излучение разряда возбуждает люминофорные элементы, обеспечивая их свечение. В результате воспринимается суммарная яркость свечения люминофорных элементов и газового разряда.
При использовании ГИП в условиях повышенной внешней освещенности яркость индикаторных ячеек должна превышать яркость отраженного от внешнего источника света. Учитывая особенности работы индикаторной ячейки, яркость свечения ее ограничена и определяется конструкцией. Поэтому для улучшения качества восприятия информации и эксплуатации ГИП при различных уровнях освещенности необходимо снижать яркость отраженного света.
54. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство жки.
Жидкокристаллические индикаторы появились недавно (70-е годы) и стали широко применяться в качестве СОИ. ЖК-индикаторы - пассивные устройства. Они не генерируют свет и требуют дополнительной подсветки, сами же выполняют роль модулятора, работая в режиме пропускания или отражения света.
Жидкие кристаллы (ЖК) представляют собой органические жидкости, имеющие удлиненные стержнеобразные молекулы. Различают ЖК трех типов (рис. 5.2): смектические, нематические и холестерические.
Достоинства ЖК-индикаторов заключаются в следующем:
- малая потребляемая мощность (110 мкВт/см2);
- работа при высоком уровне внешней освещенности;
- простота конструкции и технологии изготовления;
- низкая стоимость, низкое рабочее напряжение.
К основным недостаткам ЖК-индикаторов следует отнести узкий диапазон рабочих температур (от -10 до +60° С), длительные переходные процессы, к тому же зависящие от температуры.
При комнатной температуре в отсутствие электрического поля ориентация молекул жидких кристаллов хаотична, ввиду чего вещество не прозрачно. При возникновении электрического поля происходит упорядочивание молекул, и в результате вещество становится оптически прозрачно.
Схематичное изображение в разрезе жидкокристаллического индикатора (или LED), работающего на отражение:
На рисунке цифрами обозначено:
1 – стекло или подобный прозрачный материал;
2 – плёнки прозрачных электродов, образующих матрицу;
3 – жидкие кристаллы;
4 – металлическая поверхность.
Прозрачный электрод изготавливают в форме цифр или символов, в соответствии с тем, какое изображение желают получить. Между токопроводящими плёнками нужных в данный момент прозрачных электродов и металлическим основанием подсоединяют генератор, вырабатывающий переменное напряжение амплитудой от 2 до 15 В и частотой от десятков до тысяч герц.