Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
70-86.docx
Скачиваний:
6
Добавлен:
25.09.2019
Размер:
196.2 Кб
Скачать

63. Однопереходные транзисторы.

Однопереходный транзистор – это трёхэлектродный полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами базовой области, предназначенными для переключения и генерирования электрических импульсов за счёт модуляции сопротивления базы в результате инжекции через p-n-переход неосновных носителей заряда.

База однопереходного транзистора выполнена из полупроводника n-типа, электронная область – из полупроводника p-типа. Эмиттерная область должна быть более низкоомной, чем базовая. В этом случае при прямом включении p-n-перехода прямой ток через него будет иметь в основном лишь дырочную составляющую. Дырки инжектируются в базу, где они являются неосновными носителями. Для компенсации этого объёмного заряда через один из невыпрямляющих контактов в базу вводят основные носители.

При этом происходит уменьшение сопротивления базы и увеличение тока в цепи нагрузки. При подаче напряжения Uб2 и Uб1на базовые выводы вдоль базы будет протекать ток Iб2 , создающий продольное падение напряжения между базовыми выводами.

– закрытом, которое характеризуется большими сопротивлениями между различными выводами транзистора;

– открытом (состоянии насыщения), которое характеризуется малыми сопротивлениями между выводами транзистора.

-при подаче напряжения на базовые выводы Uб2б1 в цепи будет протекать ток базы Iб, который создает на участке I1падение напряжения Uвнутр.

-если напряжение Uэб1<=Uвнутр, p-n переход смещается в обратном направлении и во входной цепи протекает небольшой обратный ток.

-если напряжение Uэб>=Uвнутр, p-n переход смещается в прямом направлении и дырки с области эмиттера инжектируют в базу

Инжекция вначале происходит через часть p-n перехода, расположенного ближе к Б1, что приводит к ещё большему открытию p-n перехода и появлению на характеристике участка с отрицательным сопротивлением.

64. Основные понятия оптоэлектроники.

Оптоэлектроника – это область электроники, где в качестве носителя информации используются электромагнитные волны оптического диапазона.

Длины волн оптического диапазона лежат от 10 нм до 1мм

Оптический диапазон делится

  • Ультрафиолетовый излучение (от 0,01 до 0,38 мкм)

  • Видимое излучение (0,38 до 0,78 мкм)

  • Инфракрасное излечение (0,78 до 1мм)

В оптических средах носителями сигналов явл. электрически нейтральные фотоны, которые в световом потоке не взаимодействуют между собой. Оптические цепи не подвержены влиянию электрических и магнитных полей.

Использование в качестве носителя информации электрически нейтральных фотонов обеспечивает:

  • Идеальную электрическую развязку входной и выходной цепей оптоэлектронного элемента связи

  • Однонаправленность передачи и отсутствие влияния приемника на передатчик

  • Высокую помехозащищенность оптических каналов связи вследствие невосприимчивости фотонов к воздействию электрических и магнитных полей

  • Отсутствие паразитных связей между каналами, а так же хорошее согласование цепей с разными входными и выходными сопротивлениями.

В устройствах оптоэлектроники передача информации от управляемого источника света (фотоизлучателя) к фотоприемнику осуществляется через светопроводящую среду(воздух, вакуум, световоды), исполняющую роль проводника оптического излучения. Светодиодные линии являю.тся эквивалентами электрических проводников и характеризуются большой пропускной способностью, возможностью совмещать в одном световоде большое число каналов связи при очень высокой скорости передачи информации, достигающей гигабит в секунду. Оптическое излучение легко разделяется по динам волн, поэтому можно объединять в одном световоде несколько каналов информации.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]