Для пласта неограниченной мощности значения к подсчитаны для ряда наиболее важных практически случаев. Это кривые зависимости к /с от l/dС. Это теоретические кривые бкз

Удобно пользоваться логарифмическим масштабом. На каждый бланк с логарифмической сеткой наносят несколько кривых БКЗ, объединенных согласно этому принципу на одном бланке, называется палеткой БКЗ.

Двухслойные кривые БКЗ для градиент – зондов свидетельствуют о следующем:

1.При очень малых L величина к приближается к величине с независимо от _п.

2. При пс с увеличением длины зонда к сначала растет, становится равным п и потом превышает его. Достигнув максимального значения, к при дальнейшем увеличении длины зонда стремится к удельному и становится равном ему.

3. При пс с увеличением длины зонда _к сначала уменьшается, становится равным п ,а затем меньше него. Достигнув минимального значения, _к при дальнейшем увеличении L приближается к _п и, наконец, становится равным ему.

Таким образом, правой асимптотой кривых БКЗ является величина п, а левой – значение п = с.

Трехслойные кривые бкз

сгруппированы на трехслойных палетках БКЗ, которые отличаются друг от друга параметрами зп с и D/dc.

З она проникновения изменяется в большинстве случаев от 5 до 100 с, а D – от 2 до 16 dc. В случае необходимости палетки и отдельные трехслойные кривые получают путем интерполяции.

Форма кривых кажущегося сопротивления. Экранирование

Из сопоставления двухслойных и трехслойных кривых видно, что:

1. Понижающее проникновение приводит в основном к понижению _к, а повышающее – к повышению по сравнению с показаниями против пласта такого же удельного сопротивления без проникновения. Изменение показаний характерно для малых и средних градиент - зондов и несущественно для зондов большой длины.

Чем больше глубина ЗП, тем больше L, при котором проникновение влияет на _к.

Любая трехслойная кривая расположена между двумя двухслойными кривыми БКЗ, модули которых равны значениям _п/_с и _зп_с данной трехслойной кривой. Левые ветви трехслойных кривых приближаются к двухслойной кривой с модулем, равным зпс, а их правые ветви – к трехслойной кривой с модулем _зп_с.

Форма кривых кажущегося сопротивления Экранирование

Ф орма кривой КС и величина _к зависит от мощности пласта h. При интерпретации каротажных диаграмм большую роль играет отношение длины зонда к мощности пласта L/h. Форма кривой КС и величина _к для пластов hL существенно различаются.

Подошвенный градиент-зонд (Рис. 25а)

1. При Lh кривая КС образует минимум в кровле пласта – минимальное значение ниже к покрывающих пласт пород. Против пласта кривая КС возрастает от кровли к подошве. Ширина пика КС меньше h на величину L. Участок длиной L в кровле пласта со сравнительно заниженным сопротивлением наземной зоной экранирования (ЗЭ). К подошве пласта кривая КС достигает максимума, превышающего п и далее спадает до к подстилающих пород.

2. При L=h зона экранирования занимает основную часть кривой КС против пласта. Только в подошве наблюдается узкий пик с кп.

При Lh против пласта наблюдается несколько смещенный к подошве симметричный max с кп. Значения к – занижены.

Для кровельных градиент – зондов картина зеркально симметричная.

П отенциал – зонд (б).

При Lh пласт на кривой КС отмечается максимумом, симметричным относительно середине пласта. Кровлю пласта смещают на L/2 выше, а подошву пласта – на L/2 ниже участков кривой КС с наибольшей крутизной.

При Lh пласт отмечается небольшим min. Величина _к против вмещающих пород на L/2 выше и ниже границ пласта.

Два пласта высокого сопротивления, расположенные недалеко друг от друга, оказывают взаимное влияние на форму кривой КС, полученных градиент – зондом.

Если соседний экранирующий пласт высокого сопротивления расположены со стороны парных электродов ГЗ, то он не оказывает существенного влияния на величину _к против исследуемого пласта.

1. Если расстояние между серединами пластов меньше L, то _к - занижены против пласта (рис. а-в).

2. Если расстояние между серединами пластов больше L, то _к против исследуемого пласта завышено (г).

Занижающее экранирование вызвано тем, что при положении электродов M и N против исследуемого пласта электрод А оказывается под экранирующим пластом, который действуя как малопроводящий экран, препятствует распространению тока в сторону электродов M, N.

Завышающее экранирование вызвано тем, что при положении электродов M,N против исследуемого пласта электрод А находится ниже экранирующего пласта, и ток от него распространяется преимущественно вниз.

При исследовании двух пластов высокого сопротивления кровельным градиент – зондом ход кривых КС меняется на обратный.

Экранирование является существенным ограничением и снимает эффективность БКЗ при изучении пластов малой и средней мощности с наличием экранирующих пластов высокого сопротивления.

При измерении потенциал – зондом соседние пласты не оказывают существенного влияния на показания против пласта высокого сопротивления.

Для градиент – зонда – кривые КС сильно искажены, что ограничивает их применение по сравнению с ГЗ.