- •Электронные твердотельные приборы
- •Часть 1
- •Введение
- •1.1 Общие сведения о полупроводниках
- •1.2. Собственные полупроводники
- •1.3. Электронные полупроводники
- •1.4. Дырочные полупроводники
- •1.5. Токи в полупроводниках
- •Контрольные вопросы
- •2.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
- •2.2. Прямое и обратное включение p-n перехода
- •2.3. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.4. Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •Контрольные вопросы
- •3.1. Классификация, разновидности
- •3.2. Стабилитроны
- •3.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •Контрольные вопросы
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Физические процессы и токи в транзисторе
- •4.2. Moдyляция ширины бaзы
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Влияние температуры на статистические характеристики
- •4.5. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема
- •4.6. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
- •4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Физические процессы в полевом транзисторе с p-n-переходом
- •5.2. Малосигнальные параметры полевого транзистора
- •5.3. Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала
- •5.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.5. Полевой транзистор с плавающим затвором
- •5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки
- •5.7. Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •Контрольные вопросы
- •6. Тиристоры
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический Список
- •ОглавлеНие
- •Электронные твердотельные приборы
- •680021, Г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.
ОглавлеНие
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 4
1.1. Общие сведения о полупроводниках 4
1.2. Собственный полупроводник 6
1.3. Электронный полупроводник 8
1.4. Дырочный полупроводник 9
1.5. Токи в полупроводниках 10
1.5.1. Дрейфовый ток 10
1.5.2 Диффузионный ток 12
Контрольные вопросы 14
2. Контактные явления в полупроводниках 14
2.1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия 15
2.2. Прямое и обратное включения p-n-перехода 18
2.3. Теоретическая вольтамперная характеристика p-n-перехода 20
2.4. Реальная вольтамперная характеристика p-n-перехода 22
2.5. Ёмкости p-n-перехода 25
Контрольные вопросы 26
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 26
3.1. Классификация, разновидности 26
3.2. Стабилитроны 29
3.3. Параметрический стабилизатор напряжения 31
Контрольные вопросы 33
4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 33
4.1. Физические процессы и токи в транзисторе 33
4.2. Модуляция ширины базы 36
4.3. Статические характеристики 37
4.4. Влияние температуры на статистические характеристики БТ 41
4.5. Малосигнальные параметры и эквивалентная схема 42
4.6. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
Расчёты основных параметров 44
4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
и способы их улучшения 48
Контрольные вопросы 49
5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 50
5.1. Физические процессы в полевом транзисторе с p-n переходом
и его статические характеристики 50
5.2. Малосигнальные параметры полевого транзистора 53
5.3. Эквивалентная схема полевого транзистора для малого сигнала 54
5.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором 55
5.5. Полевой транзистор с плавающим затвором 57
5.6. Полевой транзистор с затвором Шоттки 58
5.7. Усилительный каскад на полевом транзисторе 59
Контрольные вопросы 61
6. ТИРИСТОРЫ 62
Контрольные вопросы 65
библиографический Список 67
Учебное издание
Нахалов Владимир Алексеевич
Электронные твердотельные приборы
Учебное пособие
Редактор А.А. Иванова
Технический редактор С.С. Заикина
Корректор Г.Ф. Иванова
—————–––––––––————————————————————————
План 2005 г. Поз. 4.19. ИД № 05247 от 2.07.2001 г.
Сдано в набор 29.03.2005 г. Подписано в печать 18.01.2006 г. Формат 60841/16. Бумага тип. № 2. Гарнитура «Arial». Печать RISO.
Усл. печ. л. 4,1. Зак. 341. Тираж 190 экз.
————––––––––—————————————————————————
Издательство ДВГУПС
680021, Г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.