- •1.Информационные системы и их классификация
- •2.Вычислительная система: определение, виды, свойства.
- •3. Основные классы вычислительных машин
- •4. Многомашинные и многопроцессорные вс. Схема взаимодействия компьютеров в вс.
- •5. Многомашинные и многопроцессорные вс. Схема взаимодействия процессоров в вс.
- •6. Суперкомпьютеры и особенности их архитектуры.
- •7. Кластерные суперкомпьютеры.
- •8.Структурная схема пк. Основные элементы: определения и назначение.
- •9.Структурная схема пк. Системная шина.(схема из пред вопроса)
- •10. Структурная схема пк. Дополнительные интегральные микросхемы.
- •11. Элементы конструкции пк. Функциональные характеристики пк.
- •12. Представление информации в вычислительных машинах.
- •13. Представление информации в вычислительных машинах. Представление чисел с фиксированной точкой.
- •14. Представление информации в вычислительных машинах. Представление чисел с плавающей точкой.
- •15. Микропроцессоры: определение, функции, основные параметры.
- •16. Типы микропроцессоров: misc, cisc.
- •17. Типы микропроцессоров: risc, vliw.
- •18. Физическая и функциональная структура микропроцессора. Устройство управления.
- •19.Физическая и функциональная структура микропроцессора. Арифметико-логическое устройство.
- •20.Системная (материнская плата). Северный и южный мосты.
- •21.Шины. Виды шин. Локальные шины.
- •22.Шины. Виды шин. Периферийные шины.
- •23.Запоминающие устройства. Статическая и динамическая память.
- •24. Запоминающие устройства. Структурная схема основной памяти.
- •25. Регистровая кэш-память
- •26. Дисковые массивы raid
- •29.Виртуализация. Типы мониторов виртуальных машин.
- •30.Виртуализация. Методы виртуализации.
- •31.Общие сведения о Hyper-V. Кольца процессора.
- •32.Гипервизор Windows. Общие понятия
- •33.Гипервизор Windows. Разделы
- •34.Архитектура Hyper-V
24. Запоминающие устройства. Структурная схема основной памяти.
П ри матричной организации адрес ячейки, поступающий в регистр адреса, например по 20-разрядным кодовым шинам адреса, делится на две 10-разрядные части, поступающие соответственно в Рег. адр. X и Рег. адр. Y. Из этих регистров коды полуадресов поступают в дешифраторы дешифратор X и дешифратор Y, каждый из которых в соответствии с полученным адресом выбирает одну из 1024 шин. По выбранным шинам подаются сигналы записи-считывания в ячейку памяти, находящуюся на пересечении этих шин. Таким образом адресуется 106 (точнее 10242) ячеек.
Считываемая или записываемая информация поступает в регистр данных (Рег. данных), непосредственно связанный с кодовыми шинами данных. Управляющие сигналы, определяющие, какую операцию следует выполнить, поступают по кодовым шинам инструкций. Куб памяти содержит набор запоминающих эле- ментов — собственно ячеек памяти.
Основная память (ОП) содержит оперативное (RAM — Random Access Memory) и постоянное (ROM — Read Only Memory) запоминающие устройства.
Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) предназначено для хранения информации (программ и данных), непосредственно участвующей в вычислительном процессе в текущий интервал времени. ОЗУ — энергозависимая память: при отключении напряжения питания информация, хранящаяся в ней, теряется. Основу ОЗУ составляют микросхемы динамической памяти DRAM. Это большие интегральные схемы, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих элементов — полупроводниковых конденсаторов. Наличие заряда в конденсаторе обычно означает «1», отсутствие заряда — «О». Конструктивно элементы oneративной памяти выполняются в виде отдельных модулей памяти — небольших плат с напаянными на них одной или, чаще, несколькими микросхемами. Эти модули вставляются в разъемы — слоты на системной плате. На материнской плате может быть несколько групп разъемов — банков — для установки модулей памяти; в один банк можно ставить лишь блоки одинаковой емкости, например, только по 16 Мбайт или только по 64 Мбайт; блоки разной емкости можно устанавливать только в разных банках.
Модули памяти характеризуются конструктивом, емкостью, временем обращения и надежностью работы. Важным параметром модуля памяти является его надежность и устойчивость к возможным сбоям. Надежность работы современных модулей памяти весьма высокая — среднее время наработки на отказ составляет сотни тысяч часов, но тем не менее предпринимаются и дополнительные меры повышения надежности. Одним из направлений, повышающих надежность функционирования подсистемы памяти, является использование специальных схем контроля и избыточного кодирования информации.
Модули памяти бывают с контролем четности (parity) и без контроля четности (поп parity) хранимых битов данных. Контроль по четности позволяет лишь обнаружить ошибку и прервать исполнение выполняемой программы. Существуют и более дорогие модули памяти с автоматической коррекцией ошибок — ЕСС- память, использующие специальные корректирующие коды с исправлением ошибок.