- •Материалы электронной техники
- •Предисловие
- •Лабораторная работа № 1 исследование зависимости электропроводности полупроводника от напряженности внешнего электрического поля
- •Пояснения к работе
- •Задание
- •Указания по выполнению работы в лаборатории
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 исследование полупроводниковых терморезисторов
- •Пояснения к работе Общие сведения
- •Технология производства терморезисторов
- •Основные параметры и характеристики
- •Задание
- •Указания по выполнению работы в лаборатории
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 исследование диэлектрической проницаемости и электрических потерь диэлектрических материалов
- •Пояснения к работе Поляризация диэлектриков
- •Потери в диэлектриках
- •Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и tgδ
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 исследование характеристик ферромагнитных материалов
- •Пояснения к работе
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование магнитной проницаемости магнитомягких материалов
- •Пояснения к работе
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы Измерение индуктивностей
- •Снятие температурных зависимостей
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование термоэлектрического эффекта
- •Пояснения к работе Контактные явления
- •Термоэлектрический эффект
- •Материалы, применяемые для термопар
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Исходные данные для индивидуальных заданий по вариантам
- •Библиографический список
- •Содержание
Задание
Изучить физику электропроводности полупроводников в слабых и сильных электрических полях, а также указания по выполнению работы в лаборатории.
Снять прямую и обратную ветви вольтамперной характеристики варистора при комнатной температуре T0. Напряжение на варистор подавать от 0 до 20 В, при этом измерения производить через 1–2 В.
Аналогично п. 2 снять ВАХ варистора при значениях температуры варистора T1 и T2, заданных преподавателем (табл. П.1 приложения).
По результатам измерений построить вольтамперные характеристики варистора для трех значений температур.
На основании экспериментальных данных построить три графика зависимостей γ = f(E).
Определить графическим путем значение Еk.
Вычислить статические и динамические сопротивления варистора для температуры Tраб и напряжений (U1, U2), заданных преподавателем.
* Жирным шрифтом выделены задания, которые необходимо выполнить непосредственно на лабораторной установке.
Вычислить коэффициенты нелинейности для сопротивлений, найденных по п. 6.
Вычислить температурные коэффициенты изменений тока, напряжения, статического сопротивления.
Построить график зависимости γ = f(Т) для напряжения, заданного преподавателем (U1).
Указания по выполнению работы в лаборатории
Функциональная схема стенда для исследований характеристик варистора приведена на рис. 1.2.
Рис. 1.2. Функциональная схема стенда
Включением тумблера SA1 на источник постоянного напряжения ИПН подается питание. Изменение напряжения от ИПН, прикладываемого к варистору RB, производится при помощи делителя напряжения на R1. Изменение полярности напряжения, прикладываемого к варистору RB, производится переключением тумблера SА2. Измерения напряжения и тока производятся соответственно вольтметром и микроамперметром, установленными на лицевой панели стенда и подключенными в соответствии с функциональной схемой на рис. 1.2. Варистор выполнен в виде диска толщиной l = 2 мм и диаметром D = 11 мм. Варистор помещен в термостат, содержащий датчик электронного термометра, и подключен к испытательному стенду в соответствии с функциональной схемой (рис. 1.2). Нагрев варистора до заданных температур осуществляется включением термостата в сеть переменного тока 220 В с последующим контролем температуры по термометру. Регулирование температуры в термостате осуществляется вручную посредством регулирования напряжения на нагревательном элементе реостатом и тумблером включения. Во избежание перегрева рекомендуется отключать термостат за 5–10 градусов до заданной температуры.
Содержание отчета
Титульный лист.
Цель работы и краткая теория (1–2 с.).
Исходные данные и данные эксперимента.
ВАХ и расчетный график γ = f(E) варистора для трех температур, определенное графическим путем значение Еk.
Расчет основных характеристик варистора по п. 6–9 задания к работе.
График зависимости γ = f(Т) для напряжения U1.
Выводы.
Контрольные вопросы
Какие физические факторы обусловливают нарушение закона Ома в полупроводниковых материалах при действии сильных электрических полей?
Объяснить температурную зависимость электропроводности полупроводниковых материалов от температуры.
Пояснить нелинейную зависимость электропроводности от напряженности внешнего электрического поля.
Какие примеси в ковалентных полупроводниковых материалах являются донорными, а какие – акцепторными?
Чем отличается полупроводник с собственной электропроводностью от полупроводника с примесной электропроводностью?
К какому типу электропроводности (собственной или примесной) относится материал варистора и какой тип химической связи преобладает в нем?
Пояснить механизмы изменения концентрации носителей заряда при изменении электрического поля.
Как влияет величина электрического поля на подвижность носителей заряда?
Понятие варистора.
Конструкции, материалы и технологии изготовления варисторов.
Основные характеристики варисторов.
Область применения варисторов.