- •Материалы электронной техники
- •Предисловие
- •Лабораторная работа № 1 исследование зависимости электропроводности полупроводника от напряженности внешнего электрического поля
- •Пояснения к работе
- •Задание
- •Указания по выполнению работы в лаборатории
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 исследование полупроводниковых терморезисторов
- •Пояснения к работе Общие сведения
- •Технология производства терморезисторов
- •Основные параметры и характеристики
- •Задание
- •Указания по выполнению работы в лаборатории
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 исследование диэлектрической проницаемости и электрических потерь диэлектрических материалов
- •Пояснения к работе Поляризация диэлектриков
- •Потери в диэлектриках
- •Температурная зависимость диэлектрической проницаемости и tgδ
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 исследование характеристик ферромагнитных материалов
- •Пояснения к работе
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование магнитной проницаемости магнитомягких материалов
- •Пояснения к работе
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы Измерение индуктивностей
- •Снятие температурных зависимостей
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование термоэлектрического эффекта
- •Пояснения к работе Контактные явления
- •Термоэлектрический эффект
- •Материалы, применяемые для термопар
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Описание лабораторной установки
- •Задание
- •Порядок проведения лабораторной работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Исходные данные для индивидуальных заданий по вариантам
- •Библиографический список
- •Содержание
Задание
Изучить конструкции терморезисторов типа КМТ, ММТ, СТ-1. Изучить указания по выполнению работы в лаборатории. Взять исходные данные в соответствии с номером бригады из табл. П.2 приложения.
Снять вольт-амперные характеристики терморезисторов (по 6 точек для КМТ и ММТ, для СТ-1 – 4 точки) при комнатной температуре окружающей среды Т0.
Примечание: при снятии ВАХ терморезисторов токи через них не должны превышать:
1,5 mА (для терморезистора КМТ);
2 mA (для терморезистора ММТ-4);
0,2 mА (для терморезистора СТ1-18).
Снять вольтамперные характеристики терморезисторов (по 6 точек для КМТ и ММТ, для СТ-1 – 4 точки) для температур Т2 и Т3, заданных преподавателем (табл. П.2 приложения).
Рассчитать статические сопротивления исследуемых терморезисторов в соответствии с законом Ома (2.10).
Построить температурные зависимости сопротивления R(T) исследуемых терморезисторов (R брать при I = const!). Графическим путем определить точку саморазогрева терморезисторов и максимальную мощность рассеивания.
* Жирным шрифтом выделены задания, которые необходимо выполнить непосредственно на лабораторной установке.
Для рабочего участка ВАХ терморезистора (до точки саморазогрева Umax) рассчитать постоянные В и ТКС для всех исследуемых терморезисторов (допускается принять RTo = RTкомн) для температуры Траб, заданной преподавателем.
Для указанного преподавателем в табл. П.2 приложения терморезистора:
По результатам экспериментальных данных построить зависимости U(I) и R(P) (по формулам (2.8) и (2.9)) терморезистора для температур Т0, Т2 и Т3.
По экспериментальным данным найти дифференциальные сопротивления Rд терморезистора для температур Т0, Т2 и Т3 в середине рабочего участка ВАХ терморезистора.
Указания по выполнению работы в лаборатории
Исследуемые терморезисторы типа ММТ-4; KMT; CT1-18 помещены в муфельную печь-термостат, внутри которой температура контролируется электронным термометром. Изучение конструкций терморезисторов производится визуально. Для этого они смонтированы на специальной плате, которая вынимается из термостата на длину, допускаемую соединительными проводами.
Примечание: категорически запрещается открывать дверцу термостата в процессе нагрева и при включенной в сеть установке.
Нагрев варистора до заданных температур осуществляется включением термостата в сеть переменного тока 220 В с последующим контролем температуры по термометру. Регулирование температуры в термостате осуществляется вручную посредством регулирования напряжения на нагревательном элементе реостатом и тумблером включения. Во избежание перегрева рекомендуется отключать термостат за 5–10 градусов до требуемой температуры.
Электрическая схема лабораторной установки исследования основных характеристик терморезисторов соответствует функциональной схеме, приведенной на рис. 2.2, и смонтирована в блоке, на лицевую панель которого выведены вольтметр V и миллиамперметр mА, переключатель исследуемых терморезисторов SA4, регулятор тока RI, тумблер SA1 подачи питания на установку и лампочка HL1 индикации о включенном питании, тумблеры SA2, SA3 переключения пределов измерения миллиамперметра и вольтметра соответственно.
Рис. 2.2. Функциональная схема лабораторной установки:
SA1 – выключатель питания; HL1 – лампа сигнализаций включения питания; ИТ – источник постоянного тока; RI – регулятор тока; RД – добавочный резистор; SA2, SA3 – переключатели пределов измерения миллиамперметра mA и вольтметра V cоoтветственно; SA4 – переключатель исследуемых терморезисторов; R1, R2, R3 – исследуемые терморезисторы CT1-19, KMT, ММТ-4 соответственно.