Висновки

При розрахунку одноелектронного транзистора були зроблені наступні припущення:

1) квантуванням енергетичного спектра електронiв в кластерi нехтують (спектр вважається неперервним);

2) час τ_t електронного тунелювання через бар'єр передбачається нехтовно малим порiвняно з iншим характерним часом (включаючи iнтервали мiж сусiднiми тунельними подiями). Це припущення є точним для тунельних бар'єрiв, що представляють практичний iнтерес для одноелектронних приладiв, де τ_t~10−15с;

3)когерентнi квантовi процеси, що складаються з декiлькох одночасних тунельних подiй, не враховуються. Це припущення є точним, якщо опiр R всiх тунельних бар'єрiв системи набагато бiльший, нiж квантова одиниця опору Rq: R>>Rq.

В ході роботи побачили, що тунелювання можливе тільки тоді, коли вільна енергія системи зменшується, інакше виникає кулонівська блокада і електрони не тунелюють, знімається блокада подачею різниці потенціалів між емітером і колектором або напруги на затвор.

Також була розрахована кількість вільних електронів: N = Q₀ / e = 774.059. Знак заряду отримали додатнім, це означає, що на острівці були присутні зайві електрони, які після приєднання до електродів пішли з острівця у зовнішнє коло, а сам острівець став позитивно зарядженим.

Також в роботі вивели умови заборони кулонiвською блокадою тунелювання – це так званий "кулонiвський алмаз".

Побудувавши графіки ВАХ, побачили, що на зростання струму впливає збільшення температури та напруги на затворі; отримані криві мають гладкий вигляд, тому що обидва переходи однакові. З графіків провідності бачимо кулонівську блокаду та те, як збільшується кількість електронів із зростанням напруги.

Перелік посилань

1 Шехтер Р. И. // ЖЭТФ 1972. Т. 63. с. 1410, ил.

2 Кулик И. О., Шехтер Р. И. // ЖЭТФ 1975. Т. 68. с. 623, ил.

3 Кузьмин Л. С, Лихарев К. К.// Письма в ЖЭТФ 1987.

4 Назаров Ю. В.// ЖЭТФ. 1989. Т. 95. с. 975, ил.

5 Averin D. V., Korotkov A. N.. Likharev К. К. // Phys. Rev 1991. V. В44. s.6199.

6 Korotkov A. N., Nazarov Yu. V. // Physica 1991. V. B173. s. 217.

7 Korotkov A. N. // Phys. Rev. 1994. V. B49. P. 16518; V. B50. s. 17674.

8 Солдатов E. С, Ханин В. В., Трифонов А. С, Губин С. П., Колесов В. В., Пресное Д. Е., Яковенко С. А., Хомутов Г. Б. // Письма в ЖЭТФ 1996. Т. 64. с. 510.

9 Солдатов Е. С, Ханин В. В., Трифонов А. С, Губин С. П., Колесов В. В., Пресное Д. Е., Яковенко С. А., Хомутов Г. Б., Короткое А. Н. //УФН 1998. Т. 168. с. 217.

10 Korotkov A. N., Likharev К. К.// J. Appl. Phys. 1998. V. 84. s. 6114.

11 Абрамов И. И., Новик Е. Г. // Письма в ЖТФ 2000. Т. 26. c. 63; Микроэлектроника 2000. Т.29. c. 197.

12 Кислов В. В., Колесов В. В., Таранов И. В. // Радиотехника и электроника 2002. Т. 47. с. 1385.

13 (2002) Proc. 7-th Intern. Conf. Nanometer-Scale Science and Technology + 21-st Europ. Conf. Surf. Sci. "NANO-7, ECOSS-21", Malto, Sweden.

14 Ohgi Т., Fujita D. // in

15 and Phys. Rev 2002. V. B66. id.115410.

16 Lu W., Ji Z., Pfeiffer L., West К W., Rimberg A. J. // Nature 2003. V. 423. P. 422.

17 K.K. Likharev// Proc. IEEE 87, 606 (1999).

18 (2000) Technology Roadmap for Nanoelectronics, Compano, ed. European Commission 1ST programme Future and Emerging Technologies, Second Edition, Belgium.

19 I.T. Iakubov, A.G. Khrapak, L.I. Podlubny, V.V. Pogosov// Solid State Commun. 53, 4, 427 (1985);

Погосов В.В., Васютин Е. В. // ФТТ (to be published).

20 Hoffmann M. A., Wrigge G., von Issendorff В.Ц Phys. Rev. 2002. V. B66. 041404(R).

21 Wang I, Guo H, Mozos J.-L, Wan С. С, Taraschi G., Zheng Q. // Phys. ev. Lett. 1998 V. 80. s. 4277.

22 Konig I, Schoeller H. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 80. s. 4277.

23 Sabin J. R., Trickey S. В., Appell P. C, Oddershede J. // Int. J. Quant. Chem. 2000. V. 77. s. 358.

24 Stratton R. // Phys. Rev. 1962. V. 125. P. 67.

25 Conley J. W., Duke С. В., Mahan G. D., Tiemann J. J. // Phys. Rev. 1966. V. 150. s. 466.

26 Matsumoto K., Ishii M., Segawa K., Oka Y., Vartanian B. J., Harris J. S. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. s.34.

27 Kitada M. //http://lt.px.tsukuba.ac.jp/users/kitada/masterthesis.pdf

28 http://qt.tn.tudelft.n