- •Глава 1.
- •§ 1.1. Состав систем автоматики
- •§ 1.2. Физические основы работы электромеханических и магнитных элементов
- •§ 1.3. Статические характеристики
- •§ 1.4. Динамические характеристики
- •§ 1.5. Обратная связь в системах автоматики
- •Глава 2
- •§ 2.1. Электрические измерения неэлектрических величин
- •§2.2. Мостовая измерительная схема постоянного тока
- •§ 2.3. Чувствительность мостовой схемы
- •§ 2.4. Мостовая схема переменного тока
- •§ 2.5. Дифференциальные измерительные схемы
- •§ 2.6. Компенсационные измерительные схемы
- •Раздел II
- •Глава 3
- •§ 3.1. Типы электрических датчиков
- •§ 3.2. Контактные датчики с дискретным выходным сигналом
- •Глава 4
- •§ 4.1. Назначение. Принцип действия
- •§ 4.2. Конструкции датчиков
- •Материалы проводов, используемых для потеициометрических датчиков
- •§ 4.3. Характеристики линейного потенциометрического датчика
- •§ 4.4. Реверсивные потенциометрические датчики
- •§ 4.5. Функциональные потенциометрические датчики
- •Глава 5
- •§ 5.1. Назначение. Типы тензодатчиков
- •§ 5.2. Принцип действия проволочных тензодатчиков
- •§ 5.3. Устройство и установка проволочных тензодатчиков
- •§ 5.4. Фольговые, пленочные, угольные и полупроводниковые тензодатчики
- •§ 5.5. Методика расчета мостовой схемы с тензодатчиками
- •Глава 6
- •§ 6.1. Назначение. Типы электромагнитных датчиков
- •§ 6.2. Принцип действия и основы расчета индуктивных датчиков
- •§ 6.3. Дифференциальные (реверсивные) индуктивные датчики
- •§ 6.4. Трансформаторные датчики
- •§ 6.5. Магнитоупругие датчики
- •§ 6.6. Индукционные датчики
- •Глава 7
- •§ 7.1. Принцип действия
- •§ 7.3. Чувствительность пьезодатчика и требования к измерительной цепи
- •Глава 8
- •§ 8.1. Принцип действия. Типы емкостных датчиков
- •§ 8.2. Характеристики и схемы включения емкостных датчиков
- •Глава 9
- •§ 9.1. Назначение. Типы терморезисторов
- •§ 9.2. Металлические терморезисторы
- •§ 9.3. Полупроводниковые терморезисторы
- •§ 9.4. Собственный нагрев термисторов
- •§ 9.5. Применение терморезисторов
- •Глава 10 термоэлектрические датчики
- •§ 10.1. Принцип действия
- •§ 10.2. Материалы, применяемые для термопар
- •§ 10.3. Измерение температуры с помощью термопар
- •Глава 11 струнные датчики
- •§ 11.1. Назначение и принцип действия
- •§ 11.2. Устройство струнных датчиков
- •Глава 12 фотоэлектрические датчики
- •§ 12.1. Назначение.
- •§ 12.2. Приемники излучения фотоэлектрических датчиков
- •§ 12.3. Применение фотоэлектрических датчиков
- •Глава 13
- •§ 13.1. Принцип действия и назначение
- •§ 13.2. Излучатели ультразвуковых колебаний
- •§ 13.3. Применение ультразвуковых датчиков
- •Глава 14
- •§ 14.1. Физические основы эффекта Холла и эффекта магнитосопротивления
- •§ 14.2. Материалы для датчиков Холла и датчиков магнитосопротивления
- •§ 14.3. Применение датчиков Холла и датчиков магнитосопротивления
- •Раздел III
- •Глава 15
- •§ 15.1. Назначение. Основные понятия
- •§ 15.2. Кнопки управления и тумблеры
- •§ 15.3. Пакетные переключатели
- •§ 15.4. Путевые и конечные выключатели
- •Глава 16
- •§ 16.1. Режим работы контактов
- •§ 16.2. Конструктивные типы контактов
- •§ 16.3. Материалы контактов
- •Глава 17
- •§ 17.1. Назначение. Принцип действия
- •§ 17.2. Основные параметры и типы электромагнитных реле
- •§ 17.3. Электромагнитные реле постоянного тока
- •§ 17.4. Последовательность работы электромагнитного реле
- •§ 17.6. Основы расчета магнитопровода электромагнитного реле
- •§ 17.7. Основы расчета обмотки реле
- •§ 17.8. Электромагнитные реле переменного тока
- •§ 17.9. Быстродействие электромагнитных реле
- •Глава 18
- •§ 18.1. Назначение. Принцип действия
- •§ 18.2. Магнитные цепи поляризованных реле
- •§ 18.3. Настройка контактов и устройство поляризованного реле
- •§ 18.4. Вибропреобразователи
- •Глава 19
- •§ 19.1. Типы специальных реле
- •§ 19.2. Магнитоэлектрические реле
- •§ 19.3. Электродинамические реле
- •§ 19.4. Индукционные реле
- •§ 19.5. Реле времени
- •§ 19.6. Электротермические реле
- •§ 19.7. Шаговые искатели и распределители
- •§ 19.8. Магнитоуправляемые контакты. Типы и устройство
- •§ 19.9. Применение магнитоуправляемых контактов
- •Глава 20
- •§ 20.1. Назначение контакторов и магнитных пускателей
- •§ 20.2. Устройство и особенности контакторов
- •§ 20.3. Конструкции контакторов
- •§ 20.4. Магнитные пускатели
- •§ 20.5. Автоматические выключатели
- •Глава 21
- •§ 21.1. Назначение электромагнитных исполнительных устройств
- •§ 21.2. Классификация электромагнитов
- •§ 21.3. Порядок проектного расчета электромагнита
- •§ 21.4. Особенности расчета электромагнитов переменного тока
- •§ 21.5. Электромагнитные муфты
- •Раздел IV
- •Глава 22
- •§ 22.1 Физические основы работы магнитных усилителей
- •§ 22.2. Принцип действия магнитного усилителя
- •§ 22.3. Основные схемы и параметры нереверсивных магнитных усилителей
- •§ 22.4. Основные характеристики магнитных усилителей
- •§ 22.5. Теория идеального магнитного усилителя
- •§ 22.6. Инерционность идеального магнитного усилителя
- •§ 22.7. Графоаналитический способ построения статической характеристики магнитного усилителя
- •Глава 23
- •§ 23.1. Назначение и способы введения обратной связи
- •§ 23.2. Одноактный магнитный усилитель с внешней обратной связью
- •§ 23.4. Регулировка коэффициента обратной связи
- •§ 23.5. Характеристики реального магнитного усилителя с обратной связью
- •§ 23.6. Графическое построение статической характеристики магнитного усилителя с обратной связью
- •§ 23.7. Магнитные усилители с внутренней обратной связью
- •Глава 24
- •§ 24.1. Статическая характеристика реверсивного (двухтактного) магнитного усилителя
- •§ 24.2. Усилители с выходным переменным током
- •§ 24.3. Реверсивные магнитные усилители с выходным постоянным током
- •§ 24.4. Обратная связь в реверсивных магнитных усилителях
- •§ 24.5. Основы расчета магнитных усилителей
- •Глава 25
- •§ 25.1. Многокаскадный магнитный усилитель
- •§ 25.2. Быстродействующие магнитные усилители
- •§ 25.3. Операционные магнитные усилители
- •§ 25.4. Трехфазные магнитные усилители
- •Глава 26
- •§ 26.1. Назначение магнитных модуляторов
- •§ 26.2. Магнитные модуляторы с выходным переменным током основной частоты
- •§ 26.3. Магнитные модуляторы с выходным переменным током удвоенной частоты
- •§ 26.4. Магнитные модуляторы с выходным импульсным сигналом
- •§ 26.5. Магнитомодуляционные датчики магнитных величин
- •§ 26.6. Назначение и принцип действия бесконтактных магнитных реле
- •§ 26.7. Характеристики и схемы бесконтактных магнитных реле
- •§ 26.8. Переходные процессы в бесконтактных магнитных реле
- •§ 26.9. Основы расчета и конструирования бесконтактных магнитных реле
Глава 12 фотоэлектрические датчики
§ 12.1. Назначение.
Типы фотоэлектрических датчиков
Фотоэлектрические датчики реагируют на изменение освещенности. Как правило, фотоэлектрический датчик состоит из источника и приемника светового потока (ПСП). Источником све-■ тового потока может быть сам объект измерения или специальный осветитель (например, в виде обычной лампы накаливания).Опытный сталевар, рассматривая через темно-синий светофильтр расплавленный металл, может определить «на глаз» его температуру,
необходимость внесения каких-либо добавок. По световому потоку, исходящему от раскаленного или расплавленного металла, фотоэлектрический пирометр автоматически измеряет температуру. В данном случае источником светового потока является сам объект измерения (рис. 12.1, а).
Однако чаще используются лампы накаливания, создающие постоянный световой поток, а его изменение происходит под влиянием перемещения шторки (рис. 12.1, б), прохождения света через контролируемую среду (рис. 12.1, в), под влиянием свойств контролируемого объекта, от которого отражается световой поток (рис. 12.1, г). В соответствии с этими возможными вариантами изменения светового потокас помощью фотоэлектрических датчиков можно измерять перемещение и подсчитывать число предметов, определять уровень, прозрачность, задымленность, цвет различных материалов, оценивать качество обработанной поверхности (блеск, шероховатость, окраска). Фотоэлектрические датчики используют в оптико-электронных преобразователях различных величин. Здесь следует напомнить, что более 75% всей информации, которую получает человек, воспринимается с помощью зрения. Поэтому и фотоэлектрические датчики, воспринимающие оптическую информацию, находят широкое применение. С помощью фотоэлектрических датчиков осуществляется и так называемое «техническое зрение».
В приемниках светового потока фотоэлектрических датчиков используется фотоэффект. Под фотоэффектом понимают изменение свойств материала при изменении его освещенности. Различают внешний, внутренний и вентильный фотоэффект. Внешний фотоэффект состоит в том, что под влиянием потока излучения электроны вылетают из катода электронной лампы и ток эмиссии зависит от освещенности катода. Внутренний фотоэффект проявляется в том, что активное сопротивление полупроводникового материала зависит от его освещенности. При вентильном фотоэффекте между слоями освещенного проводника и неосвещенного полупроводника, разделенных тонким изоляционным слоем, возникает ЭДС, которая зависит от освещенности. При внешнем фотоэффекте носители тока выходят за пределы материала, при внутреннем — остаются внутри полупроводника. Вентильный фотоэффект, строго говоря, тоже является внутренним фотоэффектом.
Все фотоэлектрические датчики являются селективными (избирательными), т. е. их чувствительность зависит от частоты светового излучения. Иными словами, эти датчики реагируют на определенный цвет: красный, зеленый, синий или другой, включая и невидимую часть спектра (инфракрасное и ультрафиолетовое излучения). Диапазон длин волн видимого света =0,38 0,78 мкм. Более короткие волны относятся к ультрафиолетовому диапазону, более длинные — к инфракрасному.