1. Пайка 10

2. МОНТАЖНЫЕ ПРОВОДА 15

Т: 20

vr а 9 s 20

3. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ 25

ИЙ 30

Высокочастотные диоды 30

Стабилитроны 46

V 65

V 65

V 65

Пренебрежем первым слагаемым в знаменателе, так как ток i_reH слабо зависит от напряжения. Тогда вместо (4.151) можно записать:

dU _ l-.A/(ai +0С2 j di dM т/ . _r м

Следовательно, включение наступит при условии

A/(ai +аг)=1.

Участок АВ. На этом участке рост тока сопровождается уменьшением напряжения, то есть участок АВ обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением. Физически уменьшение напряжения происходит за счет того, что электроны и дырки, накапливающиеся в базах динистора, снижают потенциальный барьер в коллекторном переходе. При достижении точки В все три перехода оказываются смещенными в прямом направлении. Точке В соответствует ток удержания /_уд.

Участок ВС. Этот участок соответствует открытому состоянию динистора, при котором все три р-и-перехода имеют прямое включение и динистор можно рассматривать как три диода, включенных последовательно. Величина тока при этом определяется объемным сопротивлением структуры. Максимальная величина тока, который может пропустить динистор в этом режиме, определяется площадью переходов и условиями их охлаждения.

■2 АУчасток ОД. При подаче на анод отрицательного напряжения коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении, а эмиттерные переходы — в обратном. Через динистор протекает небольшой обратный токГ/

Участок ДЕ. На этом участке обратный ток динистора резко увеличивается, что обусловлено лавинным пробоем одного из эмиттерных переходов.

Экспериментальное наблюдение вольтамперной характеристики на участке с от­рицательным дифференциальным сопротивлением возможно при условии, что сопротив­ление ограничительного резистора больше модуля отрицательного дифференциального сопротивления. В этом случае нагрузочная линия пересекает вольтамперную характерис­тику только в одной точке. Если же это условие не выполняется, то нагрузочная линия пересекает вольтамперную характеристику в трех точках. При этом рабочие значения токов и напряжений зависят от того, происходит увеличение или уменьшение напряжения йш. Если напряжение £ип увеличивается (рис. 24), то режим работы динистора опреде-

Рис. 24

ляется точками пересечения с ветвью ОА (точки 1, 2, 3). Такой режим соответствует закрытому состоянию динистора; через него протекает незначительный ток. Когда напряжение станет равным (точка 3), то произойдет переключение динистора в открытое состояние (точка 4). При дальнейшем увеличении напряжения Еип, рабочая точка на ветви ВС будет сдвигаться вверх; если же напряжение £ип уменьшать, то ток будет уменьшаться (точки 5 и 6). Когда £ип станет равным £ип произойдет переключение динистора в закрытое состояние (точка 1). Из рассмотренного следует, что динистор является переключательным электронным прибором.

ранее на рис. 17.

9. Вся поверхность пластины покрывается слоем SiOi. Проводят седьмую фото­литографию по пленке SiOi для вскрытия окон к внешним контактным площадкам микро­схемы.

10. После зондового контроля пластину разрезают на кристаллы.

Всего при изготовлении ИМС по эпитаксиально-планарной технологии насчи­тывается более ста операций.

Рис. 29

ЕР1 С-технология

[Рассмотренному ранее варианту эпитаксиально-планарной технологии присущи два существенных недостатка - плохая изоляция элементов от подложки и большая площадь изолирующего /?-и-переходаГ^ Диэлектрическая изоляция элементов, получаемая в результате EPlC-технологии, уг-тряид^т эти недостатки. Сокращенное название этого процесса происходит от английского выражения Epitaxial Paccivated Integrated.

Рассмотрим один из вариантов EPIC-процесса:

1. В исходную пластину кремния n-типа проводят диффузию сурьмы или мышьяка на глубину 1-2 мкм для формирования скрытого п⁺-слоя, затем создают слой Si(>2, после чего методом фотолитографии создают окна для травления кремния. В результате получается структура, показанная на рис. 30 а.

2. Травлением получают У-образные канавки глубиной около 10 мкм и шириной около 50 мкм.

3. На всю поверхность пластины наносят слой SiC^. В результате получается структура, показанная на рис. 30, б.

jT

X

Рис. 30

¹

V

V

l!j

V

V

4. Н

   1

   J

   Щ % I il

   I

   Ti

   Г I

   а верхней стороне кремниевой пластины поверх SiCb наращивают слои высокоомного поликристаллического кремния толщиной около 200 мкм.

5. С нижней стороны кремниевой пластины путем шлифовки удаляют слой моно- кристаллллического кремния и-типа до дна вытравленных ранее канавок. Затем в образовавшихся карманах и-типа формируют биполярные транзисторы. В результате получается структура, показанная на рис. 30, в.

Основная сложность ЕР 1 С-процесса заключается в необходимости прецизионной механической обработки.